1.一种芯片散热结构，设置在芯片上，其特征在于，所述芯片散热结构包括：覆盖在所述芯片的晶圆上的镀层；
其中，所述镀层包括依次设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层。
2.根据权利要求1所述的芯片散热结构，其特征在于，所述芯片散热结构还包括：与所述镀层连接的散热器。
3.根据权利要求1所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第一金属层覆盖在所述晶圆上，所述第二金属层覆盖在所述第一金属层上，所述第三金属层覆盖在所述第二金属层上。
4.根据权利要求1所述的芯片散热结构，其特征在于，所述芯片包括所述晶圆和塑封结构，所述晶圆的上表面裸露。
5.根据权利要求1所述的芯片散热结构，其特征在于，所述镀层的面积与所述晶圆的上表面的面积相同。
6.根据权利要求1-5任一项所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第一金属层为钛金属层。
7.根据权利要求6所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为1000埃。
8.根据权利要求1-5任一项所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第二金属层为镍钒合金金属层。
9.根据权利要求8所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第二金属层的厚度为3500埃。
10.根据权利要求1-5任一项所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第三金属层由金制成的。
11.根据权利要求10所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第三金属层的厚度为1000埃。
12.根据权利要求1-5任一项所述的芯片散热结构，其特征在于，所述第一金属层的面积、所述第二金属层的面积和所述第三金属层的面积三者相同。
13.根据权利要求2所述的芯片散热结构，其特征在于，所述散热器通过焊料层焊接在所述镀层上。
14.根据权利要求13所述的芯片散热结构，其特征在于，所述焊料层中的焊料为锡。
15.根据权利要求14所述的芯片散热结构，其特征在于，所述焊料层的厚度为0.1-0.15毫米。
16.根据权利要求13所述的芯片散热结构，其特征在于，所述焊料层的面积与所述镀层的面积相同，或者，所述焊料层的面积与所述散热器的下表面的面积相同。
17.根据权利要求4所述的芯片散热结构，其特征在于，所述镀层的上表面与所述塑封结构的上表面齐平，或者，所述镀层的下表面与所述塑封结构的上表面齐平。
18.一种芯片结构，其特征在于，包括芯片本体以及设置在所述芯片本体上的如权利要求1-17任一项所述的芯片散热结构。
19.一种电路板，其特征在于，所述电路板上设置有至少一个如权利要求18所述的芯片结构。
20.一种超算设备，其特征在于，所述超算设备中设置有至少一个如权利要求19所述的电路板。