1.一种衬底基板，其特征在于，包括：
硅基衬底，所述硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构，每个所述凸起结构的侧面与底面存在倾角；
设置在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上的三五族材料层。
2.根据权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，
所述硅基衬底具有所述周期性的凸起结构的表面为硅(111)晶面。
3.根据权利要求2所述的衬底基板，其特征在于，
所述硅基衬底包括：一面具有周期性的凹槽的子硅基衬底；以及设置在所述子硅基衬底具有所述凹槽的一面上的硅中间层，所述硅中间层由所述周期性的凸起结构组成；
其中，每个所述凸起结构位于两个相邻凹槽之间的间隔结构上，每两个相邻的所述凸起结构的侧面邻接。
4.根据权利要求3所述的衬底基板，其特征在于，
所述子硅基衬底具有所述周期性的凹槽的表面为硅(110)晶面。
5.根据权利要求1至4任一所述的衬底基板，其特征在于，所述三五族材料层包括在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上依次叠加设置的三五族材料缓冲层和三五族位错过滤层，所述三五族材料缓冲层用于缓冲所述硅基衬底的晶格失配，所述三五族位错过滤层用于过滤所述硅基衬底的位错。
6.根据权利要求5所述的衬底基板，其特征在于，
所述三五族材料缓冲层包括：
依次叠加设置在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上的alas晶层和gaas晶层。
7.根据权利要求5所述的衬底基板，其特征在于，
所述三五族位错过滤层包括：叠加设置的m个周期的第一量子阱结构层，每个周期的所述第一量子阱结构层包括依次叠加的in0.15ga0.85as晶层和gaas晶层，m为正整数。
8.根据权利要求7所述的衬底基板，其特征在于，所述三五族位错过滤层还包括：叠加在所述m个周期的第一量子阱结构层上的n个周期的第二量子阱结构层以及p个周期的超晶格结构，所述n个周期的第二量子阱结构层叠加设置，所述p个周期的超晶格结构叠加设置，n和p为正整数；
每个周期的所述第二量子阱结构层包括依次叠加的in0.15al0.85as晶层和gaas晶层；
每个周期的所述超晶格结构包括依次叠加的al0.6ga0.4as晶层和gaas晶层。
9.根据权利要求8所述的衬底基板，其特征在于，m＝n＝p＝5。
10.一种硅基衬底，其特征在于，包括：
一面具有周期性的凹槽的子硅基衬底；以及设置在所述凹槽上的硅中间层，所述硅中间层由所述周期性的凸起结构组成；
其中，每个所述凸起结构位于两个相邻凹槽之间的间隔结构上，每两个相邻的所述凸起结构的侧面邻接；
所述硅基衬底具有所述周期性的凸起结构的表面为硅(111)晶面。
11.根据权利要求10所述的硅基衬底，其特征在于，
所述子硅基衬底具有所述周期性的凹槽的表面为硅(110)晶面。
12.一种衬底基板的制造方法，其特征在于，包括：
制造硅基衬底，所述硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构，每个所述凸起结构的侧面与底面存在倾角；
在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料层。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，
所述硅基衬底具有所述周期性的凸起结构的表面为硅(111)晶面。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述制造硅基衬底，包括：
制造一面具有周期性的凹槽的子硅基衬底；
在所述子硅基衬底具有所述凹槽的一面上形成硅中间层，所述硅中间层由所述周期性的凸起结构组成，且每个所述凸起结构位于两个相邻凹槽之间的间隔结构上，每两个相邻的所述凸起结构邻接。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
所述子硅基衬底具有所述周期性的凹槽的表面为硅(110)晶面，
所述制造一面具有周期性的凹槽的子硅基衬底，包括：
提供一硅片，所述硅片的表面为硅(100)晶面；
采用深紫外光刻工艺对所述硅片进行刻蚀，得到所述子硅基衬底。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
所述在所述子硅基衬底具有所述凹槽的一面上形成硅中间层，包括：
采用分子束外延生长技术，在所述子硅基衬底具有所述凹槽的一面上形成硅中间层。
17.根据权利要求12至16任一所述的方法，其特征在于，所述在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料层，包括：采用分子束外延生长技术，在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料层。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，
所述采用分子束外延生长技术，在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料层，包括：
采用分子束外延生长技术，在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料缓冲层；
采用分子束外延生长技术，在所述三五族材料缓冲层上形成三五族位错过滤层；
其中，所述三五族材料缓冲层用于缓冲所述硅基衬底的晶格失配，所述三五族位错过滤层用于过滤所述硅基衬底的位错。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述三五族材料缓冲层包括：alas晶层和gaas晶层，所述gaas晶层包括第一子gaas晶层和第二子gaas晶层；
所述采用分子束外延生长技术，在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上形成三五族材料缓冲层，包括：
采用分子束外延生长技术，在350～400℃下，在所述硅基衬底具有所述凸起结构的一面上生长厚度为5～15nm的alas晶层；
采用分子束外延生长技术，在350～400℃下，在所述alas晶层上生长厚度为20～40nm的所述第一子gaas晶层；
采用分子束外延生长技术，在550～600℃下，在所述第一子gaas晶层上生长厚度为400～600nm的所述第二子gaas晶层。
20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，
所述三五族位错过滤层包括：叠加设置的m个周期的第一量子阱结构层，所述第一量子阱结构层包括依次叠加的in0.15ga0.85as晶层和gaas晶层，m为正整数。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述三五族位错过滤层还包括：叠加在所述m个周期的第一量子阱结构层上的n个周期的第二量子阱结构层以及p个周期的超晶格结构，所述n个周期的第二量子阱结构层叠加设置，所述p个周期的超晶格结构叠加设置，n和p为正整数；
每个周期的所述第二量子阱结构层包括依次叠加的in0.15al0.85as晶层和gaas晶层；
每个周期的所述超晶格结构包括依次叠加的al0.6ga0.4as晶层和gaas晶层。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，m＝n＝p＝5；
所述第一量子阱结构层的生长温度为460～510℃，in0.15ga0.85as晶层和gaas晶层的厚度均为10nm；所述第二量子阱结构层的生长温度为460～510℃，in0.15al0.85as晶层和gaas晶层的厚度均为10nm；所述超晶格结构的生长温度为550～600℃，al0.6ga0.4as晶层和gaas晶层的厚度均为2nm。
23.一种光电器件，其特征在于，包括：权利要求1至9任一所述的衬底基板，以及设置在所述衬底基板上的至少一层光学膜层和/或至少一层电学膜层。
24.根据权利要求23所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为量子点激光器、探测器、放大器、调制器、互补金属氧化物半导体cmos电学器件或波导器件。