一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件的制作方法

本发明涉及发光元件技术领域，特别是涉及一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件。

背景技术：

发光二极管(led，lightemittingdiode)是将电能转化成光能的化合物半导体发光元件。在此，化合物半导体的组成比可以调整，以实现多种颜色。近来，低电压/高功率驱动器件在led背光单元市场变得受欢迎。

目前，发光二极管一般包括衬底层、缓冲层、n型半导体层、多量子阱发光层、p型半导体层。其中，n型半导体层用于提供电子；p型半导体层用于提供空穴，当有电流通过时，n型半导体层提供的电子和p型半导体层提供的空穴进入多量子阱发光层复合发光。

但是，由于电子的移动能力远远高于空穴，因此n型半导体层产生的电子可以快速进入量子阱发光层，多于的电子将从量子阱发光层跃迁至p型半导体层，从而使得电子与空穴发生非辐射复合，影响发光二极管的发光效率。

技术实现要素：

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件。

具体地，本发明一个实施例提出的一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件，包括：

衬底层；

缓冲层，位于所述衬底层上；

n型半导体层，位于所述缓冲层上；

n型掺杂层，位于所述n型半导体层上；

量子阱发光层，位于所述n型掺杂层上；

电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上，所述电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，其中，所述第一电子阻挡层的材料为alx1inyga1-x1-yn，所述第二电子阻挡层的材料为alx2g1-x2n，所述第三电子阻挡层的材料为alx3in1-x3p；

p型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；

p型半导体层，位于所述p型掺杂层上。

在本发明的一个实施例中，0<x1≤0.4，0<y≤0.2。

在本发明的一个实施例中，所述第一电子阻挡层的厚度为100-200nm。

在本发明的一个实施例中，0<x2<0.7。

在本发明的一个实施例中，所述第二电子阻挡层的厚度为60-100nm。

在本发明的一个实施例中，0<x3<0.5。

在本发明的一个实施例中，所述第三电子阻挡层的厚度为20-50nm。

本发明实施例，具备如下优点：

本发明通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，从而能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至p型半导体层，改善发光二极管的发光效率。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为本发明实施例提供的一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件的结构示意图。本发明的实施例提供一种具有电子阻挡能力的半导体发光元件，该半导体发光元件包括：

衬底层11；

具体地，衬底层11的材料可以为蓝宝石、硅、碳化硅、氧化锌、氮化镓、氮化铝或者其它适于晶体外延生长的材料。

缓冲层12，位于衬底层11上；

进一步地，缓冲层12的材料为gan。

本发明实施例通过在衬底层上生长缓冲层12，能够减少缺陷进入至n型半导体层、量子阱发光层和p型半导体层，从而提高发光二极管的发光质量。

n型半导体层13，位于缓冲层12上；

进一步地，n型半导体层13为n-gan层，且n型半导体层13的掺杂元素为si，n型半导体层13的掺杂浓度可以为10¹⁷-10¹⁹cm^-3。

进一步地，n型半导体层13具有一平台，第一电极21形成于n型半导体层13的平台上。

n型掺杂层14，位于n型半导体层13上；

进一步地，n型掺杂层14为n-gan层，且n型掺杂层14的掺杂元素为si；

进一步地，n型掺杂层14的掺杂浓度低于n型半导体层13的掺杂浓度，n型掺杂层14的掺杂浓度为n型半导体层13的掺杂浓度的1/6-1/4；

通过在n型半导体层13上生长一层n型掺杂层14，且n型掺杂层14的掺杂浓度低于n型半导体层13的掺杂浓度，从而能够有效的降低led器件的电压、提高led器件抗静电特性，从而提高led器件的发光效率。

优选地，n型掺杂层14的厚度为200-400nm。

量子阱发光层15，位于n型掺杂层14上；

进一步地，量子阱发光层15为掺铟的氮化镓层；

电子阻挡层16，位于量子阱发光层15上，电子阻挡层16包括依次层叠于量子阱发光层15上的第一电子阻挡层161、第二电子阻挡层162和第三电子阻挡层163，其中，所述第一电子阻挡层161的材料为alx1inyga1-x1-yn，所述第二电子阻挡层162的材料为alx2ga1-x2n，所述第三电子阻挡层163的材料为alx3in1-x3p，其中，0<x1≤0.4，0<y≤0.2，0<x2<0.7，0<x3<0.5。

优选地，第一电子阻挡层161的厚度为100-200nm。

优选地，第二电子阻挡层162的厚度为60-100nm。

优选地，第三电子阻挡层163的厚度为20-50nm。

本发明实施例通过在p型掺杂层17与量子阱发光层15之间设置电子阻挡层，其中，第一电子阻挡层161的材料为alx1inyga1-x1-yn，第二电子阻挡层162的材料为alx2ga1-x2n，第三电子阻挡层163的材料为alx3in1-x3p，由于铝的势垒较高，从而可以使得第一电子阻挡层161、第二电子阻挡层162和第三电子阻挡层163有效地阻止n型半导体层13产生的电子进入到p型半导体层18中，从而避免了电子与空穴在p型半导体层18中发生非辐射复合，改善发光二极管的发光效率；并且通过第一电子阻挡层161、第二电子阻挡层162和第三电子阻挡层163可以增大与量子阱发光层15之间的禁带宽度，从而可以增强对电子的限制作用，进一步减少了电子进入到p型半导体层18中的数量，从而进一步提高了发光效率。

p型掺杂层17，位于电子阻挡层16上；

进一步地，p型掺杂层17为algan层，p型掺杂层17的掺杂元素为mg；

进一步地，p型掺杂层17的掺杂浓度高于p型半导体层18的掺杂浓度，p型半导体层18的掺杂浓度为p型掺杂层17的掺杂浓度的1/5-1/3；

由于电子的移动能力远远高于空穴，因此n型半导体层13产生的电子可以快速进入量子阱发光层15，通过增加p型掺杂层17，且将p型掺杂层17的掺杂浓度设置为高于p型半导体层18的掺杂浓度，可以提高p型半导体层18产生的空穴注入量子阱发光层15中的能力，从而避免量子阱发光层15的电子过多，影响发光效率和发光质量，并且通过电子阻挡层16的配合可以降低多于的电子从量子阱发光层15中跃迁至p型半导体层18中，影响发光质量。

p型半导体层18，位于所述p型掺杂层17上。

进一步地，p型半导体层18为p-gan层，且p型半导体层18的掺杂元素为mg，p型半导体层18的掺杂浓度为10¹⁶-5×10¹⁶cm^-3。

在p型半导体层18上还生长有一层透明导电层19，在透明导电层19上还生长有一层第二电极。于n型半导体层13暴露出的平台上形成第一电极21，于p型半导体层18上形成第二电极20，第一电极21和第二电极20的材料可以为钛、铝、钛或金，当通过第一电极21和第二电极20向量子阱发光层15注入电流时，来自n型半导体层13的电子与来自于p型半导体层18的空穴会在量子阱发光层15内结合，以使量子阱发光层15产生光。

本发明实施例通过在量子阱发光层依次层叠第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层，从而能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至p型半导体层，改善发光二极管的发光效率。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。