一种正装结构的LED芯片的制作方法

技术特征：

1.一种正装结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。

2.根据权利要求1所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述GaN小岛上端窄下端宽，侧面为一斜面。

3.根据权利要求2所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述斜面的坡度范围为72°±5°。

4.根据权利要求1-3任一所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述N电极完全覆盖GaN小岛。

5.根据权利要求4所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述GaN小岛的高度与P型GaN层的上表面高度相同。

6.根据权利要求5所述的一种正装结构的LED芯片，其特征在于：所述N电极的上表面与P电极的上表面持平。