一种超薄集成化封装结构的制作方法

本实用新型涉及一种半导体封装结构，尤其涉及一种超薄集成化封装结构。

背景技术：

集成电路的产生主要分为三个阶段：硅芯片的制造、集成电路的制作以及集成电路的封装等，封装的目的在于提供芯片与印刷电路板或其他适当元件之间电连接的媒介及保护芯片。如图1所示，该封装结构包括基板和上下两块相互堆叠的芯片，位于下方的芯片通过焊线与基板电连接，可以看出，该封装结构的左右两侧和顶部为焊线的拉线弧度预留了较大的空间，目前针对市场产品小型化、智能化、集成化产品需求，要求IC封装体越来越小、性能越来越集中，图1的结构已经无法满足要求。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种超薄集成化封装结构，以解决现有技术中的不足。

为了达到上述目的，本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的：

提供一种超薄集成化封装结构，包括基板、多个第一芯片、多个第二芯片、多个锡球和封装胶体，所述第一芯片通过所述锡球以植球方式层层堆叠于所述基板的上表面上，所述第二芯片竖直置放于所述第一芯片的四周并通过引线接合的方式连接所述第一芯片，所述封装胶体覆盖所述基板的上表面、所述第一芯片、所述第二芯片和所述锡球。

作为优选技术方案，所述第二芯片通过引线接合的方式连接所述第一芯片中位于层叠最底层的芯片。

作为优选技术方案，位于上层的所述第一芯片的大小小于位于下层的所述第一芯片的大小。

与已有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

增加了封装结构中的芯片数量，在减小体积的同时降低了封装结构的厚度，提高了集成化。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1示出了现有技术中封装结构的结构示意图；

图2示出了本实用新型超薄集成化封装结构的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

参考图2所示，本实用新型超薄集成化封装结构包括基板1、多个第一芯片2、多个第二芯片3、多个锡球4和封装胶体5，第一芯片2通过锡球4以植球方式层层堆叠于基板1的上表面上，第二芯片3竖直置放于第一芯片2的四周并通过引线接合的方式连接第一芯片2，封装胶体5覆盖基板1的上表面、第一芯片2、第二芯片3、锡球4以及焊线6。

本技术方案中，第二芯片3通过引线接合的方式连接第一芯片2中位于层叠最底层的芯片。位于上层的第一芯片2的大小小于位于下层的第一芯片2的大小。

从上述实施例可以看出，本实用新型的优势在于：

增加了封装结构中的芯片数量，在减小体积的同时降低了封装结构的厚度，提高了集成化。

以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述，但本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何等同修改和替代也都在本实用新型的范畴之中。因此，在不脱离本实用新型的精神和范围下所作出的均等变换和修改，都应涵盖在本实用新型的范围内。