技术总结
本实用新型公开了一种大功率肖特基二极管的结构，包括：芯片本体、凹槽、封盖、散热片、封装体、弹性凸点、第一引脚、第二引脚和底框；所述封装体内设有一凹槽，凹槽内放置有芯片本体，芯片本体的两侧连接有弹性凸点，两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚，第一引脚延伸至封装体底部的底框内部，第一引脚底部还连接第二引脚；通过本实用新型，芯片本体产生的热量不仅可以传导至封装体外壳的上下面，同时还能传导至封装体外壳的左右面，达到热量向四周传播散失的目的，最大程度的将热量及时传导出去，提高了散热效率，保证了肖特基二极管的正常运行，提高二极管使用的稳定性；同时本装置结构简单，重量轻便，工艺实施简便，适用于批量成产。
技术研发人员：宋伟;向奕璇;黄义军
受保护的技术使用者：成都航域卓越电子技术有限公司
技术研发日：2018.07.23
技术公布日：2019.01.11