专利名称：一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体分立器件测试系统领域，具体地，涉及一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置。
背景技术：
在半导体分立器件测试系统中，需要对分立器件进行电压测试；一般地，电压测试量程需达到2000V。但是，如果利用常规电压表(参见图1)对分立器件进行电压测试，则至少存在如下缺陷:一方面，常规高压表的电压精度较低(一般为3% );另一方面,常规高压表的价格
曰虫印贝ο在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术中至少存在测试精度低、可靠性差和成本闻等缺陷。
发明内容本实用新型的目的在于，针对上述问题，提出一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中: 所述待测量半导体分立器件Ql的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻Rl连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的OV电压端。进一步地，所述电流测量电路的量程，主要包括200uA、20uA、2uA和200nA ;相应地，所述电阻Rl的阻值范围为10 5ΜΩ。进一步地，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA，电阻Rl的阻值为IOM Ω。进一步地，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA，电阻Rl的阻值为5ΜΩ。本实用新型各实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，由于包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻Rl，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Ql ;待测量半导体分立器件Ql的电压测试端，与高压源连接，并经过电阻Rl连接至电流测试电路的输入端；电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的OV电压端；可以利用半导体分立器件测试系统中已经存在的电流测量电路，以降低成本、并提高测量精度；从而可以克服现有技术中测试精度低、可靠性差和成本高的缺陷，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。[0012]本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。下面通过附图和实施例，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中:图1为常规高压表的工作原理示意图；图2为本实用新型基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置的工作原理示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。根据本实用新型实施例，提供了一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置。如图2所示，本实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻Rl,以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中:待测量半导体分立器件Ql的电压测试端，与高压源连接，并经过电阻Rl连接至电流测试电路的输入端；电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的OV电压端。这里，虚地是深度电压并联负反馈放大器的重要特点；是指集成运放的反相输入端为虚地点，即电压u_ = O。在上述实施例中，电流测量电路的量程，可以包括200uA、20uA、2uA和200nA ;相应地，电阻Rl的阻值范围可以为1 0 5ΜΩ。例如，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA，电阻Rl的阻值为IOM Ω。又如，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA，电阻Rl的阻值为5ΜΩ。也就是说，电流测量电路有200uA/20uA/2uA/200nA几个量程，选取IOM电阻Rl时，当电压为2000V，对应200uA。即能最大限度保证精度，也使电阻Rl上的功率不至于过高。当最高电压为1000V时，可将电阻Rl的阻值降到5M，以此类推。一般地，电阻Rl的阻值可以选取10M，主要是和现有的电流测量电流相配套。上述实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，能够应用于半导体分立器件测试系统中，利用高压电阻实现高压测试。具体地:在半导体分立器件测试系统中，已经存在一个电流测量电路，该电流测量电路的输入点通过“虚地”技术可保证为OV电压。利用半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，将待测点通过一个大阻值的电阻Rl接入电流测量电路，因电流测量电路的输入点电压为0V，高压源会输出一个电流进入电流测量电路，通过测量该电流值，电流值乘以电阻值(I*R)可获取电压V值。如果电阻Rl的精度为2%%，电流测量电路的精度为0.5%，则可保证的高压测量精度为0.1%。[0025]综上所述，本实用新型上述各实施例的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，使用了半导体分立器件测试系统中已经存在的电流测量电路，既降低了成本，又提高了测量精度。最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中: 所述待测量半导体分立器件Ql的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻Rl连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的OV电压端。
2.根据权利要求1所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，所述电流测量电路的量程，主要包括200uA、20uA、2uA和200nA ;相应地，所述电阻Rl的阻值范围为10 5ΜΩ。
3.根据权利要求2所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为2000V时，电流测量电路的量程选择200uA,电阻Rl的阻值为IOM Ω。
4.根据权利要求2所述的基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，其特征在于，当待测量半导体分立器件Ql的最高测试电压为1000V时，电流测量电路的量程选择200nA,电阻Rl的阻值 为5ΜΩ。
专利摘要本实用新型公开了一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，包括高压源，半导体分立器件测试系统中的电流测量电路，阻值与电流测量电路的量程相匹配的电阻R1，以及半导体分立器件测试系统中待测量半导体分立器件Q1，其中所述待测量半导体分立器件Q1的电压测试端，与所述高压源连接，并经过所述电阻R1连接至电流测试电路的输入端；所述电流测试电路的输入端，为通过虚地技术设置的0V电压端。本实用新型所述基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置，可以克服现有技术中测试精度低、可靠性差和成本高等缺陷，以实现测试精度高、可靠性好和成本低的优点。
文档编号G01R31/26GK203084059SQ20132004965
公开日2013年7月24日 申请日期2013年1月30日 优先权日2013年1月30日
发明者杨良春 申请人:北京信诺达泰思特科技股份有限公司