技术特征：
技术总结
一种半导体器件和半导体器件的制造方法。半导体器件包括具有背表面和在平面图中为矩形的前表面的半导体衬底；第一MOSFET，具有第一栅电极、第一源极区和第一漏极区；第二MOSFET，具有第二栅电极、第二源极区和第二漏极区；前表面上方的耦合到第一源极区的第一源电极；前表面上方的耦合到第二源极区的第二源电极；前表面上方的耦合到第一栅电极的第一栅极线；前表面上方的耦合到第二栅电极的第二栅极线；背表面上方的耦合到第一漏极区和第二漏极区的公共漏电极，第一源电极在前表面的第一边、第二边、第三边和第四边处，平面图中，第二源电极被第一源电极围绕，第一源电极与第一MOSFET重叠，第二源电极与第二MOSFET重叠。
技术研发人员：铃木和贵;是成贵弘
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2013.05.29
技术公布日：2018.08.28