技术总结
本实用新型公开了一种正装结构的LED芯片，所述衬底上表面设置有外延层，所述外延层包括由下至上依次设置的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层，所述P型GaN上设置有ITO导电层，在ITO导电层上设置有导电金属作为P电极；所述外延层通过刻蚀P型GaN层到达N型GaN层形成低台阶，所述低台阶上保留有一凸起的GaN小岛，GaN小岛上设置有N电极。本实用新型通过保留低台阶上的一个凸起的GaN小岛，在不增加电极耗料的情况下，避免了N电极打线接触高台阶PN结导致漏电的问题；同时小岛高度跟台阶一样高，再在此基础上做电极，使得P电极和N电极可以采用同一技术制备，提高了焊线效率和良率，芯片可靠性大幅度提升。
技术研发人员：陈明辉;吴质朴;何畏;陈强
受保护的技术使用者：江门市奥伦德光电有限公司
文档号码：201721381811
技术研发日：2017.10.24
技术公布日：2018.05.08