1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括阵列区域和包围所述阵列区域的外围区域；
在所述衬底上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内形成有位于阵列区域上方的若干平行排列的长条状图形，且各长条状图形端部均与所述衬底外围区域上的第一掩膜层连接，用于在衬底的阵列区域内形成若干平行排列的长条状的连续有源区且所述连续有源区的端部均连接至衬底的外围区域；
在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层内形成有若干第一图形，所述若干第一图形阵列排布且与所述长条状图形交叠，用于在衬底内形成分割沟槽，将所述连续有源区分割为若干分立有源区；
以所述第二掩膜层、第一掩膜层为掩膜，逐层刻蚀，将所述长条状图形、第一图形传递至所述衬底内，形成阵列排布的分立有源区，位于所述阵列区域内边缘的分立有源区的一端连接至衬底的外围区域。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述长条状图形的形成方法包括：在未图形化的第一掩膜层上形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内形成有若干分立且平行排列的长条状的初始长条状图形；在所述第三掩膜层上形成第四掩膜层，所述第四掩膜层覆盖所述第三掩膜层的外围区域，并覆盖所述初始长条状图形的端部；以所述第四掩膜层和第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层，在第一掩膜层内形成长条状图形，所述长条状图形的端部连接至所述第一掩膜层的外围区域；去除所述第三掩膜层和所述第四掩膜层。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层内还形成有位于衬底的外围区域上，包围所述长条状图形的第二图形，所述第二图形用于在衬底的外围区域内形成包围所述阵列区域的外围沟槽。
4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第二图形与最边缘的所述第一图形之间具有一定间距。
5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述外围沟槽朝向阵列区域一侧的侧壁为曲面。
6.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述分割沟槽与外围沟槽内填充绝缘材料，形成浅沟槽隔离结构。
7.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第四掩膜层的覆盖所述初始长条状图形的端部的部分具有平直的边缘。
8.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括阵列区域和包围所述阵列区域的外围区域；
位于所述衬底的阵列区域内的若干阵列排布的分立有源区，位于所述阵列区域边缘的所述分立有源区一端连接至所述衬底的外围区域；
各分立有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述衬底的外围区域内形成有外围浅沟槽隔离结构，所述外围浅沟槽隔离结构围绕所述阵列区域设置。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构与所述阵列区域之间具有一定间距。
11.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构朝向所述阵列区域一侧的侧壁为曲面。
12.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；所述第一浅沟槽隔离结构为长条状，将阵列区域分割为多条平行排列的长条状的连续有源区，所述第二浅沟槽隔离结构为块状，将所述长条状的连续有源区分割为若干分立有源区。
13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述第一浅沟槽隔离结构的位于所述阵列区域同一侧的端面齐平。