技术总结
本发明涉及半导体器件制造领域，公开了一种半导体机构的形成方法，包括：提供鳍部以及横跨鳍部设置的栅极结构；形成覆盖栅极结构的图形化层，图形化层沿鳍部的延伸方向的中央具有心轴区；在未被栅极结构覆盖的鳍部的两侧形成具有第一深度的第一开口部；去除心轴区的图形化层，并以图形化层为掩膜，刻蚀栅极结构和鳍部，在鳍部的中央形成具有第二深度的第二开口部；在第一开口部和第二开口部内形成外延层。本发明提供的半导体结构的形成方法，能够增大沟道应力、抑制短沟道效应，提高半导体结构的综合性能。构的综合性能。构的综合性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2019.07.24
技术公布日：2021/2/1