技术特征：
技术总结
本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制作方法，封装结构包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，空腔的内底壁上包括附着第一金属层的第一涂覆区和第二金属层的第二涂覆区，第一涂覆区和第二涂覆区间隔设置且电学相异，深紫外LED芯片跨设在第一金属层和第二金属层之间；减反层，减反层附着在深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，透光绝缘层附着于第一金属层和第二金属层的外表面中未与深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，透光盖板覆盖在支架的开口处。该深紫外LED封装结构可改善高温下金属材料因裸露而造成氧化、腐蚀现象的发生，并且改善了LED芯片发光面因材料界面折射率差异大而导致的全反射现象。
技术研发人员：姚禹;郑远志;陈向东;梁旭东
受保护的技术使用者：马鞍山杰生半导体有限公司
技术研发日：2018.02.13
技术公布日：2018.08.10