技术总结
本实用新型提供了一种功率半导体分立器件散热结构及电气装置，所述功率半导体分立器件包括封装在绝缘外壳内的芯片以及焊接到所述芯片的铜框架，且所述铜框架露出于所述绝缘外壳的底部，其特征在于，所述散热结构包括散热器和陶瓷基片；所述陶瓷基片的上表面具有第一金属层、下表面具有第二金属层，且所述第一金属层和第二金属层相互绝缘；所述功率半导体分立器件的铜框架焊接到所述陶瓷基片的第一金属层，所述散热器焊接到所述陶瓷基片的第二金属层。本实用新型通过将功率半导体分立器件的铜框架焊接到陶瓷基片上表面的第一金属层，同时将散热器焊接到陶瓷基片下表面的第二金属层，可大大简化功率半导体分立器件散热结构，并提高散热效率。
技术研发人员：肖齐
受保护的技术使用者：苏州汇川联合动力系统有限公司
技术研发日：2018.03.14
技术公布日：2018.10.30