1.一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，包括基板，所述基板上设有芯片焊接区；其特征在于，所述芯片焊接区的中心和四角端分别设有金属凸点组，所述金属凸点组包括金属中心凸点，所述金属中心凸点的外侧设有至少一个金属凸点环。
2.根据权利要求1所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述金属凸点环包括至少两个，其从内到外依次分别为第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环；n≥3，n为整数。
3.根据权利要求2所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述第一金属凸点环包含四个金属凸点，对称分布在金属中心凸点的四周，所述第二金属凸点环包含八个金属凸点，对称分布在第一金属凸点环四周……所述第n金属凸点环包含2n+1个金属凸点，对称分布在第n+1金属凸点环四周。
4.根据权利要求2或3所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述中心金属凸点、第一金属凸点环、第二金属凸点环……第n金属凸点环两两之间的间隙均相等。
5.根据权利要求3所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述金属中心凸点、第一金属凸点环中的金属凸点、第二金属凸点环中的金属凸点……第n金属凸点环中的金属凸点均为半球体，其通过半球体的平面贴合基板。
6.根据权利要求5所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述金属中心凸点、第一金属凸点环中的金属凸点、第二金属凸点环中的金属凸点……第n金属凸点环中的金属凸点的半球体直径逐渐递减。
7.根据权利要求3所述的一种VDMOS功率器件芯片焊接层空洞补偿结构，其特征在于，所述金属中心凸点、第一金属凸点环中的金属凸点、第二金属凸点环中的金属凸点……第n金属凸点环中的金属凸点的材料与基板材料相同，其材料为铜或铜合金。