技术特征：
技术总结
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述半导体器件包括衬底，所述衬底上形成有多个多晶硅栅结构、在所述多个多晶硅栅结构的侧壁形成有侧墙保护结构，该制造方法更包括：通过HARP DEP工艺，形成第一层介电层，所述第一层介电层覆盖所述多晶硅栅结构及所述多晶硅栅结构之间的间隙；通过HDP DEP工艺，在所述第一层介电层上形成的第二层介电层，以使所述第一层介电层和所述第二层介电层共同构成介电层零；以及介电层零化学机械研磨工艺，以解决大线宽处介电层上存在金属残留的问题。
技术研发人员：李昱廷;却玉蓉;刘怡良;龚昌鸿;陈建勋
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.09.12
技术公布日：2019.01.29