技术特征：
技术总结
本申请涉及一种薄膜晶体管的制造方法，通过图形转移工艺刻蚀氢化非晶硅层形成沟道区，并通入处理气体对刻蚀后的氢化非晶硅层暴露出的表面进行热处理，处理气体包括N2和NH3中的至少一种且不含氢气。降低了Si与H结合产生Si‑H键的几率，减少氢化非晶硅层中Si‑H键的占比，提高薄膜晶体管的光照稳定性，减弱光照条件下薄膜晶体管阈值电压Vth的漂移。
技术研发人员：莫琼花;卓恩宗
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
技术研发日：2018.07.16
技术公布日：2018.12.11