技术特征：
技术总结
本发明公开了一种耐压双极晶体管及其制作方法，主要解决现有双极晶体管在EMP环境中抵抗能力弱、耐压值低的问题。其包括衬底(1)、重掺杂集电区(2)、外延层(3)、基区(4)、发射区(5)、SiO2层(6)、SiO2沟槽和通孔。重掺杂集电区为圆筒状，位于外延层中，且将外延层分为圆筒内外延层和圆筒外外延层两部分；圆筒内外延层包含圆柱形基区以及与发射区结深相同的SiO2沟槽；基区中包含圆环状的发射区。本发明方法有效降低了发射结之上的电流集边效应，从而提高了集电结的耐压特性；解决了现有技术中只针对特定输入输出端进行防护不能改善晶体管整体耐压特性的问题，实现了从整体上提升晶体管可靠性的目。
技术研发人员：樊庆扬;张文柱;卫铭斐
受保护的技术使用者：西安建筑科技大学
技术研发日：2018.05.03
技术公布日：2018.09.11