掩膜板的制作方法

文档序号:14859908发布日期:2018-07-04 06:31阅读:184来源:国知局
掩膜板的制作方法

本实用新型涉及有机发光显示制造技术领域,特别是涉及用于OLED蒸镀的掩膜板。



背景技术:

AMOLED(Active Martix OLED,主动矩阵有机发光二极管)在制备过程采用蒸镀的方式将材料蒸镀至基板上,以制备得到AMOLED。蒸镀需要采用掩膜板进行。

掩模板包括掩膜框架和掩膜基板,掩膜框架用于支撑掩膜基板,每个掩膜框架都有唯一的编码信息,保证在生产中有序使用,因此对掩膜框架编码进行管理是十分有必要的。目前的编码方式是在掩模版框架上采用激光刻蚀的方式制作二维码,但由于二维码在扫码器光照下反光强烈,与周围区域对比度小,容易造成读码失败,此外,由于掩膜框架长期使用,受到摩擦力的作用下表面变得光滑,导致二维码图像不清晰,导致不利于掩膜框架的识别。上述的问题导致掩膜框架难以识别,进而使得掩膜板在使用中可能存在无法区分的缺陷,影响生产效率。



技术实现要素:

基于此,有必要提供一种掩膜板。

一种掩膜板,包括:掩膜框架和掩膜基板,所述掩膜基板与所述掩膜框架连接,所述掩膜基板上开设有多个蒸镀开口;

所述掩膜框架设置有识别部,所述识别部的表面设置有磨砂层,所述磨砂层上设置有识别码。

在其中一个实施例中,所述掩膜框架凹陷设置有识别槽,所述识别部设置于所述识别槽内。

3、根据权利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜框架还设置有挡光部,所述挡光部绕设于所述识别部的外侧。

在其中一个实施例中,所述挡光部凸起于所述掩膜框架表面的厚度大于所述识别部凸起于所述掩膜框架的表面的厚度。

在其中一个实施例中,所述挡光部具有矩形截面。

在其中一个实施例中,所述挡光部具有方形截面。

在其中一个实施例中,所述挡光部具有圆环形截面。

在其中一个实施例中,所述识别部具有矩形截面。

在其中一个实施例中,所述识别部具有方形截面。

在其中一个实施例中,所述识别部具有圆形截面。

上述掩膜板,通过在刻蚀识别码的识别部上设置磨砂层,从而使得光线在磨砂层上产生漫反射,避免光线集中反射,使得识别码易于识别,避免读码失败,且磨砂层在摩擦力作用下不易磨损,从而提高了掩膜板的使用寿命,并且使得识别码能够长时间使用而清晰可见,有效提高了掩膜板的识别效率,避免影响生产效率。

附图说明

图1为一个实施例的掩膜板的一方向结构示意图;

图2为一个实施例的掩膜框架的局部剖面结构示意图;

图3为另一个实施例的掩膜框架的局部剖面结构示意图;

图4为又一个实施例的掩膜框架的局部剖面结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

例如,一种掩膜板,包括掩膜框架和掩膜基板,所述掩膜基板与所述掩膜框架连接,所述掩膜基板上开设有多个蒸镀开口;所述掩膜框架设置有识别部,所述识别部的表面设置有磨砂层,所述磨砂层上设置有识别码。例如,所述识别码喷涂设置于所述磨砂层上。

上述实施例中,通过在刻蚀识别码的识别部上设置磨砂层,从而使得光线在磨砂层上产生漫反射,避免光线集中反射,使得识别码易于识别,避免读码失败,且磨砂层在摩擦力作用下不易磨损,从而提高了掩膜板的使用寿命,并且使得识别码能够长时间使用而清晰可见,有效提高了掩膜板的识别效率,避免影响生产效率。

在一个实施例中,如图1所示,提供一种掩膜板10,包括:掩膜框架100和掩膜基板200,所述掩膜基板200与所述掩膜框架100连接,所述掩膜基板200上开设有多个蒸镀开口(图未示);所述掩膜框架100设置有识别部110,所述识别部110的表面设置有磨砂层111,所述磨砂层111上设置有识别码(图未示)。

具体地,该掩膜框架100用于支撑掩膜基板200,例如,掩膜板10包括多个掩膜基板200,各掩膜基板200的外侧边沿与掩膜框架100固定连接,例如,各掩膜基板200的外侧边沿与掩膜框架100焊接。每一掩膜基板200上分别开设有蒸镀开口,该蒸镀开口用于通过蒸镀材料,具体地,蒸镀时,蒸镀材料通过蒸镀开口蒸镀在基板上,从而形成有机发光显示装置的各层材料。同一掩膜框架100上的掩膜基板200具有相同蒸镀开口,即同一掩膜框架100上的各掩膜基板200的蒸镀开口相同。

该蒸镀框架的侧面设置有识别部110,通过在识别部110上设置磨砂层111,磨砂层111具有较大粗糙度,使得该识别码能够在光线照射下产生漫反射,避免了光线集中反射,使得识别码能够清晰地被识别。例如,该识别码为二维码,例如,该识别码为条码。例如,在该识别部110上进行打磨处理,使得识别部110表面形成磨砂层111,例如,在该识别部110上进行喷砂处理,使得识别部110表面形成磨砂层111,通过形成磨砂层111,使得识别部110表面的粗糙度增大,有利于形成的识别码更容易识别。

例如,在磨砂层111上进行激光刻蚀处理,在磨砂层111上形成识别码,例如,在磨砂层111上进行激光刻蚀处理,在磨砂层111上形成二维码。

上述实施例中,通过在刻蚀识别码的识别部110上设置磨砂层111,使得识别部110的表面粗糙度更大,使得识别码的粗糙度更大,从而使得光线在识别码上产生漫反射,避免光线集中反射,使得识别码易于识别,加大粗糙度再激光刻蚀的识别码的纹路的颜色更深,表面凹凸程度加深,反光度小,在扫码器的光照下,识别码经光线漫反射后更容易被识别,提高了扫码器读取灵敏度,从而提高读码成功率。

此外,磨砂层111在摩擦力作用下不易磨损,从而提高了掩膜板10的使用寿命,并且使得识别码能够长时间使用而清晰可见,有效提高了掩膜板10的识别效率,避免影响生产效率。

为了进一步提高识别码的识别率,提高识别效率,在一个实施例中,如图2所示,所述掩膜框架100凹陷设置有识别槽120,所述识别部110设置于所述识别槽120内。具体地,掩膜框架100的侧面凹陷设置识别槽120,该识别部110设置于识别槽120的底部,这样,通过识别槽120的侧壁遮挡部分外部光线,避免光线过于集中,进而使得识别槽120内的识别码更容易识别,进一步提高识别码的识别率,提高识别效率。此外,凹陷设置的识别槽120使得识别码具有较大的深度,能够有效减小识别码受到摩擦作用的几率,使得识别码随着掩膜框架100的长时间使用而不会磨损,有效提高了掩膜板10的使用寿命。

值得一提的是,该识别部可以是与掩膜框架的表面平齐,也可以是凹陷设置,也可以是凸起设置。在上述实施例中,识别部110设置于凹陷的识别槽120内。

为了进一步提高识别码的识别率,在一个实施例中,如图3和图4所示,所述掩膜框架100还设置有挡光部130,所述挡光部130绕设于所述识别部110的外侧。

例如,该识别部与掩膜框架的表面平齐,且外侧设置有挡光部,该挡光部环绕识别部设置,这样,通过挡光部将识别部的外侧的光线遮挡,避免光线的干扰,使得识别部上的识别码易于识别。

例如,如图3所示,该识别部110设置于识别槽120内,识别槽120的外侧设置有挡光部130,该识别槽120凹陷设置于掩膜框架100的表面,该挡光部130凸起设置于掩膜框架100的表面,通过识别槽120对外侧的部分光线进行阻隔,并且通过凸起的挡光部130对部分的光线的遮挡,使得识别码能够进一步减小对光线的集中反射,使得识别码的识别率更高,有效提高识别效率。

值得一体的是,该识别部110也可以是凸起设置于掩膜框架100的表面,例如,如图4所示,所述识别部110凸起设置于掩膜框架100的表面,通过凸起设置的识别部110,磨砂层111可以具有更大的颗粒度,从而使得磨砂层111的粗糙度更大,有利于进一步减小光线的集中反射,使得识别码在光纤照射下,更易产生漫反射,从而提高了识别码的识别效率以及识别率。

为了使得凸起设置的挡光部130上的识别码易于识别,例如,请再次参见图4,所述挡光部130凸起于所述掩膜框架100表面的厚度大于所述识别部110凸起于所述掩膜框架100的表面的厚度。通过挡光部130对识别部110的外侧的光线的遮挡,从而进一步减小光线的干扰,使得凸起设置的挡光部130上的识别码易于识别,提高了识别码的识别率和识别效率。

上述实施例中的挡光部130不仅可以对光线起到遮挡作用,此外,还能够阻挡部分对识别码的摩擦作用,能够有效减小识别码受到摩擦作用的几率,使得识别码随着掩膜框架100的长时间使用而不会磨损,有效提高了掩膜板10的使用寿命。

例如,如图1所示,所述识别部110具有矩形截面,例如,所述识别部110的形状为矩形,例如,所述挡光部130具有矩形截面,例如,所述挡光部130的形状为矩形。这样,挡光部130的形状与识别部110的形状匹配,能够更好地对识别部110进行挡光,此外,识别部110的形状为矩形,能够更好地刻蚀形状为矩形或者方形的识别码。

例如,所述识别部具有方形截面,例如,所述识别部的形状为方形,例如,所述挡光部具有方形截面,例如,所述挡光部的形状为方形,这样,挡光部的形状与识别部的形状匹配,能够更好地对识别部进行挡光,此外,识别部的形状为方形,能够更好地刻蚀形状为方形的识别码。

例如,所述识别部具有圆形截面。例如,所述挡光部具有圆环形截面。这样,挡光部的形状与识别部的形状匹配,能够更好地对识别部进行挡光。

为了进一步避免光线的集中反射,例如,所述挡光部130的内侧设置有挫纹,挫纹使得挡光部130的内侧表面更为粗糙,易于形成漫反射,使得挡光部130不仅能够实现挡光,还能够进一步避免的光线的集中反射,使得识别码更易识别。

为了使得磨砂层111具有更好的漫反射效果,并且能够使得识别码清晰可见,例如,该磨砂层111的目数为170目~270目,应该理解的是,磨砂层111的目数太大,颗粒度太小,容易使得漫反射效果较差,磨砂层111的目数太小,颗粒度太大,则使得识别码不清楚,因此,本实施例中,磨砂层111的目数为170目~270目,能够使得磨砂层111具有更好的漫反射效果,并且能够使得识别码清晰,例如,磨砂层111的目数为200目~230目,能够进一步使得漫反射效果更佳,并且使得识别码更为清晰,易于识别。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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