本发明涉及有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件。
背景技术：
有机电致发光器件(organiclight-emittingdiode，oled)是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来有机电致发光器件作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。相比于液晶显示技术，有机电致发光器件以其低功耗、主动发光、响应速度快、高对比度、无视角限制、可制作柔性显示等特点，越来越多的应用于显示及照明领域。
通常有机电致发光器件具有多层结构，包括阳极、阴极以及置于阳极与阴极之间的有机物层，如空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发光层(eml)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)等。在一定电压驱动下，空穴与电子分别由阳极与阴极注入到空穴传输层和电子传输层，两者分别经过空穴传输层和电子传输层迁移到发光层，当两者在发光层中相遇结合时形成空穴-电子复合激子，激子通过发光弛豫的形式回到基态，从而达到发光的目的。
然而，目前大多数有机电致发光器件中的空穴传输材料和电子传输材料对空穴和电子的传输大多不平衡，使得空穴和电子在发光层中的复合几率较低，影响了有机电致发光器件的发光效率。这极大地制约了有机电致发光器件的发展，因此如何提高有机电致发光器件的发光效率成为了研究的热点。
技术实现要素：
发明目的：针对上述问题，本发明的目的是提供一种有机电致发光器件，解决了目前有机电致发光器件发光效率低的问题。
本发明的上述技术目的是通过以下技术方案实现的：一种有机电致发光器件，包括阳极、有机物层以及阴极，所述有机物层位于阳极和阴极之间，所述有机物层包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层含有螺二芴衍生物，所述螺二芴衍生物含有如结构式i-1所示的通式，所述电子传输层含有结构式ii所示的化合物，
其中，所述rx1、rx2独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基中的一种；
所述ar1、ar2、ar3独立的选自以下所示基团中的一种，
所述ry1、ry2独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基中的一种；
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基、取代或未取代的c6～c24的芳胺基中的一种；
其中，所述r21、r22、r23、r24独立的选自氢、取代或未取代的c1～c20的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的杂芳基中的一种；
所述l1、l2独立的选自取代或未取代的c6～c30的亚芳基、取代或未取代的c3～c30的亚杂芳基中的一种。
优选的，所述螺二芴衍生物具有如结构式i-2所示的通式，
其中，所述ar1选自以下所示的基团中的一种，
所述ar2选自以下所示的基团中的一种，
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或者以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2、ry1、ry2独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基中的一种。
优选的，所述螺二芴衍生物具有如结构式i-3所示的通式，
其中，所述ar2选自以下所示的基团中的一种，
所述ar3选自以下所示的基团中的一种，
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或者以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2、ry1、ry2独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基中的一种。
优选的，所述ar1、ar2、ar3独立的选自以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2独立的选自以下所示基团中的一种，
优选的，所述r21、r22、r23、r24独立的选自以下所示基团中的一种，
其中，所述x选自c(r)2、si(r)2、o或者s，所述r选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、萘基、喹啉基、联苯基、呋喃基、噻吩基中的一种；
所述x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8独立的选自c(r0)或者n，所述r0选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、萘基、喹啉基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、呋喃基、噻吩基中的一种；
所述l选自单键、亚苯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚萘基、亚喹啉基、亚联苯基中的一种。
优选的，所述r21、r22、r23、r24独立的选自以下所示基团中的一种，
所述l1、l2独立的选自以下所示基团中的一种，
进一步的，所述有机物层包括发光层，所述发光层含有主体材料和客体材料。
优选的，所述主体材料含有如结构式iii所示的化合物，
其中，所述r31、r32独立的选自氢、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c6～c60的芳基、取代或未取代的c3～c60的杂芳基中的一种；
所述ar31、ar32独立的选自取代或未取代的c6～c60的芳基、取代或未取代的c3～c60的杂芳基中的一种；
所述l3选自单键、取代或未取代的c6～c60的亚芳基、取代或未取代的c3～c60的亚杂芳基中的一种。
优选的，所述客体材料含有铱配合物。
进一步的，所述有机电致发光器件还包括光取出层，所述光取出层位于阴极远离阳极的一侧，所述光取出层含有结构式i-1所示的螺二芴衍生物。
有益效果：本发明的有机电致发光器件中的空穴传输材料螺二芴衍生物为富电子体系，具有较大的共轭结构，表现出较好的空穴传输性能，电子传输材料邻菲罗啉衍生物为具有大共轭平面的缺电子体系，表现出较好的电子传输和空穴阻挡性能，由于螺二芴衍生物表现出的空穴传输性能和邻菲罗啉衍生物表现出的电子传输性能相当，因此空穴和电子的传输更为平衡，能够有效的在发光层内结合，提高了载流子的利用率，实现器件的有效发光。使得有机电致发光器件表现出驱动电压低、发光亮度高、发光效率高以及使用寿命长的特点。
另外，本发明的螺二芴衍生物用作光取出层时，由于该化合物对光的折射率高，不仅改善了阴极表面的透过率，而且还极大的减弱了表面等离子效应以及波导效应的影响，可以有效的将陷于有机电致发光器件中的光耦合出来，使得有机电致发光器件表现出较高的出光效率。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。
一种有机电致发光器件，包括阳极、有机物层以及阴极，所述有机物层位于阳极和阴极之间，所述有机物层包括空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层含有螺二芴衍生物，所述螺二芴衍生物含有如结构式i-1所示的通式，所述电子传输层含有结构式ii所示的化合物，
其中，所述rx1、rx2独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基中的一种；
所述ar1、ar2、ar3独立的选自以下所示基团中的一种，
所述ry1、ry2独立的选自取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基中的一种；
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基、取代或未取代的c6～c24的芳胺基中的一种；
其中，所述r21、r22、r23、r24独立的选自氢、取代或未取代的c1～c20的烷基、取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c3～c30的杂芳基中的一种；
所述l1、l2独立的选自取代或未取代的c6～c30的亚芳基、取代或未取代的c3～c30的亚杂芳基中的一种。
优选的，所述螺二芴衍生物具有如结构式i-2所示的通式，
其中，所述ar1选自以下所示的基团中的一种，
所述ar2选自以下所示的基团中的一种，
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或者以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2、ry1、ry2独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基中的一种。
优选的，所述螺二芴衍生物具有如结构式i-3所示的通式，
其中，所述ar2选自以下所示的基团中的一种，
所述ar3选自以下所示的基团中的一种，
所述r1、r2、r3、r4、r5、r6、r7、r8独立的选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或者以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2、ry1、ry2独立的选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、萘基、联苯基中的一种。
优选的，所述ar1、ar2、ar3独立的选自以下所示基团中的一种，
所述rx1、rx2独立的选自以下所示基团中的一种，
作为举例，没有特别限定，本发明的结构式i表示的化合物选自如下所示化学结构中的一种，
优选的，所述r21、r22、r23、r24独立的选自以下所示基团中的一种，
其中，所述x选自c(r)2、si(r)2、o或者s，所述r选自甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、萘基、喹啉基、联苯基、呋喃基、噻吩基中的一种；
所述x1、x2、x3、x4、x5、x6、x7、x8独立的选自c(r0)或者n，所述r0选自氢、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、萘基、喹啉基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、呋喃基、噻吩基中的一种；
所述l选自单键、亚苯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚萘基、亚喹啉基、亚联苯基中的一种。
优选的，所述r21、r22、r23、r24独立的选自以下所示基团中的一种，
所述l1、l2独立的选自以下所示基团中的一种，
作为举例，没有特别限定，本发明结构式ii表示的化合物选自如下所示化学结构中的一种，
进一步的，所述有机物层包括发光层，所述发光层含有主体材料和客体材料。
优选的，所述主体材料含有如结构式iii所示的化合物，
其中，所述r31、r32独立的选自氢、取代或未取代的c1～c30的烷基、取代或未取代的c6～c60的芳基、取代或未取代的c3～c60的杂芳基中的一种；
所述ar31、ar32独立的选自取代或未取代的c6～c60的芳基、取代或未取代的c3～c60的杂芳基中的一种；
所述l3选自单键、取代或未取代的c6～c60的亚芳基、取代或未取代的c3～c60的亚杂芳基中的一种。
作为举例，没有特别限定，本发明的结构式iii表示的化合物选自如下所示化学结构中的一种，
优选的，所述客体材料含有铱配合物。
优选的，所述客体材料选自ir(ppy)3、(piq)2ir(acac)或者(acac)ir(btp)2；
进一步的，所述有机电致发光器件还包括光取出层，所述光取出层位于阴极远离阳极的一侧，所述光取出层含有结构式i-1所示的螺二芴衍生物。
以上列举了本发明所述的结构式i、结构式ii以及结构式iii所示的一些具体化学结构，但本发明并不局限于所列的这些化学结构，凡是以结构式i、结构式ii或者结构式iii所示结构为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
(1)本发明的结构式i所示的化合物的合成方法如下：
其中，ar1、ar2、ar3、rx1、rx2如上述定义。
(2)本发明的结构式ii所示的化合物的合成方法如下：
其中，r21、r22、r23、r24、l1、l2如上述定义。
(3)本发明的结构式iii所示的化合物的合成方法如下：
其中，r31、r32、l3、ar31、ar32如上述定义。
按照本发明，上述烷基上的取代基选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、硝基；或者，c1～c10的烷基，例如，甲基、乙基、丙基、环丁基、环戊基等；或者，c1～c10的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基等；或者，c6～c24的芳基，例如，苯基、萘基、菲基、芴基等；或者，c3～c24的杂芳基，例如，吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。
上述芳基、杂芳基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、硝基；或者，c1～c10的烷基，例如，甲基、乙基、丙基等；或者，c1～c10的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基等；或者，c6～c24的芳基，例如，苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、蒽基、三亚苯基、芴基等；或者，c3～c24的杂芳基，例如，吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等；或者，c6～c24的芳胺基，例如，二苯基胺基、二联苯基胺基等。
上述亚芳基、亚杂芳基上的取代基独立的选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、硝基；或者，c1～c10的烷基，例如，甲基、乙基等；或者，c1～c10的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基等；或者，c6～c24的芳基，例如，苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、蒽基、三亚苯基、芴基等；或者，c3～c24的杂芳基，例如，吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。
上述芳胺基上的取代基选自选自氢、氘、氰基、三氟甲基、卤素、硝基；或者，c1～c10的烷基，例如，甲基、乙基、丙基等；或者，c1～c10的烷氧基，例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基等；或者，c6～c24的芳基，例如，苯基、萘基、联苯基、菲基、三联苯基、蒽基、三亚苯基、芴基等；或者，c3～c24的杂芳基，例如，吡啶基、嘧啶基、三嗪基、喹啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。
本发明所述亚芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环亚芳基或稠环亚芳基，实例可包括亚苯基、亚联苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基或亚芘基等，但不限于此。
本发明所述亚杂芳基是指亚芳基中的一个或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂亚芳基可以为单环杂亚芳基或稠环杂亚芳基，实例可包括亚吡啶基、亚吡咯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚吲哚基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并噻吩基、亚苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚咔唑基等，但不限于此。
本发明所述芳胺基是指基团-n(rm)(rn)，所述rm选自c1～c10的烷基、c1～c10的烷氧基、c6～c24的芳基或者c3～c24的杂芳基，所述rn选自c6～c24的芳基或者c3～c24的杂芳基。
本发明所述取代或未取代的c1～c10的烷基、取代或未取代的c6～c18的芳基、取代或未取代的c3～c18的杂芳基是指被取代前烷基、芳基、杂芳基的碳原子总数分别为1～10、6～18、3～18，以此类推。
本发明所述丙基、丁基、戊基等碳原子数大于二的链状烷基包括它们的异构体，如异丙基，异丁基、仲丁基、叔丁基，异戊基、新戊基、叔戊基等，但不限于此。
本发明的有机电致发光器件的有机物层可以具有单层结构，或者具有两层以上的多层结构。本发明的有机电致发光器件的有机物层可以包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或者置于阳极和空穴注入层之间的缓冲层中的任意一层或者任意多层。本发明的有机物层的厚度不高于6μm，优选为不高于0.5μm，且更优选为0.02～0.5μm。本发明的光取出层的厚度不低于0.01μm，优选为不低于0.02μm，且更有选为0.02～0.3μm。
本发明的有机电致发光器件中，结构式i的化合物可以用于上述有机物层、光取出层中的任意一层或者任意多层，优选为在光取出层或者空穴传输层中含有，最优选为在光取出层中含有。结构式ii所示的化合物可以用于上述有机物层中的任意一层或者任意多层，优选为在电子传输层或者空穴阻挡层中含有，最优选为在电子传输层中含有。含量没有特别限制，可以根据需要适当调整。
本发明的有机电致发光器件优选为：
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/金属阴极；或者，
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/金属阴极；或者，
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/金属阴极/光取出层；或者，
基板/阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/金属阴极/光取出层。
本发明的有机电致发光器件可以使用已知材料通过已知方法制备，然而，有机电致发光器件的结构不限于此。
本发明所述的基板，优选玻璃板、石英板、聚合物板等，但不限于此。
本发明所述的阳极，优选具有较高功函数的材料，例如ag、au、al、cu、ni、mo、ti、zn、pd、pt等金属或者其合金；氧化锌、氧化铟、铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)等氧化物；聚苯胺、聚吡咯等导电性高分子；炭黑等，但不限于此。另外，阳极可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的阳极材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
本发明所述的阴极，优选具有较低功函数的材料，例如ag、al、mg、ti等金属或其合金，但不限于此。另外，阴极可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的阴极材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
本发明的空穴注入材料，优选具有较好的空穴注入性能的材料，例如，钼氧化物、钛氧化物、银氧化物、三芳胺衍生物、联苯胺衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、聚乙烯基咔唑、聚硅烷、导电性高分子等，但不限于此。另外，空穴注入层可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的空穴注入材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
本发明的空穴传输材料，优选具有较好的空穴传输性能的材料，例如，三芳胺衍生物、联苯胺衍生物、咔唑衍生物、蒽衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)(简称pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)等，但不限于此。另外，空穴传输层可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的空穴传输材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
本发明的发光层，可以包含一种材料，也可以包含两种以上的混合材料，优选包含主体和掺杂的混合材料，所述掺杂材料包括荧光发光材料和磷光发光材料。所述荧光发光材料包括蓝色荧光发光材料，例如，芘衍生物、
本发明的电子传输材料，优选具有较好的电子传输性能的材料，例如，铝配合物、锌配合物、咪唑衍生物、苯并咪唑衍生物、三嗪衍生物、邻菲罗啉衍生物等，但不限于此。另外，电子传输层可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的电子传输材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
本发明的电子注入材料，优选具有较好的电子注入性能的材料，例如，碱金属、碱土金属、含有碱金属的化合物、含有碱土金属的化合物等，但不限于此。另外，电子注入层可以是单层结构，也可以是两层以上的多层结构，每一层所包含的电子注入材料可以是单一材料，也可以是混合材料。
对本发明的有机电致发光器件的各层的形成方法，没有特别限制，可以采用干式成膜法、湿式成膜法等公知的方法。干式成膜法包括真空蒸镀法、溅射法、等离子法等。湿式成膜法包括旋涂法、浸渍法、喷墨法等，但不限于此。
本发明的有机电致发光器件可广泛应用于平板显示、固体照明、有机感光体或有机薄膜晶体管等领域。
本发明对以下实施例中所采用的原料没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
合成实施例1：化合物i-1的制备
在氩气保护下，向烧瓶中加入2,2'-二碘-9,9'-螺二芴(17.6g,31mmol)、化合物e1(8.85g,31mmol)、叔丁醇钠(2.98g,31mmol)、双(三苯基膦)二氯化钯(ii)(0.5g,0.71mmol)和二甲苯(500ml)，在130℃的条件下反应24小时。冷却后，加入水(1000ml)，将混合物进行过滤，将滤液用甲苯萃取，有机相用无水硫酸镁干燥。将其在减压下浓缩，将所得的粗产物进行柱纯化，用甲苯进行重结晶，将其过滤后，进行干燥，结果得到中间体sub-1(13.5g,60％)。
在氩气保护下，向烧瓶中加入中间体sub-1(7.26g,10mmol)、化合物f1(1.69g,10mmol)、叔丁醇钠(1.3g,13.5mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0.046g,0.05mmol)、三叔丁基膦(0.021g,0.1mmol)和脱水甲苯(50ml)，在80℃下反应2小时。冷却后，加入水(500ml)，将混合物进行过滤，将滤液用甲苯萃取，有机相用无水硫酸镁干燥。将其在减压下浓缩，将所得的粗产物进行柱纯化，用甲苯进行重结晶，将其过滤后，进行干燥，得到化合物i-1(5.75g,75％)。质谱m/z：理论值：766.99；实测值：766.31。理论元素含量(％)c58h42n2：c,90.83；h,5.52；n,3.65；实测元素含量(％)：c,90.80；h,5.56；n,3.64。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例2：化合物i-3的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物f1换成等摩尔的化合物f2，其他步骤相同，得到化合物i-3(5.75g,70％)。质谱m/z：理论值：919.18；实测值：918.35。理论元素含量(％)c70h50n2：c,91.47；h,5.48；n,3.05；实测元素含量(％)：c,91.44；h,5.54；n,3.02。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例3：化合物i-13的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物f1换成等摩尔的化合物f3，其他步骤相同，得到化合物i-13(5.98g,69％)。质谱m/z：理论值：867.11；实测值：866.37。理论元素含量(％)c66h46n2：c,91.42；h,5.35；n,3.23；实测元素含量(％)：c,91.40；h,5.39；n,3.21。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例4：化合物i-22的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e2，化合物f1换成等摩尔的化合物f2，其他步骤相同，得到化合物i-22(7.71g,71％)。质谱m/z：理论值：1086.40；实测值：1085.48。理论元素含量(％)c82h59n3：c,90.66；h,5.47；n,3.87；实测元素含量(％)：c,90.62；h,5.54；n,3.84。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例5：化合物i-34的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e3，化合物f1换成等摩尔的化合物e3，其他步骤相同，得到化合物i-34(8.08g,78％)。质谱m/z：理论值：1035.35；实测值：1034.42。理论元素含量(％)c79h58n2：c,91.65；h,5.65；n,2.71；实测元素含量(％)：c,91.62；h,5.70；n,2.69。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例6：化合物i-48的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e4，化合物f1换成等摩尔的化合物f4，其他步骤相同，得到化合物i-48(7.45g,72％)。质谱m/z：理论值：1035.35；实测值：1034.45。理论元素含量(％)c79h58n2：c,91.65；h,5.65；n,2.71；实测元素含量(％)：c,91.64；h,5.70n,2.67。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例7：化合物i-54的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e4，化合物f1换成等摩尔的化合物f5，其他步骤相同，得到化合物i-54(7.66g,68％)。质谱m/z：理论值：1126.46；实测值：1125.47。理论元素含量(％)c85h63n3：c,90.63；h,5.64；n,3.73；实测元素含量(％)：c,90.60；h,5.68；n,3.72。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例8：化合物i-67的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e5，化合物f1换成等摩尔的化合物f2，其他步骤相同，得到化合物i-67(7.82g,75％)。质谱m/z：理论值：1043.33；实测值：1042.40。理论元素含量(％)c80h54n2：c,92.10；h,5.22；n,2.69；实测元素含量(％)：c,92.08；h,5.27；n,2.66。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例9：化合物i-74的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e5，化合物f1换成等摩尔的化合物e5，其他步骤相同，得到化合物i-74(7.82g,77％)。质谱m/z：理论值：1131.44；实测值：1130.45。理论元素含量(％)c87h58n2：c,92.36；h,5.17；n,2.48；实测元素含量(％)：c,92.34；h,5.22；n,2.45。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例10：化合物i-79的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e6，化合物f1换成等摩尔的化合物f5，其他步骤相同，得到化合物i-79(7.82g,70％)。质谱m/z：理论值：1374.74；实测值：1374.54。理论元素含量(％)c105h71n3：c,91.74；h,5.21；n,3.06；实测元素含量(％)：c,91.71；h,5.26；n,3.04。上述结果证实获得产物为目标产物。
合成实施例11：化合物i-83的制备
在合成实施例1中的化合物i-1的制备过程中，将化合物e1换成等摩尔的化合物e7，化合物f1换成等摩尔的化合物e7，其他步骤相同，得到化合物i-83(8.16g,67％)。质谱m/z：理论值：1217.57；实测值：1216.51。理论元素含量(％)c91h68n4：c,89.77；h,5.63；n,4.60；实测元素含量(％)：c,89.74；h,5.70；n,4.56。上述结果证实获得产物为目标产物。
参照上述实施例1－11的合成方法合成结构式i所示的其他目标产物。
合成实施例12：化合物ii-1的制备
向反应瓶中依次加入化合物h1(41.4g,106.6mmol)、联硼酸频那醇酯(29.8g,117.3mmol)、koac(31.4g,319.8mmol)、pd(dba)2(1.7g,3mmol)、pcy3(1.7g,6mmol)以及二恶烷(500ml)，在回流的条件下搅拌12小时。反应结束后，冷却至室温，过滤，旋干滤液得到粗品，将粗品用氯仿/乙酸乙酯重结晶，得到化合物k1(37.1g,80％)。
向反应瓶中依次加入化合物k1(19.2g,44.2mmol)、5,6-二溴-1,10-菲罗啉(7.47g,22.1mmol)、pd(pph3)4(0.81g,0.7mmol)、k2co3(6.11g,44.2mmol)、thf(110ml)、h2o(55ml)，在回流的条件下搅拌12小时。反应结束后，冷却至室温，用二氯甲烷萃取，干燥，过滤，粗产品经柱层析纯化得到化合物ii-1(11.8g,67％)。质谱m/z：理论值：794.92；实测值：794.28。理论元素含量(％)c54h34n8：c,81.59；h,4.31；n,14.10；实测元素含量(％)：c,81.56；h,4.36；n,14.08。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例13：化合物ii-5的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h2，其他步骤相同，得到化合物ii-5(15.1g,72％)。质谱m/z：理论值：947.12；实测值：946.33。理论元素含量(％)c66h42n8：c,83.70；h,4.47；n,11.83；实测元素含量(％)：c,83.67；h,4.52；n,11.81。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例14：化合物ii-12的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h3，其他步骤相同，得到化合物ii-12(15.2g,69％)。质谱m/z：理论值：995.16；实测值：994.36。理论元素含量(％)c70h42n8：c,84.49；h,4.25；n,11.26；实测元素含量(％)：c,84.47；h,4.28；n,11.25。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例15：化合物ii-19的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h4，其他步骤相同，得到化合物ii-19(16.2g,75％)。质谱m/z：理论值：975.08；实测值：974.31。理论元素含量(％)c66h38n8o2：c,81.30；h,3.93；n,11.49；o,3.28；实测元素含量(％)：c,81.28；h,3.99；n,11.48；o,3.25。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例16：化合物ii-27的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h5，其他步骤相同，得到化合物ii-27(16.9g,65％)。质谱m/z：理论值：1179.44；实测值：1178.46。理论元素含量(％)c84h58n8：c,85.54；h,4.96；n,9.50；实测元素含量(％)：c,85.52；h,4.99；n,9.49。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例17：化合物ii-29的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h6，其他步骤相同，得到化合物ii-29(11.8g,67％)。质谱m/z：理论值：794.92；实测值：794.29。理论元素含量(％)c54h34n8：c,81.59；h,4.31；n,14.10；实测元素含量(％)：c,81.56；h,4.36；n,14.8。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例18：化合物ii-32的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h7，其他步骤相同，得到化合物ii-32(15.3g,73％)。质谱m/z：理论值：947.12；实测值：946.32。理论元素含量(％)c66h42n8：c,83.70；h,4.47；n,11.83；实测元素含量(％)：c,83.67；h,4.52；n,11.81。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例19：化合物ii-44的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h8，其他步骤相同，得到化合物ii-44(14.2g,66％)。质谱m/z：理论值：975.08；实测值：974.31。理论元素含量(％)c66h38n8o2：c,81.30；h,3.93；n,11.49；o,3.28；实测元素含量(％)：c,81.29；h,3.98；n,11.47；o,3.27。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例20：化合物ii-53的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h9，其他步骤相同，得到化合物ii-53(14.6g,74％)。质谱m/z：理论值：895.04；实测值：894.31。理论元素含量(％)c62h38n8：c,83.20；h,4.28；n,12.52；实测元素含量(％)：c,83.18；h,4.31；n,12.51。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例21：化合物ii-81的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h10，其他步骤相同，得到化合物ii-81(14.0g,71％)。质谱m/z：理论值：895.04；实测值：894.35。理论元素含量(％)c62h38n8：c,83.20；h,4.28；n,12.52；实测元素含量(％)：c,83.17；h,4.33；n,12.50。上述结果证实获得产物为目标产品。
合成实施例22：化合物ii-113的制备
在合成实施例1中的化合物ii-1的制备方法中，将化合物h1换成等摩尔的化合物h11，其他步骤相同，得到化合物ii-113(17.5g,72％)。质谱m/z：理论值：1101.29；实测值：1100.40。理论元素含量(％)c76h48n10：c,82.89；h,4.39；n,12.72；实测元素含量(％)：c,82.86；h,4.43；n,12.71。上述结果证实获得产物为目标产品。
参照上述实施例12－22的合成方法合成结构式ii所示的其他目标产物。
对上述合成例1－11的目标产物进行折射率的测量，结果如下述表1所示：
表1
应用实施例1：有机电致发光器件1的制备
选取ito玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极基板上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀本发明的化合物i-1作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体材料cbp与客体材料ir(ppy)3作为发光层，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-1作为电子传输层，蒸镀厚度为35nm。在电子传输层上真空蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.5nm。在电子注入层上真空蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为100nm。
应用实施例2：有机电致发光器件2的制备
将应用实施例1中的化合物i-1换成化合物i-3，化合物ii-1换成化合物ii-5，其他步骤相同。
应用实施例3：有机电致发光器件3的制备
将应用实施例1中的化合物i-1换成化合物i-13，化合物ii-1换成化合物ii-12，其他步骤相同。
应用实施例4：有机电致发光器件4的制备
将应用实施例1中的化合物i-1换成化合物i-22，化合物ii-1换成化合物ii-19，其他步骤相同。
应用实施例5：有机电致发光器件5的制备
将应用实施例1中的化合物i-1换成化合物i-34，化合物ii-1换成化合物ii-27，其他步骤相同。
应用实施例6：有机电致发光器件6的制备
将应用实施例1中的化合物i-1换成化合物i-48，化合物ii-1换成化合物ii-29，其他步骤相同。
对比实施例1：
选取ito玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极基板上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀npb作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体材料cbp与客体材料ir(ppy)3作为发光层，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-1作为电子传输层，蒸镀厚度为35nm。在电子传输层上真空蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.5nm。在电子注入层上真空蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为100nm。
对比实施例2：将对比实施例1中的化合物ii-1换成alq3，其他步骤相同。
本发明应用实施例1－6、对比实施例1以及对比实施例2制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表2所示。
表2
应用实施例7：有机电致发光器件7的制备
选取ito玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀本发明的化合物i-54作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体cbp与客体(piq)2ir(acac)作为发光层，蒸镀厚度为45nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-32作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm。在电子传输层上蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.2nm。在电子注入层上真空蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为100nm。
应用实施例8：有机电致发光器件8的制备
将应用实施例7中的化合物i-54换成化合物i-67，化合物ii-32换成化合物ii-44，其他步骤相同。
应用实施例9：有机电致发光器件9的制备
将应用实施例7中的化合物i-54换成化合物i-74，化合物ii-32换成化合物ii-53，其他步骤相同。
应用实施例10：有机电致发光器件10的制备
将应用实施例7中的化合物i-54换成化合物i-79，化合物ii-32换成化合物ii-81，其他步骤相同。
应用实施例11：有机电致发光器件11的制备
将应用实施例7中的化合物i-54换成化合物i-83，化合物ii-32换成化合物ii-113，其他步骤相同。
对比实施例3：
选取ito玻璃为阳极，超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀npb作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体cbp与客体(piq)2ir(acac)作为发光层，蒸镀厚度为45nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-32作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm。在电子传输层上蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.2nm。在电子注入层上真空蒸镀al作为阴极，蒸镀厚度为100nm。
对比实施例4：
将对比实施例3中的化合物ii-32换成alq3，其他步骤相同。
本发明应用实施例7－11、对比实施例3以及对比实施例4制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表3所示。
表3
从表2、表3中可以看出，含有本发明的空穴传输材料和电子传输材料的有机电致发光器件，具有较低的驱动电压、较高的发光亮度、较高发光效率以及较长的使用寿命。
应用实施例12：有机电致发光器件12的制备
在玻璃基板上，以ito/ag/ito作为阳极，厚度为10nm/100nm/10nm，将阳极基板超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀本发明的化合物i-34作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体化合物iii-2与客体ir(ppy)3作为发光层，蒸镀厚度为45nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-1作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm。在电子传输层上蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.2nm。在电子注入层上真空蒸镀质量比为9:1的mg/ag作为阴极，蒸镀厚度为10nm。在阴极上真空蒸镀本发明的化合物i-3作为光取出层，蒸镀厚度为60nm。
应用实施例13：有机电致发光器件13的制备
将应用实施例12中的化合物i-3换成化合物i-22，其他步骤相同。
应用实施例14：有机电致发光器件14的制备
将应用实施例12中的化合物i-3换成化合物i-48，其他步骤相同。
应用实施例15：有机电致发光器件15的制备
将应用实施例12中的化合物i-3换成化合物i-67，其他步骤相同。
应用实施例16：有机电致发光器件16的制备
将应用实施例12中的化合物i-3换成化合物i-83，其他步骤相同。
对比实施例5：
在玻璃基板上，以ito/ag/ito作为阳极，厚度为10nm/100nm/10nm，将阳极基板超声清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5pa，在上述阳极上真空蒸镀2t-nata作为空穴注入层，蒸镀厚度为10nm。在空穴注入层上真空蒸镀本发明的化合物i-34作为空穴传输层，蒸镀厚度为30nm。在空穴传输层上真空蒸镀质量比为40:2的主体化合物iii-2与客体ir(ppy)3作为发光层，蒸镀厚度为45nm。在发光层上真空蒸镀本发明的化合物ii-1作为电子传输层，蒸镀厚度为40nm。在电子传输层上蒸镀lif作为电子注入层，蒸镀厚度为0.2nm。在电子注入层上真空蒸镀质量比为9:1的mg/ag作为阴极，蒸镀厚度为10nm。
本发明应用实施例12－16以及对比实施例5制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表4所示。
表4
从表4中可以看出，含有本发明的光取出材料的有机电致发光器件，具有较高的发光亮度以及较长的使用寿命。