一种抗振动的贴片式二极管的制作方法

本实用新型涉及贴片式二极管，具体公开了一种抗振动的贴片式二极管。

背景技术：

贴片式二极管，简称二极管，是一种能够单向传导电流的电子器件，在二极管内部设有PN结，PN结的两端设有引线端子，如果按照外加电压的方向，则具备电流的单向传导性。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。

贴片式二极管主要包括二极管芯片、导电支架和封装体，封装体用于保护二极管芯片，导电支架用于连接二极管芯片，并将其导电端延伸至封装体外。使用时，导电支架与所应用产品上的基板连接，一旦发生振动，振动力会直接通过导电支架传递到贴片式二极管上，从而很可能导致贴片式二极管因振动而发生脱落，影响产品的正常使用。

技术实现要素：

基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种抗振动的贴片式二极管，具有良好的抗振性能，可有效避免贴片式二极管脱落。

为解决现有技术问题，本实用新型公开一种抗振动的贴片式二极管，包括两个间隔设置的U形导电支架，两个U形导电支架上共同连接有一个二极管芯片；U形导电支架包括焊接平台依次连接的焊接平台、弯曲部和引脚片，二极管芯片通过焊接层与焊接平台连接；二极管芯片外包覆有绝缘封装体，焊接平台位于绝缘封体内，弯曲部位于绝缘封装体的侧面外，引脚片位于绝缘封装体的底部下方，引脚片与绝缘封装体的底部之间设有间距。

进一步的，弯曲部远离二极管芯片的侧面上覆盖有绝缘隔离层。

进一步的，引脚片的底面覆盖有银浆导电层。

进一步的，绝缘封装体为环氧树脂黑胶体。

进一步的，绝缘封装体上设有若干散热凹槽。

进一步的，绝缘封装体的底部与引脚片之间连接有缓冲连接块。

进一步的，缓冲连接块为硅橡胶块。

本实用新型的有益效果为：本实用新型公开一种抗振动的贴片式二极管，设置导电支架具有特殊的抗振结构，能够有效提高贴片式二极管应用连接时的稳定性，确保贴片式二极管与所应用产品基板之间的连接关系具有良好的抗振性能，可有效避免贴片式二极管因振动而发生脱落，且抗振结构不会对贴片式二极管本身的结构造成损伤。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

附图标记为：U形导电支架10、焊接平台11、弯曲部12、绝缘隔离层121、引脚片13、银浆导电层131、二极管芯片20、焊接层21、绝缘封装体30、散热凹槽31、缓冲连接块40。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

参考图1。

本实用新型实施例公开一种抗振动的贴片式二极管，包括两个间隔设置的U形导电支架10，两个U形支架10侧倒设置，两个U形支架10的开口相对设置，两个U形导电支架10上共同连接有一个二极管芯片20；U形导电支架10包括焊接平台11依次连接的焊接平台11、弯曲部12和引脚片13，二极管芯片20通过焊接层21与焊接平台11连接；二极管芯片20外包覆有绝缘封装体30，焊接平台11位于绝缘封体30内，弯曲部12位于绝缘封装体30的侧面外，引脚片13位于绝缘封装体30的底部下方，引脚片13与绝缘封装体30的底部之间设有间距。发生振动时，电路板等基板的振动力直接作用于引脚片13上，振动力会导致弯曲部12会发生形变，从而消耗大部分振动力，可以起到有效缓冲的作用，弯曲部12弯曲时，不会受绝缘封装体30阻挡，也不会对绝缘封装体30的结构造成影响，能够有效确保二极管整体的结构稳定可靠。

本实用新型设置导电支架具有特殊的抗振结构，能够有效提高贴片式二极管应用连接时的稳定性，确保贴片式二极管与所应用产品基板之间的连接关系具有良好的抗振性能，可有效避免贴片式二极管因振动而发生脱落，且抗振结构不会对贴片式二极管本身的结构造成损伤。

在本实施例中，弯曲部12远离二极管芯片20的侧面上覆盖有绝缘隔离层121，优选地，绝缘隔离层121为绝缘橡胶层，能够有效防止弯曲部12与所应用产品中的其他电元件发生接触而导致短路，可有效确保二极管工作的可靠性。

在本实施例中，引脚片13的底面覆盖有银浆导电层131，银具有良好的导电性能和导热性能，能够有效确保引脚片13与所应用产品之间的连接关系。

在本实施例中，绝缘封装体30为环氧树脂黑胶体。

基于上述实施例，绝缘封装体30上设有若干散热凹槽31，散热凹槽31能有效提高二极管整体的散热效率，可有效避免热量积聚于二极管芯片20而影响其工作性能。

在本实施例中，绝缘封装体30的底部与引脚片13之间连接有缓冲连接块40，能够有效提高U形导电支架10结构的稳定性，可有效避免弯曲部12发生过度应变而影响其正常的缓冲性能。

基于上述实施例，缓冲连接块40为硅橡胶块。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。