技术特征：
技术总结
本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；对第一金属层以及第一透明导电层进行第一次刻蚀，对第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对第一金属层进行第二次刻蚀以露出第二透明电极；对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧沉积第一绝缘层后进行退火处理。该薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。
技术研发人员：叶成枝;李恒滨;操彬彬;栗芳芳;安晖
受保护的技术使用者：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2018.09.29
技术公布日：2019.01.29