一种高亮度LED芯片结构的制作方法

技术特征：

1.一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片结构在厚度方向依次包括衬底、外延层和电极，且所述外延层包括缓冲层、N-GaN层、量子阱层及P-GaN层，N-GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P-GaN层依次设置在所述上台阶部上方，所述下台阶部的N-GaN上设置有N区围坝结构，所述电极包括设置在所述N区围坝结构中间区域的N电极和设置在P-GaN层上的P电极，

所述N区围坝结构为一端由所述N-GaN层的下台阶部封闭的空心的柱体状，所述围坝的侧壁上不留缺口或留有用于电流流出的缺口，所述围坝结构高度为0.7um～5um，且N区围坝结构的高度大于等于其所包围的N电极高度，N区围坝结构的宽度为4um～40um，所述N区围坝结构为含GaN的结构。

2.根据权利要求1中的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述N区围坝结构空心处横截面形状为矩形、圆形、椭圆形以及其它任何多边形的一种。

3.根据权利要求1中的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述N区围坝结构的高度大于其所包围的N电极高度。

4.根据权利要求1中的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述P-GaN层上方设有电流阻挡层，所述电流阻挡层和所述P-GaN层上方设有电流扩展层，所述LED芯片结构LED芯片结构还包括一沉积于所述芯片表面的钝化层；包括所述衬底以及含缓冲层、N-GaN层、量子阱层、P-GaN层的外延层的总厚度为4um～10um，所述电流阻挡层的厚度为所述电流扩展层的厚度为所述钝化层的厚度为所述P电极和N电极厚度为0.7um～5um。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，N区围坝结构上的缺口朝向P电极一侧，且所述缺口的长度为N区围坝结构内壁周长的1/3以内。

6.根据权利要求5中所述的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述缺口的长度为N区围坝结构内壁周长的1/10以内。

7.根据权利要求1～4中任意一项所述的一种高亮度LED芯片结构，其特征在于，所述围坝结构的底部与N-GaN层的结构相同，围坝结构的上部可选地与电流阻挡层、P-GaN层、量子阱层或N-GaN层的结构相同。