1.一种功率半导体分立器件散热结构，所述功率半导体分立器件包括封装在绝缘外壳内的芯片以及焊接到所述芯片的铜框架，且所述铜框架露出于所述绝缘外壳的底部，其特征在于，所述散热结构包括散热器和陶瓷基片；所述陶瓷基片的上表面具有第一金属层、下表面具有第二金属层，且所述第一金属层和第二金属层相互绝缘；所述功率半导体分立器件的铜框架焊接到所述陶瓷基片的第一金属层，所述散热器焊接到所述陶瓷基片的第二金属层。
2.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层为覆铜。
3.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层分别键合在所述陶瓷基片的上表面和下表面。
4.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述功率半导体分立器件的铜框架与所述陶瓷基片的第一金属层之间通过钎焊方式焊接，所述散热器与所述陶瓷基片的第二金属层之间通过钎焊方式焊接。
5.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述第一金属层的面积小于所述陶瓷基片上表面的面积并大于所述铜框架露出绝缘外壳的面积。
6.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述第二金属层的面积小于所述陶瓷基片下表面的面积。
7.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述散热器包括散热基板以及位于散热基板一侧的散热齿片，所述散热器的散热基板焊接在第二金属层上。
8.根据权利要求1所述的功率半导体分立器件散热结构，其特征在于，所述陶瓷基片的厚度小于或等于1mm。
9.一种电气装置，包括至少一个功率半导体分立器件，其特征在于，所述电气装置还包括如权利要求1-8中任一项所述的功率半导体分立器件散热结构。