技术总结
本文公开了一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括在衬底上设置包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物；并且将衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到衬底中；其中含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。
技术研发人员：张远逸;勝又麗香;李明琦;B·C·蒲柏雷;A·T·海特斯彻;P·特雷福纳斯三世;R·A·西格尔马恩
受保护的技术使用者：罗门哈斯电子材料有限责任公司;加利福尼亚大学董事会
技术研发日：2019.07.11
技术公布日：2020.01.21