1.一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成阳极层；
在所述阳极层上形成有机发光层；
在所述有机发光层上形成阴极层；
通过掩膜板的开口，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除；
提供具有外层玻璃料和内层玻璃料的盖板；
将所述基板与所述盖板贴合，将所述外层玻璃料和所述内层玻璃料烧结，形成外层封装层和内层封装层，使得所述基板与所述盖板密封连接；
对所述内层封装层内的位置对所述基板与所述盖板进行打孔，形成带孔的有机发光显示装置。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述通过掩膜板的开口，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除的步骤包括：
在注入了氩气的等离子体处理腔室内，采用射频激发氩气产生等离子体，通过所述掩膜板的所述开口对所述基板进行等离子体轰击，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，在注入了氩气和氧气的所述等离子体处理腔室内，采用射频激发氩气产生等离子体，通过所述掩膜板的所述开口对所述基板进行等离子体轰击，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除，并且通过氧气对与所述开口对应的部分所述有机发光层进行化学刻蚀。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述等离子体处理腔室内氩气和氧气的混合比例为98：2。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述通过掩膜板的开口，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除的步骤包括：
调整所述基板在两个极板之间的位置，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述通过掩膜板的开口，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除的步骤包括：
调整所述基板的位置，使得所述基板位于两个所述极板之间的鞘层区，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层刻蚀去除；
调整所述基板的位置，使得所述基板位于两个所述极板之间的电离区，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述有机发光层刻蚀去除。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述调整所述基板的位置，使得所述基板位于两个所述极板之间的电离区，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述有机发光层刻蚀去除的步骤之后还包括：
调整所述基板的位置，使得所述基板位于两个所述极板之间的鞘层区，采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层刻蚀去除。
8.根据权利要求2所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述采用射频激发氩气产生等离子体包括：采用频率为13.56MHz的射频激发氩气产生等离子体。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述采用等离子体轰击方式，将所述基板上与所述开口对应的部分所述阴极层和部分所述有机发光层刻蚀去除的步骤之后还包括：
采用真空发生器将被刻蚀去除的所述有机发光层的有机材料抽离。
10.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置采用权利要求1-9中任一项中所述的有机发光显示装置的制备方法制备而成。