技术特征：
技术总结
本发明公开了低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管及制备方法，所述的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，包括GaN基底；位于所述GaN基底上两端的源电极和漏电极；位于所述GaN基底上表面源极和漏极之间的高K介质层；位于高K介质层上的铁电聚合物层；位于铁电聚合物层上的顶栅电极。本发明利用铁电聚合物材料在极化过程中产生的负电容效应，以及铁电聚合物材料、高K介质材料和AlGaN/GaN异质结三者之间的电容匹配，进而获得了一个稳定的低功耗氮化镓基负电容场效应晶体管，并显著降低器件的亚阈值斜率，大幅提高器件的开关速度，从而显著降低器件功耗。
技术研发人员：廖蕾;黎怡;苏萌
受保护的技术使用者：武汉大学
技术研发日：2018.03.22
技术公布日：2018.08.14