技术总结
本申请公开了一种薄膜晶体管、包含其的阵列基板及显示面板。薄膜晶体管包括衬底基板、依次叠置在衬底基板上的栅极、第一绝缘层、第二绝缘层、氧化物半导体以及源/漏电极。其中第一绝缘层覆盖栅极。氧化物半导体层包括沟道区，以及设置在沟道区两侧的欧姆接触区，沟道区与第二绝缘层接触；至少部分欧姆接触区与第一绝缘层接触；其中欧姆接触区远离衬底基板的一侧至少部分与源/漏电极连接。本申请的方案通过将欧姆接触区域第一绝缘层接触，沟道区与第二绝缘层接触，可以降低氧化物半导体欧姆接触区的电阻率，从而可以改善氧化物薄膜晶体管的开态电流。
技术研发人员：楼均辉;吴天一
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
文档号码：201720322618
技术研发日：2017.03.30
技术公布日：2017.12.15