技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供鳍部以及横跨所述鳍部设置的栅极结构；形成覆盖所述栅极结构的图形化层，所述图形化层沿所述鳍部的延伸方向的中央具有心轴区；在未被所述栅极结构覆盖的所述鳍部的两侧形成具有第一深度的第一开口部；去除所述心轴区的所述图形化层，并以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述栅极结构和所述鳍部，在所述鳍部的中央形成具有第二深度的第二开口部；在所述第一开口部和所述第二开口部内形成外延层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一深度不同于所述第二深度。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成互连结构，若第一深度小于第二深度，将所述第一开口部内的外延层形成为漏区，将所述第二开口部的外延层形成为源区；若第一深度大于第二深度，将所述第一开口部内的外延层形成为源区，将所述第二开口部的外延层形成为漏区。4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述栅极结构的图形化层的步骤包括：在所述栅极结构顶部表面形成心轴区膜层；图案化所述心轴区膜层，形成心轴区；形成覆盖所述心轴区侧壁及顶部的外围区膜层；平坦化所述外围区膜层，使所述心轴区顶部表面露出；刻蚀所述外围区膜层，形成覆盖所述心轴区沿所述鳍部延伸方向两侧侧壁的第一外围区和第二外围区。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为伪栅极结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅极结构包括伪栅介质层和伪栅电极层，在以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述栅极结构和所述鳍部时，刻蚀所述伪栅电极层，保留至少一部分所述伪栅介质层。7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：形成覆盖所述栅极结构的侧壁以及所述图形化层的侧壁的第一侧壁层。8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：形成覆盖所述第一开口部的保护层。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层高于所述图形化层的顶部表面。10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层为有机绝缘层。11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述栅极结构和所述鳍部，在所述鳍部的中央形成具有第二深度的第二开口部的过程中，将所述栅极结
构分离为第一栅极结构和第二栅极结构。12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：形成覆盖所述第一栅极结构的侧壁、所述第二栅极结构的侧壁的第二侧壁层。