带围坝的C.S.P倒装LED封装结构的制作方法

本实用新型涉及发光二极管(LED)的封装技术，特别是针对C.S.P倒装芯片LED封装单体的结构所为的改良。

背景技术：

近年来，全球暖化的现象日益严重，因此，节能减碳已成为近年来世界各国所倡导的议题，因此，使得各种具有节能减碳的环保产品逐渐受到重视，而发光二极管(LED)正符合世界节能减排的大趋势。

本实用新型主要是针对C.S.P芯片级封装(Chip Scale Package)的LED结构改良，所谓芯片级封装乃是芯片周围包覆之封装胶体非常接近芯片尺寸，一般市售无基板、无支架的C.S.P倒装芯片封装结构的LED如图1、2所示，该LED 封装单体的芯片10为倒装设置，于芯片10上包覆有透光胶体20，底部为外露的焊盘30，此种C.S.P倒装芯片封装结构的LED为五面发光，属于泛光型光源器件组件，然而，此种泛光型LED无法满足市场应用对于倒装LED器件单面出光的要求，是以有改进的必要。

技术实现要素：

本创作主要目的是为解决目前市售倒装芯片的LED封装单体结构所产生的光源为泛光型态而无法满足市场应用的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种带围坝的C.S.P倒装LED封装结构，包括LED封装单体，该LED封装单体包括芯片、透光胶体、焊盘及不透光胶体，该LED封装单体的芯片倒装设置，芯片上包覆有透光胶体，芯片底部固接有具电极的焊盘，焊盘成外露状态，透光胶体四周围覆不透光胶体而形成围坝型。

藉此上述技术方案后，让C.S.P倒装芯片之出光经由封装单体四周的围坝，得增强光束集中于正面发光(即芯片出光的直出面)，以达到缩小出光角度，增强单面出光强度，藉以满足市场对指向性光源要求为其目的。

附图说明

图1是现有技术的倒装芯片的LED封装单体结构示意图。

图2是现有技术的倒装芯片的LED封装单体结构剖面图。

图3是本实用新型的倒装芯片的LED封装单体结构示意图。

图4是本实用新型的倒装芯片的LED封装单体结构剖面图。

图5A至5H是本实用新型倒装芯片的LED封装单体制程示意图。

其中：10、芯片，20、透光胶体，30、焊盘，40、不透光胶体。

具体实施方式

如图3及图4所示，本实用新型提供一种带围坝的C.S.P倒装LED封装结构，即是所谓的芯片级封装(Chip Scale Package)，该LED封装单体主要是由芯片10、透光胶体20、焊盘30及不透光胶体40所构成，该LED封装单体的芯片10为倒装设置，于芯片10上包覆有透光胶体20，芯片10底部固接有具电极的焊盘30，并使焊盘30成外露状态，于透光胶体20四周围覆不透光胶体40而形成围坝型。采用本结构，让C.S.P倒装芯片的出光经由封装单体四周的围坝，得增强光束集中于正面发光(即芯片出光的直出面)，以达到缩小出光角度，增强单面出光强度，藉以满足市场对指向性光源要求为其目的。

图5A至5H是本创作倒装芯片的LED封装单体制程示意图，第1步骤是准备复数个模具A及顶面由凸出挡墙B1所形成复数个容置槽B2的模具B，第2 步骤是将模具A与模具B合模，让模具A置入模具B的容置槽B2内，且使模具A与容置槽B2四周壁面形成一间隔槽间B3，并于槽间B3内填注不透光胶体40，第3步骤是在不透光胶体40固化后，将模具B脱离而此时不透光胶体40 中间形成一透空槽401，随既改换平板的模具C并与模具A合模，让模具C封闭模具A底面，第4步骤是于各不透光胶体40的透空槽401中央置设一芯片10，第5步骤是于各不透光胶体40的透空槽401内注满透光胶体20，第6步骤是于透光胶体20固化后将模具A与模具C分离，第7步骤是使用一底面具有复数个凸块D1的模具D，在模具D与模具A合模时将模具A上形成单元脱离，下料完成后即取得带围坝的C.S.P倒装LED封装单体成品。