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用于测试半导体结构的方法与流程
文档序号:17848175
发布日期:2019-06-11 21:57
阅读:
来源:国知局
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用于测试半导体结构的方法与流程
技术特征:
技术总结
用于测试半导体结构的方法包括在基板的测试区域上方形成介电层。在介电层上形成覆盖层。退火介电层和覆盖层。移除退火的覆盖层。在线测试退火的介电层的铁电性。
技术研发人员:
林铭祥;何嘉政;吕俊颉;彭成毅;张智胜
受保护的技术使用者:
台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日:
2018.10.11
技术公布日:
2019.06.07
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