一种QFN贴膜治具的制作方法

本实用新型涉及集成电路封装技术，具体涉及一种QFN贴膜治具。

背景技术：

QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)是表面贴装型封装之一。QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。

QFN后贴膜设备在贴膜时先拉出一张膜，切断后将其吸附在真空底座上，抓取装置抓取框架后下压，使框架与膜接触，压合，从而完成框架贴膜的过程。在此过程中，为保护框架上的芯片和引线不受损，抓取装置中的治具压在框架周边以及内部每个芯片单元的四周。这种治具的缺点是：对于同尺寸的QFN封装，由于框架内部的芯片分布及尺寸不同，为保护框架上的芯片和线不受损，所以就必须使用不同构造的治具；一般同尺寸的QFN封装，其框架内部的芯片分布种类有几种，乃至十几种，这样就需要配备相应数量的治具，从而增加了生产成本；另外，生产同尺寸不同内部结构的QFN封装时，需要切换不同的治具，影响贴膜的生产效率。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种QFN贴膜治具，可适用于具有不同类型的芯片阵列的QFN贴膜。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种QFN贴膜治具，包括治具本体，所述治具本体上开设有一容置槽，所述容置槽的槽底设置有防止QFN的芯片被压坏的缓冲层，所述容置槽的尺寸大于所述QFN的芯片的尺寸，且小于所述QFN的框体的尺寸，所述QFN的芯片位于所述容置槽内时，所述QFN的框体位于所述治具本体的上端并通过吸附组件吸附固定。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述缓冲层可拆卸固定在所述容置槽的槽底。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的胶膜。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述缓冲层为粘附在所述容置槽的槽底的若干层胶膜。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述胶膜靠近所述容置槽的槽底的一侧为背胶层，相对的另一侧为光滑层。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述容置槽的槽深大于所述QFN的芯片的厚度，且所述芯片的厚度与所述缓冲层的厚度之和等于所述容置槽的槽深。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述吸附组件包括若干环绕所述容置槽开设在所述治具本体上端面的真空孔，以及用于抽真空的抽真空设备。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，若干所述真空孔之间通过开设在所述治具本体内的通道进行连通。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，至少一个所述真空孔沿所述治具本体的厚度方向贯穿所述治具本体。

作为QFN贴膜治具的一种优选方案，所述吸附组件为若干环绕所述容置槽间隔设置在所述治具本体上端面的吸盘。

本实用新型的有益效果：通过在治具本体上开设一个容置槽，可以同时容置该QFN上的阵列式芯片，无需针对同一个QFN上的不同尺寸的芯片或者不同QFN的不同尺寸的芯片设计多个容置槽。与现有技术相比，本实用新型的QFN贴膜治具可以适用于不同类型的芯片阵列，且贴附待贴附胶膜时可防止芯片被压坏。

附图说明

图1为本实用新型实施例的QFN贴膜治具的俯视图。

图2为本实用新型实施例的QFN贴膜治具的剖视图。

图3为本实用新型实施例的QFN贴膜治具的使用状态图。

图中：

1、治具本体；2、容置槽；3、缓冲层；4、真空孔；5、通道；

100、QFN；110、芯片；120、框体；200、压轮；300、待贴附胶膜。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征之“上”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征之“下”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

如图1至3所示，本实施例中的QFN贴膜治具包括治具本体1，治具本体1上开设有一容置槽2，容置槽2的槽底设置有防止QFN100的芯片110被压坏的缓冲层3，容置槽2的尺寸大于QFN100的芯片110的尺寸，且小于QFN100的框体120的尺寸，QFN100的芯片110位于容置槽2内时，QFN100的框体120位于治具本体1的上端并通过吸附组件吸附固定。通过在治具本体1上开设一个容置槽2，可以同时容置该QFN100上的阵列式芯片110，无需针对同一个QFN100上的不同尺寸的阵列式芯片110或者不同QFN100的不同尺寸的阵列式芯片110设计多个容置槽。与现有技术相比，本实施例的QFN贴膜治具可以适用于不同类型的芯片阵列，且槽底设置的缓冲层3可防止芯片110被压坏。具体使用时，如图3所示，将QFN100倒放，使芯片110位于容置槽2内，再通过吸附组件吸附固定，然后采用压轮200将待贴附胶膜300平整地粘贴在QFN100的框体120的背面。

优选地，缓冲层3可拆卸固定在容置槽2的槽底，当缓冲层3失效时，可以方便更换。

具体地，缓冲层3为粘附在容置槽2的槽底的胶膜，该胶膜为单面胶，方便粘贴和与槽底分离。

优选地，缓冲层3为粘附在容置槽2的槽底的若干层胶膜，例如两层、三层或者更多层胶膜，具体层数可以根据芯片120的厚度和容置槽2的槽深而定，以使框体120通过吸附组件稳定地吸附在治具本体1的上端面为宜。

在其他的实施例中，胶膜靠近容置槽2的槽底的一侧为背胶层，相对的另一侧为光滑层，光滑层可以避免芯片110与胶膜接触而产生摩擦，防止芯片被损坏。

其中，容置槽2的槽深大于QFN100的芯片110的厚度，且芯片110的厚度与缓冲层3的厚度之和等于容置槽2的槽深，以避免框体120与治具本体1的上端面之间的间隙过大而影响其吸附固定。

可选地，吸附组件包括若干环绕容置槽2开设在治具本体1上端面的真空孔4，以及用于抽真空的抽真空设备(图中未示出)，抽真空设备通过真空孔抽真空，可以将QFN100的框体稳定吸附在治具本体1的上端面。

若干真空孔4之间通过开设在治具本体1内的通道5进行连通，从而可以减少抽真空设备与真空孔4的连接管的使用，加快抽真空速度。

如图2所示，两个真空孔4沿治具本体1的厚度方向贯穿治具本体1，即抽真空设备通过两个连接管与该两个真空孔4连接即可进行抽真空吸附固定QFN100。当然，本实施例中贯穿治具本体1的真空孔的数量不限于两个，在其他的本实施例中，也可以根据实际需要设计为一个、三个或者更多个。

在本实用新型的另一实施例中(参考图1)，其与上述实施例的区别在于，吸附组件为若干环绕容置槽1间隔设置在治具本体1上端面的吸盘(图中未示出)，QFN100倒放后，将QFN100的框体120的周部向下压即可被吸盘吸住。

本实施例的QFN贴膜治具适用于焊接铜桥的QFN100。

需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理，在本实用新型所公开的技术范围内，任何熟悉本技术领域的技术人员所容易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。

以上通过具体的实施例对本实用新型进行了说明，但本实用新型并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本实用新型做各种修改、等同替换、变化等等。但是，这些变换只要未背离本实用新型的精神，都应在本实用新型的保护范围之内。另外，本申请说明书和权利要求书所使用的一些术语并不是限制，仅仅是为了便于描述。此外，以上多处的“一个实施例”、“另一个实施例”等表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。