专利名称：分立半导体贴片超薄整流器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及桥式整流器，具体涉及的是一种含有共N型及共P型的双二极体晶粒的分立半导体贴片超薄整流器。
背景技术：
半导体桥式整流器是利用二极管的单向导通性进行整流的最常用的电子元器件， 常用来将交流电转变为直流电；半波整流利用二极管单向导通特性，在输入为标准正弦波的情况下，输出获得正弦波的正半部分，负半部分则损失掉。桥式整流器利用四个二极管， 两两对接，输入正弦波的正半部分是两只管导通，得到正的输出；输入正弦波的负半部分时，另两只管导通，由于这两只管是反接的，所以输出还是得到正弦波的正半部分；而桥式整流是对二极管半波整流的一种改进，桥式整流器对输入正弦波的利用效率比半波整流高一倍。随着国内市场对半导体整流器的大量需求，客户对其封装尺寸要求也越来越小， 如何使得半导体封装更显缩小，并且应用将朝高频、高速、大功率、大电流、低功耗、低成本、 高可靠及微型化等方面快速发展，还有待进一步开发研究。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种全新结构的分立半导体贴片超薄整流器，其电路简单且外型尺寸具有极小化，特别是该整流器厚度超薄。本实用新型的技术方案是为了使得半导体整流器更薄更小，必须要对其内部的电路进行改进；分立半导体贴片超薄整流器，包括一共N型的双二极体晶粒及一共P型的双二极体晶粒，其特征在于该共N型晶粒的P型区与共P型晶粒的相对应的N型区连接到第一组导线架的一端子电极上；共N型晶粒的另一 P型区则与共P型晶粒的另一 N型区连接到所述第一组导线架的另一端子电极上；并且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接到第二组导线架的两端子电极上，从而构成了一分立半导体贴片超薄整流器。本实用新型的有益效果在于通过本实用新型内部电路合理的设计，其电路简单， 外型尺寸极小，厚度超薄的全新结构；并且与现有技术的整流器相比，其性能更加稳定的特点ο
以下结合附图对本实用新型进行详细的说明；
图1及图2为本实用新型的超薄整流器的电路示意图；图3为本实用新型的超薄整流器的结构图；图4为本实用新型的超薄整流器的封装示意具体实施方式
[0012]如图1至图4所示，分立半导体贴片超薄整流器，包括一共N型的双二极体晶粒3 及一共P型的双二极体晶粒4，所述该共N型的双二极体晶粒3的P型区与共P型的双二极体晶粒4的相对应的N型区连接到第一组导线架2的一端子电极21上；共N型的双二极体晶粒3的另一 P型区则与共P型的双二极体晶粒4的另一 N型区连接到所述第一组导线架 2的另一端子电极22上；并且共N型的双二极体晶粒3的N型区与共P型的双二极体晶粒4的P型区则分别连接到第二组导线架1的两端子电极(11、12)上，从而构成了一分立半导体贴片超薄整流器。在目前市场上用的同类整流器中，其0. 5 0. 8A/NBS厚度为2. 5mm士0. 2mm ;1 1. 5A/DB/DBS 厚度为3. 3mm+0. lmm/-0. 15mm ；1 1. 5A/DF/DFS 厚度为2. 5mm士0. 2mm ；而本实用新型贴片整流器的UBS/UBA厚度为1. 4mm+0/-0. 2mm ；其贴片焊点高度为1. 2mm士0. 1mm，并且引线切断脚后短茬为0. 5 0. 2A mm。本实用新型可直接贴片于PCB板表面，其外形尺寸较小，并不占用更多的PCB板布线空间，通过该整流器内部电路图的优化设计，从而使得本实用新型整流器在厚度设计较薄的同时，其性能更加稳定。
权利要求1.分立半导体贴片超薄整流器，包括一共N型的双二极体晶粒及一共P型的双二极体晶粒，其特征在于该共N型晶粒的P型区与共P型晶粒的相对应的N型区连接到第一组导线架的一端子电极上；共N型晶粒的另一 P型区则与共P型晶粒的另一 N型区连接到所述第一组导线架的另一端子电极上；并且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接到第二组导线架的两端子电极上，从而构成了一分立半导体贴片超薄整流器。
专利摘要分立半导体贴片超薄整流器，包括一共N型的双二极体晶粒及一共P型的双二极体晶粒，该共N型晶粒的P型区与共P型晶粒的相对应的N型区连接到第一组导线架的一端子电极上；共N型晶粒的另一P型区则与共P型晶粒的另一N型区连接到所述第一组导线架的另一端子电极上；并且共N型晶粒的N型区与共P型晶粒的P型区则分别连接到第二组导线架的两端子电极上，从而构成了一分立半导体贴片超薄整流器；通过本实用新型内部电路合理的设计，其电路简单，外型尺寸极小，厚度超薄的全新结构；并且与现有技术的整流器相比，具有性能更加稳定的特点。
文档编号H01L23/31GK202003991SQ20112000602
公开日2011年10月5日 申请日期2011年1月6日 优先权日2011年1月6日
发明者陈荣红 申请人:陈荣红