1.一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：包括：芯片本体（1）、凹槽（2）、封盖（3）、散热片（4）、封装体（5）、弹性凸点（6）、第一引脚（7）、第二引脚（8）和底框（9）；
所述封装体（5）内设有一凹槽（2），凹槽（2）内放置有芯片本体（1），芯片本体（1）的两侧连接有弹性凸点（6），两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚（7），第一引脚（7）延伸至封装体（5）底部的底框（9）内部，第一引脚（7）底部还连接第二引脚（8）；
所述凹槽（2）上方还设有相适配的封盖（3），封盖（3）的两侧面开设有与第一引脚（7）的宽度相匹配的通孔，封盖（3）的外侧上方对称设有连接至封装体（5）顶部的散热片（4），凹槽（2）的下方对称设有连接至封装体（5）底部的散热片（4），所述散热片（4）为矩形。
2.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述散热片（4）上还均匀设置有散热孔（12），所述散热孔（12）的数量至少为三个。
3.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述封盖（3）和凹槽（2）采用的材质为铜。
4.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述封装体（5）壳体内的两个侧壁上还贴设有石墨导热片（11），所述石墨导热片（11）与凹槽（2）之间还设有间隙，该间隙内填充有绝缘胶层（10）。
5.如权利要求4所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述石墨导热片（11）对应的封装体（5）壳体外的侧壁上还均匀设有圆孔。
6.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述弹性凸点（6）与芯片本体（1）采用焊接连接。