一种导电膜的制作方法

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种导电膜。

背景技术：

随着科技的进步，透明导电膜已成功应用于液晶显示器、触控面板、电磁波防护、太阳能电池的透明电极透明表面发热器及柔性发光器件等领域中，传统的透明导电膜是基于氧化铟锡材料(ito)通过真空镀膜、图形化蚀刻的工艺在绝缘基材上进行制备。

由于铟的价格高昂且属于稀缺资源，导致ito成本高昂；且绝缘基材上整面镀ito再图形化蚀刻的工艺流程会浪费大量的ito以及产生大量的含重金属的工业废液，其无疑将大大增加产品生产成本；同时，传统的制作流程复杂且冗长，使导电层的导电性差，从而导致良品率不高。

目前，金属网格型透明导电膜是被看好的ito透明导电膜的未来替代材料。在其生产过程包括为先在基板上面涂布一层uv胶或压印胶，然后将模具贴合在基板上，固化，最后脱模再沉积导电材料，然而导电材料的不固定性一直是困扰导电膜的导电性的一个重要问题。

技术实现要素：

基于此，本发明提供一种导电膜以解决以上所述的技术问题。

本发明的一个技术方案为：

一种导电膜，其包括：

承载层，其包括第一侧和相对设置的第二侧；

导电网格，所述承载层第一侧设有凹槽，所述凹槽形成网格状，所述凹槽中填充导电材料形成相互连通的导电网格，其中，所述凹槽中导电材料的填好量不大于所述凹槽容积的三分之二；

电极引线，所述电极引线由导电材料形成，且所述电极引线与所述导电网格电性连接。

在其中一实施例中，所述导电材料的平均填充深度不大于所述凹槽深度的三分之二。

在其中一实施例中，所述凹槽的截面形状分别为矩形、梯形、多边形或曲边形中一种或两种以上的组合。

在其中一实施例中，所述凹槽填充两种不同的导电材料或填充粒径不同的导电材料。

在其中一实施例中，所述导电膜包括基底，所述承载层位于所述基底一表面，且所述导电网格位于远离所述基底的一侧；

或，所述导电膜包括基底以及第二承载层，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述承载层位于所述基底的第一表面，且所述导电网格位于远离所述基底的一侧；所述第二承载层位于所述基底的第一表面一侧或者第二表面一侧，且所述第二承载层远离所述基底一侧的表面上设有第二导电网格以及第二电极引线，且所述第二导电网格与所述第二电极引线电性连接。

在其中一实施例中，所述导电材料在所述凹槽中填充结束处的截面形状为平齐、凸起或凹陷。

在其中一实施例中，所述导电膜还包括引线凹槽，所述电极引线由所述引线凹槽填充所述导电材料形成，其中，所述导电材料的填充量不大于所述引线凹槽容积的三分之二。

在其中一实施例中，若干个所述导电网格形成导电通道，所述导电通道之间彼此绝缘，所述每个导电通道分别对应电性连接所述电极引线。

在其中一实施例中，相邻的所述导电通道之间设有配色区，所述配色区具有配色凹槽，且所述配色凹槽形成网格；所述配色凹槽中填充所述导电材料形成配色区。

在其中一实施例中，所述导电网格的形状为菱形、矩形、正多边形、平行四边形或随机多边形中的一种或两种以上的组合。

本发明的有益效果：承载层第一侧设有形成网格状的凹槽，凹槽中填充导电材料形成相互连通的导电网格，电极引线由导电材料形成，电极引线和导电网格电性连接，其中导电材料的填充量不大于凹槽容积的三分之二，可有效防止导电材料的迁移，固定导电材料的位置，确保导电膜的导电性能。

附图说明

图1为本发明一种导电膜截面结构示意图。

图2为本发明一种导电膜平面结构示意图。

图3为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图4为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图5为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图6为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图7为本发明一种导电膜另一种平面结构示意图。

图8为本发明图7导电膜中一种放大结构示意图。

图9为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图10为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

图11为本发明一种导电膜又一种截面结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以通过许多不同的形式来实现，并不限于下面所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明公开了一种导电膜，其包括承载层，承载层包括设有凹槽的第一侧和相对设置的第二侧，凹槽形成网格状；导电膜还包括电极引线和导电网格，凹槽填充导电材料形成相互连通的导电网格，电极引线由导电材料形成，电极引线和导电网格电性连接；其中，导电材料的填充量不大于凹槽容积的三分之二，这样可以防止导电材料迁移，固定导电材料的位置，保证导电膜的导电性。

其中一实施例中，导电材料平均填充深度不大于凹槽深度的三分之二。所述凹槽为矩形、梯形、多边形或曲边形中一种或两种以上的组合；其中，曲边形指多边形的边为曲线设置。

其中一实施例中，为了增强导电膜的导电性，凹槽中填充两种不同的导电材料，其中导电材料选自石墨烯、炭、金属、金属氧化物或有机导电材料中的一种或几种，金属可以为金、银或铜等，导电金属氧化物可以为ito等，有机导电材料可以为pedot；或凹槽填充粒径不同的同种导电材料如粒径分别为大于500nm的和粒径小于500nm的银纳米颗粒，这样也可起到增强导电膜的导电性能的作用。

其中一实施例中，导电材料在凹槽的填充结束处形状为平齐、凸起或凹陷，这个依据工艺的水平或是导电材料的性质来决定。

其中一实施例中，导电膜还包括引线凹槽，引线凹槽中填充导电材料形成电极引线，其中，导电材料的填充量不大于引线凹槽容积的三分之二，在其他方式中，电极引线还可将导电材料通过丝网印刷、蚀刻或喷墨打印形成，电极引线可为线段状或网格状。

其中一实施例中，导电膜还包括基底和设于基底与承载层之间的粘结层，基底可为聚合物、pet、pmma或pc中的一种，粘结层主要用于将基底和承载层粘合，粘结层可为oca胶等热固化胶。

其中一实施例中，导电膜在应用于触摸屏这个领域时更多采用的是双层导电膜结构，这样便于定位位置。所述双层结构有两种模式，所述导电膜包括承载层、第二承载层及基底，基底包括相对设置的第一表面和第二表面；承载层设于基底的第一表面，导电网格位于远离基底的一侧，第二承载层位于基底的第一表面的一侧，或第二表面一侧，第二承载层远离基底一侧的表面上设有第二导电网格及第二电极引线，其中，第二导电网格和第二电极引线电性连接。第二导电网格可以由凹槽填充导电材料形成或喷墨打印、印刷、蚀刻等其他方式形成，第二导电网格的网格参数如深度、宽度等及网格形状也与导电网格相同或不同。同样，第二电极引线也可由凹槽填充导电材料形成或喷墨打印、印刷、蚀刻等其他方式形成，且第二电极引线的设置参数如长度、宽度等以及形状与电极引线相同或不同。

其中一实施例中，若干个导电网格形成导电通道，为了采集不同位置的信号，每个导电通道至少存在一根电极引线将该导电通道的信号引至外部设备，且每个导电通道连接的电极引线是独立的，这样能够使电信号的变化更及时的采集。

其中一实施例中，为了保证导电膜表面整体的光学效果的一致性，相邻的导电通道之间设有配色区，配色区具有配色凹槽结构且配色凹槽形成相互连通或相互不通的配色网格，配色凹槽可填充导电材料形成配色区或填充不导电的材料，配色网格参数与导电通道中的导电网格参数如深度、宽度等可相同或不同，自然配色网格与导电网格的结构也可相同或不同，如配色网格为菱形，导电网格为矩形等；其中，配色区与导电通道之间不导电，一直处于绝缘状态，绝缘的方式可为断开或网格连接点错开。

以下，请参照图示，具体描述本发明的实施方式。

请参阅图1，一种导电膜100的截面结构示意图，其包括承载层10，承载层10包括相对设置的第一侧和第二侧，第一侧设有凹槽20，凹槽20为截面图形为矩形状，凹槽20形成网格状，凹槽20中填充导电材料30形成相互连通的导电网格，其中，导电材料30的填充量不大于凹槽20容积的三分之二；此举将减小导电材料的迁移量，提高导电性能。导电材料30在凹槽20的填充结束处为封口处，所述封口处为平齐的。

优选的，导电材料为金属材料如银、铜、金、铝、镍、锌或其中任意两者或两者以上的合金。

请参阅图2，图2为本实施例导电膜100的平面图，所述导电膜包括导电通道40和电极引线50，导电通道40分别对应电性连接独立的电极引线501，将导电通道40的信号通过单独的电极引线501引到外部设备。导电通道40由矩形导电网格401构成，电极引线50为单线设置。电极引线501的黑色线条由导电材料30通过压印、蚀刻、喷墨打印或丝网印刷的方式形成，空白区域为绝缘区域，空白区域为承载层。

请参阅图3，图3为导电膜100的另一种截面结构示意图。导电网格由凹槽21填充导电材料30形成，凹槽21的截面形状为矩形状，导电材料30的填充结束处是凸起的，其中，导电材料30填充量不大于凹槽21容积的三分之二；当然，导电材料30的填充结束处不限于平齐、凸起这两种形式，也可为凹陷或其他不规则形式，这个主要根据不同的生产条件决定。

请参阅图4，承载层10的第一侧的凹槽22的截面形状为梯形设置，凹槽22开口处的宽度相对应的大于所述凹槽22底部的宽度，凹槽22中填充导电材料30形成相互连通的导电网格。凹槽22的截面形状依据不同的工艺要求进行设计，不局限于矩形、梯形，也可为多边形、弧形及不规则形状中一种或两种以上的组合。

请参阅图5，凹槽23内同时填充两种导电材料分别是导电材料30和导电材料31，导电材料30为下层，导电材料31为上层，两者之间没有明确的分界线；导电材料30和导电材料31可为两种不同种类的导电材料如银和铜；当然，导电材料30和导电材料31也可为同一种导电材料如银，但是二者的粒径大小不一样，例如导电材料30的粒径为大于500nm，导电材料31的粒径为小于500nm；其中，导电材料30和导电材料31的填充总量不大于凹槽23容积的三分之二，这样使得凹槽23的尺寸更加不受限制同时保证导电性能，在制作的过程中，不论是卷对卷还是模具压印，都不会影响产品的正常生产。

请参阅图6，承载层10的第一侧设有凹槽24，凹槽24为网格状，凹槽24填充导电材料30形成相互连通的导电网格，其中，导电材料30的填充量不大于凹槽24容积的三分之二；所述导电膜100还包括引线凹槽60，引线凹槽60填充导电材料30构成电极引线，同样，导电材料30的填充量不大于引线凹槽60的三分之二，这样可以减小电子迁移率，保证导电性能。

图7为上述实施例中导电膜100的平面示意图。所述导电膜包括导电通道41和电极引线51，依据工艺需求，将导电通道41设置为多行、多列，导电通道41分别对应电性连接电极引线51，将导电通道41的信号通过电极引线51引到外部设备。导电通道41由不规则多边形随机导电网格411构成，独立的电极引线511为引线网格设置，如图8所示，电极引线511的黑色线条由引线凹槽60中填充导电材料30形成正方形引线网格构成，在其他方式中，所述电极引线除了单线或正方形引线网格外，还可以为平行四边形、正多边形、曲边四边形或者多边形等规则形状引线网格。同样，导电通道41的黑色线条由凹槽24中填充导电材料30形成随机网格构成，在其他方式中，所述导电通道的导电网格除了矩形或不规则多边形外，还可以为平行四边形、正多边形、曲边四边形或者多边形等规则形状。曲边四边形是指具有四条曲边，相对的两条曲边具有相同形状及曲线走向。图7中的空白区域为绝缘区域，空白区域为承载层。优选的，所述承载层为丙烯酸酯类uv胶或其他热固化胶或可达到相同目的的紫外固化材料、热塑性材料或热固性材料等有机材料来替代，例如：pmma、pc、pdms等。

请参阅图9，本发明提供了导电膜100的另一种截面结构示意图，其包括承载层10、粘结层70和基底80。承载层11的第一侧设有凹槽25，凹槽25中填充了导电材料30，且导电材料30的填充量不大于凹槽25容积的三分之二。粘结层70的作用是增强粘黏性，在一些情况下也可以舍去；基底80为光固化胶如uv胶或玻璃中的一种。

请参阅图10，本发明提供的导电膜100还可为双面结构设置。导电膜100包括承载层10、基底81以及第二承载层11，基底81位于承载层10和第二承载层11之间，承载层10远离基底81的一侧设有凹槽26，凹槽26中填充导电材料30；第二承载层11远离基底81的一侧设有凹槽27，且凹槽27内填充导电材料30，其中上述导电材料30的填充量不大于凹槽26容积的三分之二，同样的，导电材料30的填充量不大于凹槽27容积的三分之二。

请参阅图11，本发明提供的导电膜100还可为单面双层结构设置，其包括承载层10、第二承载层12及基底82，基底82包括相对设置的第一表面和第二表面，第二承载层12位于基底82的第一表面，承载层10位于第二承载层的12远离基底82的一侧，承载层10和第二承载层12位于基底82的同一侧；承载层10远离第二承载层12的一侧上设有凹槽28，在凹槽28中填充导电材料30形成相互连通的导电网格；其中，导电材料30的填充量不大于凹槽28容积的三分之二。第二承载层12远离基底82的一侧也具有凹槽29，在凹槽29中填充了导电材料30构成导电网格，其中，导电材料30的填充量不大于凹槽29容积的三分之二，这样可以大大减少导电材料的迁移率，提高导电性能。

上述提供的导电膜，凹槽填充导电材料形成相互连通的导电网格，所述导电网格形成导电通道构成导电区，导电材料通过压印、喷墨打印、蚀刻或丝网印刷的方式形成电极引线，电极引线可为单线或引线网格构成，从而形成引线区；导电区凹槽的深度和凹槽的宽度之比不小于0.5且不大于1.5时，拥有较好的导电效果。

以上所述的导电膜可以用于触控屏、emi、opv、加热膜、oled等元器件或者设备中。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，上面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在上面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于上面描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受上面公开的具体实施例的限制。并且，以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。