技术特征：
技术总结
本发明提供了一种多层MOS器件及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供n层MOS器件，n为大于0的自然数，在n层MOS器件上形成半导体层，并在半导体层上依次形成栅氧层和假栅，至少部分栅氧层位于假栅与半导体层之间；S2，在对应假栅两侧的半导体层中形成金属硅化物层，将金属硅化物层作为金属化源漏区或对金属硅化物层进行掺杂形成金属化源漏区，得到第n+1层MOS器件；S3，将第n层MOS器件与第n+1层MOS器件金属互连。上述制备方法降低了常规工艺对掺杂激活温度的需求，降低了杂质激活不充分所带来的寄生和接触电阻增大对器件的不利影响，改进了现有单芯片三维集成的工艺缺陷，提高了多层MOS器件的性能。
技术研发人员：殷华湘;张青竹;林翔
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.12.29
技术公布日：2019.05.31