专利名称：掀开式半导体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及一种用于化学处理半导体晶圆表面，以及清洁、蚀刻及其它处理的装置。
背景技术：
晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别诸如基于浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没半导体晶圆或喷射半导体晶圆等一连串步骤组成。现有技术中包含一种采用湿法处理过程对晶圆进行超清洁处理的半导体处理装 置。该半导体处理装置中形成有一可以紧密接收并处理半导体晶圆的微腔室，该微腔室可处于打开状态以供装载与移除半导体晶圆，也可处于关闭状态以用于半导体晶圆的处理，其中处理过程中可将化学制剂及其他流体引入所述微腔室。所述打开状态和关闭状态由该装置中包含的两个驱动装置分别驱动构成所述微腔室的上、下两个工作表面沿垂直方向的相对移动来实现。但是现有技术中的半导体处理装置其设计初衷是为了便于工业化生产和制造的需要。为了能够实现自动化控制，采用了较为复杂的驱动装置来驱动所述上、下两个工作表面的相对移动，使得所述半导体处理装置的体积较为庞大，造价比较高昂。一方面，所述半导体处理装置具有的较为庞大的体积不利于在诸如研究所、大学实验室等非工业化生产的场合进行使用；另一方面，所述半导体处理装置具有的较昂贵的价格也不利于使用频率不频繁的普通客户购买。因此有必要提供一种新的解决方案来解决上述问题。
发明内容本发明的目的在于提供一种掀开式半导体处理装置，所述掀开式半导体处理装置具有相较于现有技术更为简单的结构，节省了空间并较为明显地降低了成本。根据本发明的目的，本发明提供一种掀开式半导体处理装置，所述掀开式半导体处理装置包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的部分边缘通过枢接件枢接，所述上腔室部和所述下腔室部可绕所述枢接件在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间运动，在关闭位置时，半导体晶圆被安装于所述上工作表面和下工作表面之间，且所述半导体晶圆与所述微腔室的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。进一步地，所述上腔室部包括上腔室板和可拆卸固定所述上腔室板的上腔室固定部，所述下腔室部包括下腔室板和可拆卸固定所述下腔室板的下腔室固定部，所述上腔室板包括上基板部和自上基板部向下延伸而成的上腔壁，所述下腔室板包括下基板部和自下基板部向上延伸而成的下腔壁，所述上腔室固定部和下腔室固定部通过所述枢接件枢接，在关闭位置时，所述上腔壁和所述下腔壁密封贴合形成容纳和处理半导体晶圆的空腔。进一步地，所述上腔室固定部包括上腔室顶盖和上腔室底盖，所述上腔室板夹持于上腔室顶盖和上腔室底盖之间，所述下腔室固定部包括下腔室盒体部及插件部，所述下腔室盒体部包括开口于对接面和安装面上的固定槽，所述固定槽的槽壁上形成有自所述安装面延伸的两个相对的导引槽，所述下腔室板的基板部的两侧自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内，此时所述下腔室板的下腔壁突出所述对接面，所述插件的两侧也自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内以卡合所述下腔室板。进一步地，所述上腔室板的基板部的一个表面与所述上腔室顶盖紧密贴合，所述 上腔室顶盖与所述表面贴合的位置形成有多个螺纹孔，对应于所述螺纹孔的螺丝可旋入所述螺纹孔而提供压力于所述上腔室板，所述压力的位置、方向和大小依所述螺丝旋入的位置、方向和长度不同而不同。进一步地，所述下腔室盒体部与所述下腔室板的下表面相接触的表面上形成有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下腔室盒体部的下部或者侧面开口处。进一步地，所述掀开式半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置，所述处理流体供应装置，连接于供处理流体进入所述微腔室的入口，用于提供处理流体，和所述处理流体收集装置，连接于供处理流体排出所述微腔室的出口，用于收集处理流体处理半导体晶圆后的废液，其中，所述处理流体包括化学制剂和气体。进一步地，所述微腔室还包括将所述上腔室部和下腔室部的部分边缘卡合在一起的卡合组件，所述卡合组件包括设置于所述上腔室部上的第一卡合部和设置于所述下腔室部上的第二卡合部。进一步地，所述卡合组件为母子卡扣、磁力吸附件或者夹具中的一种或者多种。进一步地，所述空隙的预定宽度在O. Olmm与IOmm之间。进一步地，所述上工作表面与下工作表面之间还包括用于密封的耦合结构或者密封圈。与现有技术相比，本发明中的掀开式半导体处理装置取消了驱动所述上腔室部和下腔室部沿垂直方向相对移动的自动化驱动装置，而采用了所述上腔室部和下腔室部的部分边缘枢接，令用户以手动方式来打开或者关闭由所述上腔室部和下腔室部形成的微腔室。藉由上述结构，使得本发明中的掀开式半导体处理装置获得了约为现有技术中同类装置的1/3大小的体积。同时由于节省近一半的材料和部件，使得本发明中的掀开式半导体处理装置的成本也降低了近一半左右，更适合个人或者小型实验室等客户购买和使用。
结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中
图I为本发明中的掀开式半导体处理装置在一个实施例中处于关闭位置时的立体示意图；图2为本发明中的掀开式半导体处理装置在一个实施例中处于打开位置时的立体示意图；图3为本发明中的上腔室顶盖在一个实施例中的立体示意图；图4为本发明中的上腔室底盖在一个实施例中的立体示意图；图5为本发明中的上腔室板在一个实施例中的立体示意图；图6为本发明中的下腔室部在一个实施例中的立体分解图；图7为本发明中的上腔室部采用螺栓调整平衡时的立体示意图；和
图8为本发明中的微腔室在一个实施例中的剖面示意图。
具体实施方式为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。请结合参考图I和图2，其示出了本发明中的掀开式半导体处理装置在一个实施例100中分别处于关闭位置时和处于打开位置时的立体示意图。简单来讲，所述掀开式半导体处理装置100包括一个由上腔室部120和下腔室部140形成的用于处理半导体晶圆的微腔室。所述上腔室部120和所述下腔室部140的部分边缘通过枢接件160相连。当所述上腔室部120和所述下腔室部140沿着所述枢接件160旋转而处于一如图2所示的打开位置时，使得所述上腔室部120中的上腔室板122和所述下腔室部140中的下腔室板142互相分离，以便于装载和移除将要被处理的或者已经被处理过的半导体晶圆于所述微腔室；当所述上腔室部120或下腔室部140沿着所述枢接件160旋转而处于一如图I所示的关闭位置时，使得所述上腔室部120中的上腔室板122和所述下腔室部140中的下腔室板142紧密贴合而形成容纳和处理半导体晶圆的微腔室。当半导体晶圆被装载进入所述微腔室，并且所述微腔室处于关闭位置时，可将化学试剂及其他流体引入所述微腔室内部以对其内的半导体晶圆进行分析、清洁、蚀刻及其它处理，并在处理过程中及处理完毕后，将处理后的所述化学试剂及其它流体弓I出所述微腔室。当所述上腔室板122和所述下腔室板142处于互相贴合的关闭位置时，还可以在所述上腔室部120和下腔室部140的其它边缘处设置卡合组件，所述卡合组件可以包括设置于所述上腔室部120上的第一卡合部182和设置于所述下腔室部140上的第二卡合部184。利用卡合组件的紧密卡合产生的压力，使得所述上腔室板122和所述下腔室板142中的上腔室板122和下腔室板142能够紧密贴合，所述卡合组件可以是母子卡扣、磁力吸附件或者夹具中的一种或者多种。为了便于描述本发明，首先描述所述上腔室部120，所述上腔室部120包括上腔室板122和可拆卸固定所述上腔室板122的上腔室固定部，所述上腔室固定部包括上腔室顶盖124和上腔室底盖126。图3示出了所述上腔室顶盖124在一个实施例300中的底面立体示意图。所述上腔室顶盖300的形状呈矩形盒体，所述矩形盒体包括形成盒体顶部的本体302和从所述本体302四周边缘向下延伸以形成盒体四周的盒壁304。所述上腔室顶盖300的本体302上均匀分布形成有沿对角线的多个螺纹孔305和被对角线所分隔的呈等边三角形的四个设备穿孔307。靠近所述盒壁304的折角处还形成有第一装配穿孔309，所述盒壁304的一个边缘设置有枢接套管306，与所述边缘相邻的另外两个边缘的外部还设置有多个作为第一卡合部的母卡扣308。图4示出了所述上腔室底盖126在一个实施例400中的立体示意图。所述上腔室底盖400的形状呈矩形板状，所述矩形板状的大小和形状应与所述上腔室顶盖300的本体302大概对应，并与所述盒壁304围成的形状所吻合。所述上腔室底盖400的中央形成有较大的圆形穿孔402，所述上腔室底盖400的四角对应于上腔室顶盖300的第一装配穿孔309形成有装配螺栓404 (未具体示出螺纹)。图5示出了所述上腔室板122在一个实施例500中的立体示意图。所述上腔室板500包括呈正方形的上基板部520和自上基板部520向下延伸而成的呈圆盘形的上腔壁540。在所述上基板部520的四角形成有对应于上腔室顶盖300的第一装配穿孔309的第二装配穿孔522。所述上腔壁540的下表面542就形成微腔室的上工作表面，所述上腔壁540的边缘还向下延伸形成有凸缘544，所述凸缘544形成微腔室的上周边部分，并且所述·上腔壁540的厚度应略大于所述上腔室底盖400的厚度。当由上到下依照上腔室顶盖300、上腔室板500和上腔室底盖400叠放安装时，所述上腔室顶盖300和所述上腔室底盖400将形成一空腔，而所述上腔室板500将被夹持与所述空腔内，并且所述上腔室板500的上腔壁540将从所述上腔室顶盖400的圆形穿孔402中突出，也就是说，所述上腔室板500的呈正方形的上基板部520被夹持于所述上腔室顶盖300和所述上腔室底盖400之间，而所述上腔壁540外露于相对于下腔室部的位置。所述上腔室底盖400的装配螺栓404依次穿过所述上腔室板上的第二装配穿孔522和所述上腔室顶盖300的第一装配穿孔309，通过匹配于所述装配螺栓404的螺帽128可将所述上腔室顶盖300和所述上腔室底盖400紧密固定，也即将所述上腔室板500紧密夹持于所述上腔室顶盖300和所述上腔室底盖400之间。所述第二装配穿孔522的内径通常都大于所述立柱的外径，以使得所述上基板部500在所述空腔内的位置可以略微调整。而且在一些实施例中，所述上腔室板500的上基板部520可以制作的较为小一点，从而不需要在所述上基板部520的四角形成第二装配穿孔522。请重新聚焦于所述下腔室部140。所述下腔室部140包括下腔室板142和可拆卸固定所述下腔室板142的下腔室固定部，所述下腔室固定部包括下腔室盒体部144和一插件。图6示出了所述下腔室部140在一个实施例600中的立体分解图。所述下腔室部600包括下腔室板620、下腔室盒体部640和插件660。所述下腔室板620的形状基本对应于所述上腔室板500，其包括呈正方形的下基板部624和自所述下基板部624向上延伸形成的呈圆盘形的下腔壁622。所述下腔壁622的上表面即为所述微腔室的下工作表面，所述下腔壁622的边缘还向上延伸形成有凸缘623，所述凸缘623形成微腔室的下周边部分。所述下基板部624的尺寸和边缘厚度分别对应于所述下腔室盒体部640的盒壁642之间的距离和导引槽644的宽度，以使所述下腔室板620可以沿所述下腔室盒体部640的盒壁642上的导引槽644滑动。换句话说，将所述下腔室盒体部640与所述上腔室部相接触的面62所在平面称之为对接面，而所述下腔室板620滑动进入所述下腔室盒体部640时接触的面64所在平面称之为安装面。则所述下腔室盒体部640形成了一个容纳和固定所述下腔室板620的固定槽，该固定槽开口于对接面和安装面，所述固定槽的槽壁上形成有两个相对的导引槽644，所述导引槽644也是从所述安装面开口而一直向内延伸形成的。所述下腔室板620的基板部的两侧正好自所述下腔室盒体部640的安装面滑入并固持于所述导引槽644内，此时所述下腔室板620可以在所述导引槽644内滑动，并且所述下腔室板620的下腔壁突出所述对接面。在所述下腔室板620滑动进入所述下腔室盒体部640时，还可以使用一插件660将所述下腔室板620紧密卡合于所述下腔室盒体部640内。也就是说，所述插件的两侧660也自所述下腔室盒体部640的安装面滑入并固持于所述导引槽644内以卡合所述下腔室板620。所述下腔室盒体部640与所 述下腔室板620相邻的表面上还形成有导流凹槽646，比如所述导流凹槽646可以为并列的多个宽度相同的斜坡面，通过所述导流凹槽646可以收集位于其上方的下腔室板620意外情况下泄露的化学药剂或者其它流体。所述导流凹槽646的出口 648位于所述下腔室盒体部640的下部或者侧面开口处。所述下腔室盒体部640的一个边缘设置有枢接套管643与所述边缘相邻的另外两个边缘的外部还设置有多个作为第二卡合部的子卡扣645。易于思及的，由于所述上腔室顶盖和所述下腔室盒体部的对应边缘设置有枢接套管，通过贯穿所述枢接套管的枢接件可将所述上腔室顶盖和所述下腔室盒体部相连，最终使得所述上腔室部120可以绕所述枢接件160旋转，从而使得所述上腔室板122和所述下腔室板142可以在互相分开的打开位置和互相贴合的关闭位置之间变化。并且在关闭位置时，可以通过设置在所述上腔室部120的外边缘的母卡扣308和设置在所述下腔室部140的外边缘的子卡扣645来进一步地使所述上腔室板122和所述下腔室板142紧密接触。具体来讲，可以将母卡扣308从上腔室部外侧向上腔室部内侧旋转而扣合于子卡扣645上，以固定所述上腔室板120和所述下腔室板142的紧密贴合。此时，如果所述上腔室板122和所述下腔室板142还是未能够紧密贴合形成微腔室，比如靠近枢接套管的凸缘能够贴合，而相对的另一部分凸缘不能够贴合时，可以进一步采用吻合于上腔盖板300上的螺纹孔305的相应螺丝70来校正所述上腔室板的平衡，也就是说，通过旋入某一螺纹孔305的螺丝70来给予所述上腔室板的对应点以适当的压力，使得所述上腔室板120能够和下腔室板140紧密贴合，如图7中所示。同时应当注意到，由于半导体晶圆的大小分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等等规格，加工时需要根据不同尺寸的晶圆更换匹配大小的上腔室板和下腔室板。利用前述的各个组件及相互结构的相关描述可知，所述掀开式半导体处理装置中的上腔室板是被夹持于所述上腔室顶盖和上腔室底盖之间的，只需要通过旋转与所述装配螺栓匹配的螺帽就可以拆分或紧固所述上腔室顶盖和上腔室底盖，从而更换所述上腔室板。另一方面，所述下腔室板是采用插件卡合于所述下腔室盒体部内的，只需要打开所述插件，就可以方便地采用抽拉的方式更换所述下腔室板，整个过程十分简单快捷。为了进一步描述本发明的诸多方面，请继续参考图8，其示出了本发明中的微腔室在一个实施例800中的剖面示意图。所述微腔室800包括上腔室板820和下腔室板840。所述上腔室板820上形成一上工作表面822以及环绕所述上工作表面822的第一凸缘824。所述下腔室板840上形成一下工作表面842以及环绕所述下工作表面842的第二凸缘844。通常来讲，所述第一凸缘824和第二凸缘844的位置是相对的，并且为了能够紧密贴合，所述第一凸缘824和第二凸缘844之间还可以包含有耦合结构或者诸如橡胶质地的密封圈860。当然，所述第一凸缘824和第二凸缘844也可以不是相对的而是互相咬合的，或者所述第一凸缘824和第二凸缘844根据具体实施例而被设计为其它类型的相互吻合形状，比如相对的凸缘和凹槽。被处理的半导体晶圆被容纳于所述上工作表面822、下工作表面842以及形成周边部分的第一凸缘824和/或第二凸缘844形成的微腔室800内。所述半导体晶圆与所述上下工作表面之间还应当存在预期的空隙，所述空隙的预定宽度通常在O. Olmm与IOmm之间，应该能够理解，通过上下腔室板不同的压力和不同内径的密封圈可以改变所述空隙的宽度，而随着此等空隙的改变，可以实现用于微腔室800内的处理流体的不同流动图案，例如，实现层状流体流动对扰动流体流动的流体图案。当然，为 了引进处理流体，所述微腔室800还应当包括有至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口 882和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口 884。以及相应的处理流体供应装置和处理流体收集装置(未具体示出)，所述处理流体供应装置可以连接于供处理流体进入所述微腔室的入口 882，用于提供处理流体；所述处理流体收集装置连接于供处理流体排出所述微腔室的出口 884，用于收集处理流体处理半导体晶圆后的废液。为了能够获得期望的流体图案，所述入口 882和所述出口 884可以设置于所述微腔室800的内壁的任一或者多个优选位置。更进一步地，为了能够更好地获得期望的流体图案。所述微腔室800还可以包括至少一个供气体进入所述微腔室的入口和至少一个供气体排出所述微腔室的出口(未示出)，通过所述入口进入所述微腔室的气体可以作为所述处理流体流动时的载体。连接于供气体进入所述微腔室的入口的气体供应装置，用于提供作为处理流体流动时载体的气体，连接于供气体排出所述微腔室的出口的气体收集装置，用于收集承载处理流体流动后的废气。所述气体供应装置也包括真空泵等用于形成真空的装置。由于气体也算是流体，故本文中为了简便描述，所述处理流体的含义既包含了化学制剂也包含了气体。另一方面，为了能够监测整个分析处理过程，所述掀开式半导体处理装置还可以包含若干感测器，用于感测所述掀开式半导体处理装置中的处理液体在处理前、处理中和处理后的诸如温度、浓度和含有物质及含有物质的浓度等参数。诸如此类，皆因具体实施例的不同设计人员和处理需求而定，本文不再一一类述。但是应当注意到，可能为了各种感测器、处理液体供应及回收装置和气体供应及回收装置等的安装和实施，前文中所述的各个组件的具体形状和结构可能会发生相应的适应性变化和造型。比如上腔盖板300上的装备穿孔307就是为了便于处理液体供应管道和处理液体在处理前的感测器设备的安装而开设。作为具体使用时的实例，本发明中的掀开式半导体处理装置可以用于薄膜铜的湿式化学蚀刻。处理液体可以从位于中心处的入口进入微腔室，而沿径向向半导体晶圆的边缘流动，并在处理液体达到边缘后，可以经由设置在下周边部分的出口收集至预定装置内，在收集过程中可利用感测器监测处理后的处理液体中的铜浓度来获得实际的蚀刻速率。结合其它参数的采集来监控整个蚀刻过程。诸如其它的半导体晶圆表面清洁等等处理过程，都是本领域技术人员所熟知的内容，本文也不再做详细的描述。综上所述，所述掀开式半导体处理装置取消了现有技术中此类装置中的自动化驱动装置设计，采用了令用户以手动方式的来打开和关闭所述微腔室的掀开式结构。不仅减小了所述掀开式半导体处理装置的体积，还降低了成本，使得所述掀开式半导体处理装置更加利于个人用户或者小型实验室及科研结构的使用。并且为了能够获得较为紧密的微腔室结构，所述掀开式半导体处理装置还采用了形成于上、下腔室部对应部位的卡合组件、形成于上腔室部用于校正上腔室板的螺纹孔之类的结构，避免和解决了采用掀开式结构而容易发生的上、下腔室板不能完全紧密贴合的情况发生。根据不同的实施例，所述卡合组件可以是如本文中所述的母子卡扣装置，还可能是诸如磁力吸合、夹具等等其它类型。同时，由于所述掀开式半导体处理装置中的上腔室板和下腔室板是通过夹持或者卡合等结构被容纳于上腔室部和下腔室部中的，可以很方便地根据需要处理的半导体晶圆的尺寸来更换不同尺寸和形状的上、下腔室板。在其它实施例中，所述上、下腔室板也可能采用其它类型的可更换结构而被容纳于所述上、下腔室部中。所述掀开式半导体处理装置还在下腔室部中形成有用于防止意外泄漏的化学制剂及其它处理液体导致污染的收集机制，也即所述下腔室盒体部内的导流凹槽，以尽可能地避免处理流体意外泄露时可能发生的污染和事故。上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式
。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式
所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于所述具体实施方式
。·
权利要求
1.一种掀开式半导体处理装置，其特征在于，其包括 包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的部分边缘通过枢接件枢接，所述上腔室部和所述下腔室部可绕所述枢接件在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间运动， 在关闭位置时，半导体晶圆被装载于所述上工作表面和下工作表面之间，且所述半导体晶圆与所述微腔室的内壁之间形成有供处理流体流动的空隙，所述微腔室包括至少一个供处理流体进入所述微腔室的入口和至少一个供处理流体排出所述微腔室的出口。
2.根据权利要求I所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室部包括上腔室板和可拆卸固定所述上腔室板的上腔室固定部，所述下腔室部包括下腔室板和可拆卸固定所述下腔室板的下腔室固定部，所述上腔室板包括上基板部和自上基板部向下延伸而成的上腔壁，所述下腔室板包括下基板部和自下基板部向上延伸而成的下腔壁，所述上腔室固定部和下腔室固定部通过所述枢接件枢接， 在关闭位置时，所述上腔壁和所述下腔壁密封贴合形成容纳和处理半导体晶圆的空腔。
3.根据权利要求2所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室固定部包括上腔室顶盖和上腔室底盖，所述上腔室板夹持于上腔室顶盖和上腔室底盖之间， 所述下腔室固定部包括下腔室盒体部及插件部，所述下腔室盒体部包括开口于对接面和安装面上的固定槽，所述固定槽的槽壁上形成有自所述安装面延伸的两个相对的导引槽， 所述下腔室板的基板部的两侧自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内，此时所述下腔室板的下腔壁突出所述对接面，所述插件的两侧也自所述下腔室盒体部的安装面滑入并固持于所述导引槽内以卡合所述下腔室板。
4.根据权利要求3所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述上腔室板的基板部的一个表面与所述上腔室顶盖紧密贴合，所述上腔室顶盖与所述表面贴合的位置形成有多个螺纹孔，对应于所述螺纹孔的螺丝可旋入所述螺纹孔而提供压力于所述上腔室板，所述压力的位置、方向和大小依所述螺丝旋入的位置、方向和长度不同而不同。
5.根据权利要求3所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述下腔室盒体部与所述下腔室板的下表面相接触的表面上形成有导流凹槽，所述导流凹槽的出口位于所述下腔室盒体部的下部或者侧面开口处。
6.根据权利要求I所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置还包括处理流体供应装置和处理流体收集装置， 所述处理流体供应装置，连接于供处理流体进入所述微腔室的入口，用于提供处理流体，和 所述处理流体收集装置，连接于供处理流体排出所述微腔室的出口，用于收集处理流体处理半导体晶圆后的废液， 其中，所述处理流体包括化学制剂和气体。
7.根据权利要求I所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述微腔室还包括将所述上腔室部和下腔室部的部分边缘卡合在一起的卡合组件，所述卡合组件包括设置于所述上腔室部上的第一卡合部和设置于所述下腔室部上的第二卡合部。
8.根据权利要求7所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述卡合组件为母子卡扣、磁力吸附件或者夹具中的一种或者多种。
9.根据权利要求I所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述空隙的预定宽度在O. Olmm与10_之间。
10.根据权利要求I所述的掀开式半导体处理装置，其特征在于，所述上工作表面与下工作表面之间还包括用于密封的耦合结构或者密封圈。
全文摘要
本发明揭露了一种掀开式半导体处理装置，包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和下腔室部的部分边缘通过枢接件枢接，所述上腔室部和所述下腔室部可绕所述枢接件在一用于装载或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间运动。藉由上述结构，使得本发明中的半导体处理装置获得了相比现有技术中同类装置更小的体积，同时由于节省了材料和部件，也较大幅度降低了成本，使得本半导体处理装置更适合个人或者小型实验室等客户使用。
文档编号H01L21/00GK102903604SQ201110215818
公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日
发明者温子瑛 申请人:无锡华瑛微电子技术有限公司