发光元件的制作方法

本发明涉及发光元件。

背景技术：

发光元件用于各种用途。根据用途的不同，要求具有发光元件的侧方的光强度高的配光特性。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5633477号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

本发明提供一种具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，发光元件包含：基板，具有第1面；第1半导体层叠体，包含第1发光层，且设置在所述第1面的第1区域；和第2半导体层叠体，包含第2发光层，且设置在所述第1面的第2区域。所述第1半导体层叠体包含：第1侧面；和第2侧面，位于所述第1半导体层叠体的第1侧面的相反侧。所述第2半导体层叠体包含：第1侧面，与所述第1半导体层叠体的第2侧面对置，且处于靠近所述第1半导体层叠体的一侧；和第2侧面，位于所述第2半导体层叠体的第1侧面的相反侧，且处于远离所述第1半导体层叠体的一侧。所述第1半导体层叠体的第1侧面与所述第1区域之间的第1角度比所述第1半导体层叠体的第2侧面与所述第1区域之间的第2角度小。所述第2半导体层叠体的第2侧面与所述第2区域之间的第4角度比所述第2半导体层叠体的第1侧面与所述第2区域之间的第3角度小。

发明效果

根据本发明的一个方式，提供一种具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件。

附图说明

图1是例示第1实施方式所涉及的发光元件的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式所涉及的发光元件的示意性俯视图。

图3a是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

图3b是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

图3c是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

图3d是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

图4是例示第1实施方式所涉及的另一发光元件的示意性剖视图。

图5是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

图6是例示第2实施方式所涉及的发光元件的示意性俯视图。

图7是例示第2实施方式所涉及的发光元件的示意性剖视图。

图8是例示第2实施方式所涉及的发光元件的示意性剖视图。

图9是例示使用了实施方式所涉及的发光元件的照明装置的示意性剖视图。

附图标记说明

10a～10d：第1～第4半导体层叠体，11a～11d：n形半导体层，11a：第1部分区域，11b：第2部分区域，12a～12d：p形半导体层，12ae、12be、12ce、12de：第1～第4导电膜，13a～13d：第1～第4发光层，31：第1反射层，31a：第1膜，31b：第2膜，32：第2反射层，32c：第3膜，32d：第4膜，35、36：绝缘层，40、40a：连接构件，41～44：第1～第4导电构件，41e、42e、43e：第1、第2、第3电极，50：基板，50e：外缘，50a：第1面，50b：第2面，θ1～θ8：第1～第8角度，110、111、120：发光元件，111l：光，211：安装基板，211a：主面，212：反射体，212l：光，213：扩散板，214：荧光体片，215：第1棱镜，216：第2棱镜，217：偏振膜，310：照明装置，ar：箭头，d1：距离，r1～r4：第1～第4区域，rs：外周区域，rs0：中间区域，rs1：第1外周区域，rs2：第2外周区域，s1～s4：第1～第4侧面。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。

另外，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不限于一定与实际相同。此外，即使在表示相同部分的情况下，也存在相互的尺寸、比率因附图的不同而表示不同的情况。

另外，在本申请说明书中，对于已说明的图，对与上述相同的要素标注相同的附图标记并适当省略详细的说明。

(第1实施方式)

图1是例示第1实施方式所涉及的发光元件的示意性剖视图。

图2是例示第1实施方式所涉及的发光元件的示意性俯视图。

图1是图2的i-i线剖视图。图2是从图1的箭头ar观察的俯视图。在图2中，为了便于图的观察，省略一部分的要素进行描述。

如图1以及图2所示，实施方式所涉及的发光元件110包含：基板50、第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b。

如图1所示，基板50具有第1面50a以及第2面50b。第2面50b是第1面50a的相反侧的面。第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b设置在第1面50a。在该例子中，基板50的第1面50a以及第2面50b为大致正方形状。在基板50为大致正方形状的情况下，能够使一边的长度为300μm以上且3000μm以下左右，优选为500μm以上且1500μm以下左右。

将与第1面50a垂直的方向设为z轴方向。将与z轴方向垂直的一个方向设为x轴方向。将与z轴方向以及x轴方向垂直的方向设为y轴方向。

例如，将从第1半导体层叠体10a朝向第2半导体层叠体10b的方向设为x轴方向。

如图1所示，第1面50a包含第1区域r1以及第2区域r2。在该例子中，从第1区域r1朝向第2区域r2的方向沿着x轴方向。

第1半导体层叠体10a设置在第1区域r1。第2半导体层叠体10b设置在第2区域r2。第1面50a中的、设置第1半导体层叠体10a的区域与第1区域r1对应。第1面50a中的、设置第2半导体层叠体10b的区域与第2区域r2对应。

第1半导体层叠体10a例如包含第1发光层13a、n形半导体层11a以及p形半导体层12a。n形半导体层11a包含第1部分区域11a以及第2部分区域11b。例如，在第1半导体层叠体10a中，在p形半导体层12a与第1区域r1之间设置第1发光层13a。在第1发光层13a与第1区域r1之间设置第2部分区域11b。第1部分区域11a在z轴方向上不与p形半导体层12a以及第1发光层13a重叠。

第2半导体层叠体10b例如包含第2发光层13b、n形半导体层11b以及p形半导体层12b。n形半导体层11b还包含第1部分区域11a以及第2部分区域11b。例如，在第2半导体层叠体10b中，在p形半导体层12b与第2区域r2之间设置第2发光层13b。在第2发光层13b与第2区域r2之间设置第2部分区域11b。第1部分区域11a在z轴方向上不与p形半导体层12b以及第2发光层13b重叠。

这些半导体层例如包含氮化物半导体等。发光层例如包含氮化物半导体等。在氮化物半导体中例如包含inxalyga1-x-yn(0≤x、0≤y、x+y＜1)。

在该例子中，在p形半导体层12a设置有第1导电膜12ae。另一方面，在p形半导体层12b设置有第2导电膜12be。这些导电膜例如包含具有高反射率的金属。可得到高的反射率。在导电膜中例如使用al或者ag等。

在该例子中，在第1半导体层叠体10a的第1部分区域11a电连接第1导电构件41。第1导电构件41与第1电极41e电连接。

在与p形半导体层12a电连接的第1导电膜12ae电连接连接构件40的一端。连接构件40的另一端与第2半导体层叠体10b的n形半导体层11b的第1部分区域11a电连接。

在与第2半导体层叠体10b的p形半导体层12b电连接的导电膜12be电连接第2导电构件42。第2导电构件42与第2电极42e电连接。

在上述的导电性的构件之间设置有绝缘层35以及绝缘层36。进而，绝缘层35覆盖除电极之外的部分。这些绝缘层例如包含氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的至少任一种。在该例子中，设置有第1反射层31。第1反射层31设置在半导体层叠体的侧面等。第1反射层31例如为绝缘性。第1反射层31的例子后述。

第1半导体层叠体10a与第2半导体层叠体10b相互串联地连接。例如，在第1电极41e以及第2电极42e之间施加电压。在各个半导体层叠体流过电流，从各个发光层放出光。半导体层叠体例如为led。

如图1以及图2所示，第1半导体层叠体10a包含第1～第4侧面s1～s4。这些侧面与x-y平面交叉。第2侧面s2位于第1半导体层叠体10a的第1侧面s1的相反侧。第4侧面s4位于第1半导体层叠体10a的第3侧面s3的相反侧。

同样，第2半导体层叠体10b包含第1～第4侧面s1～s4。这些侧面与x-y平面交叉。第2半导体层叠体10b的第2侧面s2位于第2半导体层叠体10b的第1侧面s1的相反侧。第2半导体层叠体10b的第4侧面s4位于第2半导体层叠体10b的第3侧面s3的相反侧。

如图2所示，在第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b中，例如，第1侧面s1以及第2侧面s2沿着y轴方向延伸。例如，第1侧面s1以及第2侧面s2与x轴方向交叉。例如，从第1侧面s1朝向第2侧面s2的方向沿着x轴方向。例如，第3侧面s3以及第4侧面s4沿着x轴方向延伸。第3侧面s3以及第4侧面s4与y轴方向交叉。例如，从第3侧面s3朝向第4侧面s4的方向沿着y轴方向。

第2半导体层叠体10b的第1侧面s1与第1半导体层叠体10a的第2侧面s2对置，且处于靠近第1半导体层叠体10a的一侧。第2半导体层叠体10b的第2侧面s2位于第2半导体层叠体10b的第1侧面s1的相反侧，且处于远离第1半导体层叠体10a的一侧。

例如，第2半导体层叠体10b的第1侧面s1与第1半导体层叠体10a(例如，第1半导体层叠体10a的第2侧面s2)之间的距离比第2半导体层叠体10b的第2侧面s2与第1半导体层叠体10a(例如，第1半导体层叠体10a的第2侧面s2)之间的距离短。

例如，在第1半导体层叠体10a的第1侧面s1与第2半导体层叠体10b的第2侧面s2之间存在第1半导体层叠体10a的第2侧面s2。在第1半导体层叠体10a的第2侧面s2与第2半导体层叠体10b的第2侧面s2之间存在第2半导体层叠体10b的第1侧面s1。

如图1所示，将第1半导体层叠体10a的第1侧面s1与第1区域r1之间的角度设为第1角度θ1。将第1半导体层叠体10a的第2侧面s2与第1区域r1之间的角度设为第2角度θ2。在实施方式中，第1角度θ1比第2角度θ2小。

将第2半导体层叠体10b的第1侧面s1与第2半导体层叠体10b的第2区域r2之间的角度设为第3角度θ3。将第2半导体层叠体10b的第2侧面s2与第2半导体层叠体10b的第2区域r2之间的角度设为第4角度θ4。在实施方式中，第4角度θ4比第3角度θ3小。

通过具有这样的角度的半导体层叠体的侧面，如以下说明的那样，能够提供一种具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件。

以下，首先，对不设置第1反射层31的情况进行说明。在该情况下，在半导体层叠体的侧面设置树脂等密封构件。或者，也可以在侧面存在空气。例如，从第1发光层13a放出的光在半导体层叠体以及基板50等中传播，并到达第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b的第1侧面s1以及第2侧面s2。此时，例如，会发生因半导体层叠体(例如gan等)的高折射率与半导体层叠体的外部(例如，树脂或者空气等)的低折射率的差所导致的反射(例如全反射)。

在实施方式中，第1半导体层叠体10a的第1侧面s1的第1角度θ1小。由此，例如，来自发光层的光在第1半导体层叠体10a的第1侧面s1反射后，容易向侧方出射。另一方面，第1半导体层叠体10a的第2侧面s2的第2角度θ2大。由此，来自发光层的光在第1半导体层叠体10a的第2侧面s2反射，并在基板50的第2面50b等反射，从而到达基板50的侧面。

第2半导体层叠体10b的第2侧面s2的第4角度θ4小。由此，例如，光在第2半导体层叠体10b的第2侧面s2反射后，容易向侧方出射。另一方面，第2半导体层叠体10b的第1侧面s1的第3角度θ3大。由此，来自发光层的光在第2半导体层叠体10b的第1侧面s1反射，并在基板50的第2面50b等反射，从而到达基板50的侧面。

在实施方式中，往第1半导体层叠体10a的第2侧面s2以及第2半导体层叠体10b的第1侧面s1去的光容易朝向半导体层叠体的其他侧面反射。进而，往第1半导体层叠体10a的第1侧面s1以及第2半导体层叠体10b的第2侧面s2去的光容易向侧方出射。因此，在发光元件110中，可得到侧方的光强度高的配光特性。

在实施方式中，第1半导体层叠体10a的第3侧面s3与第1区域r1之间的角度可以比第1半导体层叠体10a的第2侧面s2与第1区域r1之间的第2角度θ2小。第1半导体层叠体10a的第4侧面s4与第1区域r1之间的角度可以比第2角度θ2小。第2半导体层叠体10b的第3侧面s3与第2区域r2之间的角度可以比第2半导体层叠体10b的第1侧面s1与第2区域r2之间的第3角度θ3小。第2半导体层叠体10b的第4侧面s4与第2区域r2之间的角度可以比第3角度θ3小。例如，在y轴方向上，可得到侧方的光强度高的配光特性。

在实施方式中，可以设置第1反射层31。如图1所示，第1反射层31设置在第1半导体层叠体10a的第1侧面s1以及第2侧面s2和第2半导体层叠体10b的第1侧面s1以及第2侧面s2。第1反射层31对来自第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b的光进行反射。

在设置第1反射层31的情况下，也由于第1半导体层叠体10a的第1侧面s1的第1角度θ1小，因此光在第1半导体层叠体10a的第1侧面s1反射后，容易向侧方出射。由于第2半导体层叠体10b的第2侧面s2的第4角度θ4小，因此光在第2半导体层叠体10b的第2侧面s2反射后，容易向侧方出射。可得到侧方的光强度高的配光特性。

在实施方式中，第1角度θ1以及第4角度θ4分别例如为30度以上且45度以下。第2角度θ2以及第3角度θ3分别为60度以上且70度以下。由于这样的角度之差，可得到侧方的光强度高的配光特性。关于这些角度，能够通过控制半导体层叠体的一部分的除去(蚀刻)的条件来控制这些角度。

第1反射层31例如也可以包含金属膜。或者，第1反射层31也可以包含层叠有多个电介质层的介电多层膜。

以下，对第1反射层31的例子进行说明。

图3a～图3d是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

这些图例示第1反射层31。

如图3a所示，第1反射层31包含第1膜31a以及第2膜31b。这些膜的折射率相互不同。例如，第1膜31a具有第1折射率。第2膜31b具有第2折射率。第2折射率与第1折射率不同。如图3a所示，第2膜31b设置在第1侧面s1与第1膜31a之间。在该例子中，多个第1膜31a以及多个第2膜31b交替地设置。适当变更第1膜31a以及第2膜31b各自的厚度，能够使来自发光层的光反射。

如图3b所示，第2膜31b设置在第2侧面s2与第1膜31a之间。如图3c所示，第2膜31b设置在第3侧面s3与第1膜31a之间。如图3d所示，第2膜31b设置在第4侧面s4与第1膜31a之间。

例如，第1膜31a以及第2膜31b中的一者包含氧化钛。例如，第1膜31a以及第2膜31b中的另一者包含氧化硅。第1膜31a以及第2膜31b也可以包含氧化铌。

通过这样的结构，在第1反射层31中，可得到高的反射率。在第1反射层31中，可得到高的绝缘性。能够抑制半导体层叠体中的泄漏等。

如图1以及图2所示，基板50的第1面50a包含中间区域rs0。中间区域rs0为第1区域r1与第2区域r2之间。在该例子中，第1反射层31与中间区域rs0相接。在该例子中，两个半导体层叠体相互分离。例如，第1半导体层叠体10a的n形半导体层11a与第2半导体层叠体10b的n形半导体层11b分离。由此，能够减少在第1半导体层叠体10a与第2半导体层叠体10b之间经由半导体层进行传播的光。进而，第1半导体层叠体10a的侧面s2以及第2半导体层叠体10b的侧面s1的面积增加，设置在该侧面的第1反射层31的反射区域增加。这样，在两个半导体层叠体相互分离的情况下，通过将第1反射层31设置在它们之间的区域(中间区域rs0)，能够在中间区域rs0高效地反射光。

如图1以及图2所示，在该例子中，基板50的第1面50a还包含第1外周区域rs1以及第2外周区域rs2。在第1外周区域rs1与第2外周区域rs2之间设置第1区域r1和第2区域r2。在第1区域r1与第2外周区域rs2之间设置第2区域r2。在该例子中，第1反射层31与第1外周区域rs1以及第2外周区域rs2相接。通过在第1外周区域rs1以及第2外周区域rs2设置第1反射层31，在这些外周区域也可得到基于基板50的光导。例如，能够进一步提高侧方的光强度。

这样，第1面50a也可以进一步包含基板50的外缘50e与第1区域r1之间的外周区域rs(例如，第1外周区域rs1以及第2外周区域rs2等)。例如，第1反射层31与外周区域rs相接。

图4是例示第1实施方式所涉及的另一发光元件的示意性剖视图。

如图4所示，实施方式所涉及的发光元件111除基板50、第1半导体层叠体10a、第2半导体层叠体10b之外，还包含第2反射层32。在该例子中，还设置第1反射层31。在发光元件111中，第2反射层32以外的构成与发光元件110的构成相同。以下，对第2反射层32的例子进行说明。

如已经说明的那样，基板50具有位于第1面50a的相反侧的第2面50b。在第2面50b设置第2反射层32。第2反射层32对来自第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b的光进行反射。

例如，在第2反射层32与第1半导体层叠体10a之间设置基板50的一部分(例如，第1区域r1)。在第2反射层32与第2半导体层叠体10b之间设置基板50的另一部分(例如第2区域r2)。

通过设置第2反射层32，可抑制从第2面50b出射的光。由此，例如，能够进一步提高侧方的光强度。

第2反射层32例如也可以包含金属膜。或者，第2反射层32也可以包含层叠有多个电介质层的介电多层膜。以下，对第2反射层32的例子进行说明。

图5是例示第1实施方式所涉及的发光元件的一部分的示意性剖视图。

如图5所示，第2反射层32包含第3膜32c以及第4膜32d。第3膜32c具有第3折射率。第4膜32d具有第4折射率。第4折射率与第3折射率不同。第4膜32d设置在基板50与第3膜32c之间。在该例子中，多个第3膜32c以及多个第4膜32d交替地设置。

例如，第3膜32c以及第4膜32d中的一者包含氧化钛。例如，第3膜32c以及第4膜32d中的另一者包含氧化硅。第1膜31a以及第2膜31b还可以包含氧化铌。

(第2实施方式)

图6是例示第2实施方式所涉及的发光元件的示意性俯视图。

图7以及图8是例示第2实施方式所涉及的发光元件的示意性剖视图。

图7是图6的vii-vii线剖视图。图8是图6的viii-viii线剖视图。图6是从图7以及图8的箭头ar观察的俯视图。在图6中，为了便于图的观察，省略一部分的要素进行描述。

如图6所示，第2实施方式所涉及的发光元件120除基板50、第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b之外，还包含第3半导体层叠体10c以及第4半导体层叠体10d。在发光元件120中，由于第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b的构成与发光元件111相同，因此，省略说明。

基板50的第1面50a除第1区域r1以及第2区域r2之外，还包含第3区域r3以及第4区域r4。

第3半导体层叠体10c设置在第3区域r3。第4半导体层叠体10d设置在第4区域r4。

从第3半导体层叠体10c朝向第4半导体层叠体10d的方向沿着从第1半导体层叠体10a朝向第2半导体层叠体10b的第1方向(例如x轴方向)。从第1半导体层叠体10a朝向第3半导体层叠体10c的第2方向与从第1半导体层叠体10a朝向第2半导体层叠体10b的第1方向(例如x轴方向)交叉。第2方向例如为y轴方向。从第2半导体层叠体10b朝向第4半导体层叠体10d的方向沿着第2方向(y轴方向)。

如图7所示，第3半导体层叠体10c例如包含第3发光层13c、n形半导体层11c以及p形半导体层12c。n形半导体层11c包含第1部分区域11a以及第2部分区域11b。例如，在第3半导体层叠体10c中，在p形半导体层12c与第3区域r3之间设置第3发光层13c。在第3发光层13c与第3区域r3之间设置第2部分区域11b。第1部分区域11a在z轴方向上不与p形半导体层12c以及第3发光层13c重叠。

第4半导体层叠体10d例如包含第4发光层13d、n形半导体层11d以及p形半导体层12d。n形半导体层11d也包含第1部分区域11a以及第2部分区域11b。例如，在第2半导体层叠体10d中，在p形半导体层12d与第4区域r4之间设置第4发光层13d。在第4发光层13d与第4区域r4之间设置第2部分区域11b。第1部分区域11a在z轴方向上不与p形半导体层12d以及第4发光层13d重叠。

能够分别对第3半导体层叠体10c以及第4半导体层叠体10d应用第1半导体层叠体10a以及第2半导体层叠体10b的构成。

在该例子中，在p形半导体层12c设置有第3导电膜12ce。另一方面，在p形半导体层12d设置有第4导电膜12de。

如图7所示，在第3半导体层叠体10c的p形半导体层12c电连接第3导电构件43。第3导电构件43与第3电极43e电连接。在该例子中，在第3半导体层叠体10c的第1部分区域11a电连接另一连接构件40a的一端。连接构件40a的另一端与第4半导体层叠体10d的p形半导体层12d电连接。

在第4半导体层叠体10d的第1部分区域11a电连接第4导电构件44。第4导电构件44例如也可以与第2半导体层叠体10b的p形半导体层12b(参照图1)电连接。

如图6所示，第1～第4半导体层叠体10a～10d分别包含第1～第4侧面s1～s4。

如图8所示，第1半导体层叠体10a包含第3侧面s3以及第4侧面s4。第1半导体层叠体10a的第4侧面s4位于第1半导体层叠体10a的第3侧面s3的相反侧。

第3半导体层叠体10c具有第3侧面s3以及第4侧面s4。第3半导体层叠体10c的第3侧面s3与第1半导体层叠体10a的第4侧面s4对置，且处于靠近第1半导体层叠体10a的一侧。第3半导体层叠体10c的第4侧面s4位于第3半导体层叠体10c的第3侧面s3的相反侧，且处于远离第1半导体层叠体10a的一侧。

例如，第3半导体层叠体10c的第3侧面s3与第1半导体层叠体10a(例如第1半导体层叠体10a的第4侧面s4)之间的距离比第3半导体层叠体10c的第4侧面s4与第1半导体层叠体10a(例如第1半导体层叠体10a的第4侧面s4)之间的距离短。

例如，在第1半导体层叠体10a的第3侧面s3与第3半导体层叠体10c的第4侧面s4之间存在第1半导体层叠体10a的第4侧面s4。在第1半导体层叠体10a的第4侧面s4与第3半导体层叠体10c的第4侧面s4之间存在第3半导体层叠体10c的第3侧面s3。

将第1半导体层叠体10a的第3侧面s3与第1区域r1之间的角度设为第5角度θ5。将第1半导体层叠体10a的第4侧面s4与第1区域r1之间的角度设为第6角度θ6。在实施方式中，第5角度θ5比第6角度θ6小。

将第3半导体层叠体10c的第3侧面s3与第3区域r3之间的角度设为第7角度θ7。将第3半导体层叠体10c的第4侧面s4与第3区域r3之间的角度设为第8角度θ8。在实施方式中，第8角度θ8比第7角度θ7小。

通过这样的角度(第5～第8角度θ5～θ8)，与关于第1～第4角度e1～θ4说明的情况同样，可得到具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件。

以下，对实施方式所涉及的发光元件的应用例进行说明。

图9是例示使用了实施方式所涉及的发光元件的照明装置的示意性剖视图。

如图9所示，在照明装置310中，在安装基板211的上表面设置多个发光元件(在该例子中，为发光元件111)。在多个发光元件111之间设置反射体212。反射体212具有相对于安装基板211的主面211a倾斜的倾斜面。

在反射体212的上方例如依次设置扩散板213、荧光体片214、第1棱镜215、第2棱镜216以及偏振膜217。

从发光元件111例如出射蓝色的光111l。光111l沿着安装基板211的主面211a出射。光111l由反射体212反射。反射的光212l朝向扩散板213行进。

在实施方式中，从发光元件111出射的光111l实质上沿着主面211a。例如，光111l并不从发光元件111直接往扩散板213去。由此，能够缩短主面211a与扩散板213之间的距离d1。即使在距离d1短的情况下，也可得到亮度均匀的照明装置310。照明装置310例如能够作为液晶显示装置等的背灯来使用。

根据实施方式，能够提供一种具有侧方的光强度高的配光特性的发光元件。

以上，参照具体例对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于发光元件中包含的基板、半导体层叠体、发光层、半导体层以及反射层等各自的具体的结构，只要本领域技术人员通过从公知的范围中适当进行选择来同样地实施本发明而能够得到同样的效果，就包含在本发明的范围内。

此外，在技术上可能的范围内组合了各具体例的任意两个以上的要素而得到的方案，只要包含本发明的主旨，就包含在本发明的范围内。

此外，作为本发明的实施方式，可由本领域技术人员基于上述的发光元件适当变更设计而实施的所有的半发光元件，只要包含本发明的主旨，就属于本发明的范围。

此外，在本发明的思想的范畴内，本领域技术人员能够想到各种变更例及修正例，这些变更例及修正例也属于本发明的范围。