一种显示面板和显示装置的制作方法

本实用新型实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术：

OLED(Organic Light-Emitting Diode)称为有机电致发光二极管，因其具有众多的优点，如主动发光无需背光源，视角宽，响应速度快，清晰度与对比度高、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被应用于电视机和显示器等。

传统的OLED像素驱动电路一般采用2T1C(2-Transistor-1-Capacitor)像素驱动电路。2T1C像素驱动电路由两个金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)和一个存储电容组成，其中一个MOSFET作为驱动管，另一个MOSFET作为开关管。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题：目前的显示面板在不同位置的像素亮度不同，降低了显示面板的显示效果。

技术实现要素：

本实用新型实施方式的目的在于提供一种显示面板和显示装置，使得显示面板的显示亮度均一，提高显示面板的显示效果。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种显示面板，包括基板以及设置在基板上的至少一个像素电路单元；绝缘层位于像素电路单元的上方，绝缘层具有上表面和与上表面相对的下表面，绝缘层的上表面为绝缘层远离像素电路单元的一侧表面；第一金属层，位于绝缘层的上表面；第二金属层，位于绝缘层的上表面和下表面之间，且绝缘层至少覆盖第二金属层的上表面以及该第二金属层的侧壁；第一金属层或第二金属层中的一个作为公共电源线，另一个作为数据线。

本实用新型的实施方式还提供了一种显示装置，包括：上述的显示面板。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，由于目前显示面板中，公共电源线和数据线均同层设置，而随着显示面板的分辨率和像素的提高，像素电路单元越来越小，导致公共电源线和数据线的走线越来越细，公共电源线的走线出现电压降，导致显示面板不同位置的像素亮度不同；而本实施方式中将位于绝缘层的上表面的第一金属层和位于绝缘层的上表面和下表面之间的第二金属层中的一个作为公共电源线，另一个作为数据线；即新增一个金属层，将公共电源线和数据线分别设于两个单独的层，使得公共电源线无需和数据线同层设置，大大提高了公共电源线的走线空间，能够有效增加该公共电源线的走线线宽，从而减小了该公共电源线的走线电阻，降低了公共电源线产生的压降，使得显示面板的显示亮度均一，提高了显示面板的显示效果。

另外，可选地，像素电路单元包括：薄膜晶体管、存储电容和层间介质层；薄膜晶体管包括：有源层，有源层位于基板的上表面；栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖有源层上表面以及包围有源层的侧壁；栅极，栅极位于栅极绝缘层的上表面且对应有源层的位置；源极和漏极，源极与漏极分别位于栅极左右两侧对应的有源层内；存储电容包括：由栅极作为的下电极板；绝缘介质层，绝缘介质层覆盖下电极板上表面以及包围下电极板的侧壁，绝缘介质层的上表面为远离下电极板的表面；上电极板，上电极板位于绝缘介质层的上表面；层间介质层位于绝缘层的下表面与栅极绝缘层之间；公共电源线与存储电容的上电极板电连接，数据线与薄膜晶体管的源极电连接。公共电源线与存储电容的上电极板连接，数据线与薄膜晶体管的源极连接，实现数据线为像素电路单元提供数据信号，以及实现公共电源线为像素电路单元供电，以满足像素电路单元的需求。

另外，可选地，第二金属层作为公共电源线，第一金属层作为数据线。第一金属层和第二金属层中任意一个可以用作公共电源线，通过确定第二金属层为公共电源线，可唯一确定第一金属层作为数据线，并可确定第一金属层与薄膜晶体管的源极电连接，第二金属层与存储电容电连接。

另外，可选地，显示面板还包括：第一导电结构，第一导电结构从绝缘层延伸至栅极绝缘层，第一导电结构一端与第一金属层相接触，第一导电结构另一端与薄膜晶体管的源极相接触；第二导电结构，第二导电结构设置在层间介质层中，第二导电结构一端与第二金属层接触，第二导电结构另一端与上电极板接触。由于第一金属层与薄膜晶体管的源极之间有栅极绝缘层以及层间介质层，为了便于该第一金属层与薄膜晶体管的源极连接，设置一端与第一金属层接触，另一端与薄膜晶体管的源极接触的第一导电结构，通过第一导电结构可简单且快速地实现第一金属层与薄膜晶体管的源极电连接，节省走线空间，同理，通过第二导电结构，也可简单、节省空间走线的方式实现该第二金属层与存储电容的上电极板之间的电连接。

另外，优选地，第一金属层作为公共电源线，第二金属层作为数据线。第一金属层作为公共电源线，而第二金属层作为数据线，由于第一金属层位于第二金属层的上层，不会有其他的连接线占用第一金属层的走线空间，使得第一金属层有足够的走线空间，而将第一金属层作为公共电源线，可以进一步提高公共电源线的走线空间，进一步提高显示面板的亮度的均一性。

另外，优选地，显示面板还包括：第三导电结构，第三导电结构从绝缘层延伸至层间介质层，第三导电结构一端与第一金属层接触，第三导电结构另一端与上电极板接触；第四导电结构，第四导电结构从层间介质层延伸至栅极绝缘层，第四导电结构一端与第二金属层接触，第四导电结构另一端与源极相接触。由于第一金属层与存储电容之间有绝缘层以及层间介质层，通过一端与第一金属层接触，另一端与存储电容的上电极板接触的第三导电结构，即可简单且快速地实现第一金属层与存储电容电连接，同理，通过第四导电结构，也可简单、节省空间走线的方式实现该第二金属层与薄膜晶体管的源极电连接。

另外，优选地，第三导电结构为贯穿绝缘层和层间介质层的导电通孔；或者，第三导电结构包括：第三导电过孔，第三导电过孔设置绝缘层中，第三导电过孔一端与第一金属层接触；金属沉淀区，金属沉淀区位于绝缘层中，金属沉淀区具有上表面和与金属沉淀区的上表面相对的下表面，金属沉淀区的上表面与第三导电过孔接触，金属沉淀区与第二金属层之间电绝缘；第四导电过孔，第四导电过孔设置在层间介质层中，第四导电过孔一端与金属沉淀区的下表面接触，第四导电过孔另一端与上电极板相接触。即第三导电结构有两种形式，若第三导电结构包含第三导电过孔、金属沉淀区和第四导电过孔，由于金属沉淀区面积较大，可以更好的导通第一金属层与存储电容的上电极板。

另外，优选地，作为公共电源线的第一金属层或第二金属层呈网格结构。公共电源线呈网格结构布设，可以实现各个像素电路单元对应的电源的并联，从而保证公共电源线的电源电压的稳定性，可以进一步确保显示面板的亮度的均一性。

另外，优选地，绝缘层的上表面与第二金属层上表面之间的距离为0.1μm至4μm。绝缘层的上表面与第二金属层上表面之间的距离的范围在0.1μm至4μm，可以保证第一金属层下表面和第二金属层上表面之间绝缘，有效防止公共电源线与数据线之间发生信号干扰。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是根据本实用新型第一实施方式提供的显示面板的具体结构的剖面图；

图2是根据本实用新型第一实施方式提供的第一导电结构的具体结构的剖面图；

图3是根据本实用新型第一实施方式提供的第二金属层的网格结构俯视示意图；

图4是根据本实用新型二实施方式提供的显示面板的具体结构的剖面图；

图5是根据本实用新型第二实施方式提供的第三导电结构的具体结构的剖面图；

图6是根据本实用新型第二实施方式提供的第一金属层的网格结构俯视示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

发明人发现在目前的显示面板中，公共电源线和数据线通常同层设置，由于公共电源线和数据线同层设置，导致该公共电源线的走线线宽变得非常狭窄，增大了公共电源线的走线电阻，导致公共电源线的走线压降较大，显示面板的显示亮度不均，影响了显示面板的显示效果。

本实用新型的第一实施方式涉及一种显示面板。该显示面板应用于显示装置中，显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件。图1为本实用新型的剖面结构示意图。

参考图1，该显示面板包括：基板40以及设置在基板40上的至少一个像素电路单元、绝缘层10、第一金属层20以及第二金属层30。该基板40可以为柔性基板，如塑料基板，也可以为刚性基板，如玻璃基板。

像素电路单元包括：薄膜晶体管21、存储电容22以及层间介质层70。绝缘层10位于像素电路单元的上方，即绝缘层10处于像素电路单元的上方，基板40处于与像素电路单元的上方相对的下方，绝缘层10具有上表面101和与上表面101相对的下表面102，绝缘层10的上表面101为绝缘层10远离像素电路单元的一侧表面。

薄膜晶体管21包括：有源层211，该有源层211位于基板40的上表面，栅极绝缘层50覆盖有源层211上表面以及包围有源层211的侧壁，栅极绝缘层50还覆盖有源层211露出的基板40表面，有源层211的上表面为远离基板40的一侧表面；栅极214位于栅极绝缘层50的上表面且对应有源层211的位置；源极212和漏极213，源极212和漏极213分别位于栅极214左右两侧对应的有源层211内，其中，源极212上表面为远离基板40的一侧表面。

存储电容22包括：由栅极214作为的下电极板；绝缘介质层60覆盖下电极板上表面以及包围下电极板的侧壁，下电极板上表面为远离栅极绝缘层50的一侧表面；上电极板221位于绝缘介质层60的上表面，绝缘介质层60的上表面为远离下电极板的表面。

层间介质层70位于绝缘层10的下表面102与栅极绝缘层50之间，本实施方式中，绝缘介质层60覆盖栅极绝缘层50的上表面，则层间介质层70位于绝缘层10的下表面102与绝缘介质层60之间。

第一金属层20位于绝缘层10的上表面101。第二金属层30位于绝缘层10的上表面101和下表面102之间，且绝缘层10至少覆盖第二金属层30的上表面以及该第二金属层30的侧壁，且第一金属层20或第二金属层30中的一个作为公共电源线，另一个作为数据线。公共电源线与存储电容的上电极板221电连接，数据线与薄膜晶体管的源极212电连接。

需要说明的是，本实施方式中，第二金属层30位于绝缘层10内部，且第二金属层30下表面与绝缘层10的下表面102齐平，第二金属层30下表面与层间介质层70上表面相接触。

在其他实施方式中，第二金属层30也可以位于绝缘层10内部，且绝缘层10包裹第二金属层30下表面。

像素电路单元的电路结构可以采用OLED中的2T1C结构，也可以采用其他的电路结构，如：3T1C、4T1C、7T1C等。实际应用中，可以根据选择电路结构。

由于第一金属层20与第二金属层30处于不同层，因此在布局第一金属层20时无需考虑为第二金属层30预留空间位置，因此第一金属层20的走线宽度可以设置的较宽，从而降低第一金属层20的走线电阻，降低第一金属层20的走线压降。同样的，在布局第二金属层30时无需考虑为第一金属层20预留空间位置，因而可以增加第二金属层30的走线线宽，降低第二金属层30的走线电阻，使得第二金属层30的走线压降减小。因此将第一金属层20或第二金属层30中的一个作为用于向像素电路单元供电的公共电源线，另一个作为用于向像素电路单元提供数据信号的数据线，即将公共电源线和数据线不同层设置，能够使得显示面板的显示亮度更为均一，从而提高了该显示面板的显示效果。

一个具体的实施例中，将第一金属层20作为数据线，将第二金属层30作为公共电源线。下面本实施方式将结合图1说明公共电源线与存储电容22的上电极板221的电连接，以及数据线与薄膜晶体管21的源极212电连接。

该第一金属层20通过第一导电结构801与薄膜晶体管21的源极212电连接，该第一导电结构801从绝缘层10延伸至栅极绝缘层50，且第一导电结构801一端与第一金属层20相接触，第一导电结构801另一端与薄膜晶体管21的源极212上表面相接触，源极212上表面为远离基板40的一侧表面。

本实施方式中，如图1所示，该第一导电结构801可以为贯穿绝缘层10和栅极绝缘层50的导电通孔。图2为第一导电结构801的另一种结构示意图。

在其他实施方式中，如图2所示，第一导电结构801还可以包括：第一导电过孔8011，该第一导电过孔8011一端与第一金属层20相接触；与该第一导电过孔8011另一端相接触的为金属沉淀区8012，金属沉淀区8012设置在绝缘层10中，金属沉淀区8012具有上表面和与金属沉淀区8012的上表面相对的下表面，且金属沉淀区8012上表面与第一导电过孔8011相接触；第二导电过孔8013，该第二导电过孔8013一端与金属沉淀区8012下表面相接触，另一端与薄膜晶体管的源极212上表面相接触。由于第二金属层30均位于绝缘层10的上表面101和下表面102之间，因而需要金属沉淀区8012与第二金属层30之间电绝缘。

第一导电过孔8011与第一金属层20接触，第二导电过孔8012与薄膜晶体管的源极212接触，而第一导电过孔8011通过金属沉淀区8012电连接第二导电过孔8013，从而使得第一金属层20通过第一导电结构801与薄膜晶体管的源极212电连接，相比较于只有一个导电通孔的结构，金属沉淀区8012的面积大，从而使得第一导电结构801可以更好的导通第一金属层和薄膜晶体管的源极212。

值得一提的是，本实施方式中，绝缘介质层60覆盖栅极绝缘层50整个表面，相应的第一导电结构801穿过绝缘层10、层间介质层70、绝缘介质层60以及栅极绝缘层50；在其他实施方式中，若存储电容22中的绝缘介质层60仅位于存储电容22的上电极板表面221与下电极板表面214之间，则第一导电结构801穿过该绝缘层10、层间介质层70和栅极绝缘层50即可。

第二金属层30通过第二导电结构802与存储电容22电连接。该第二导电结构802设置在层间介质层70中，第二导电结构802一端与第二金属层30接触，第二导电结构802另一端与上电极板221的上表面接触。其中，如图1所示，第二导电结构802可以为导电通孔。

其中，第二金属层30呈网格结构布设在层间介质层70的上表面，该网格结构可以呈方形，但不限于此种形状。其中，图3为第二金属层30一个网格的俯视示意图。图3中，第二金属层30为公共电源线，第二金属层30通过第二导电结构802与存储电容的上电极板221接触。

需要说明的是，绝缘层10的上表面101与第二金属层30上表面之间的距离为0.1μm至4μm，例如为0.8μm、1.5μm、3μm。

绝缘层10的上表面与第二金属层30上表面之间的距离的范围保持在0.1μm至4μm之间，可以保证第一金属层20下表面和第二金属层30上表面之间具有良好的绝缘，有效防止公共电源线与数据线之间发生信号干扰。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，由于目前显示面板中，公共电源线和数据线均同层设置，而随着显示面板的分辨率和像素的提高，像素电路单元越来越小，导致公共电源线和数据线的走线越来越细，公共电源线的走线出现较大的电压降，导致显示面板不同位置的像素亮度不同，而本实施方式中将位于绝缘层的上表面的第一金属层和位于绝缘层的上表面和下表面之间的第二金属层中的一个作为公共电源线，另一个作为数据线；即新增一个金属层，将公共电源线和数据线分别设于两个单独的层，使得公共电源线无需和数据线同层设置，大大提高了公共电源线的走线空间，能够有效增加该公共电源线的走线线宽，从而减小了该公共电源线的走线电阻，降低了公共电源线产生的压降，使得显示面板的显示亮度均一，提高了显示面板的显示效果。

本实用新型的第二实施方式涉及一种显示面板。在本实用新型第二实施方式中，第一金属层20作为公共电源线，第二金属层30作为数据线，该显示面板的具体结构的剖面图如图4所示。

第一金属层20作为公共电源线，该第一金属层20通过第三导电结构803与存储电容22电连接；第三导电结构803从绝缘层10延伸至层间介质层70，该第三导电结构803一端与第一金属层20接触，第三导电结构803另一端与存储电容22的上电极板221的上表面接触。

本实施方式中，如图4所示，该第三导电结构803可以为贯穿绝缘层10和层间介质层的导电通孔。图5为第三导电结构803的另一种结构示意图。

在其他实施方式中，如图5所示，第三导电结构803还可以包括：第三导电过孔8031，该第三导电过孔8031一端与第一金属层20相接触；与该第三导电过孔8031另一端相接触的金属沉淀区8032，且金属沉淀区8032设置在绝缘层10中，金属沉淀区8032具有相对的上表面和下表面，且金属沉淀区8032上表面与第三导电过孔8031相接触；第四导电过孔8033，该第四导电过孔8033一端与金属沉淀区8032下表面相接触，另一端与存储电容的上电极板221上表面相接触。其中，由于第二金属层30位于绝缘层10的上表面和下表面之间，因而需要金属沉淀区8032与第二金属层30之间电绝缘。

第二金属层30作为数据线，该第二金属层30通过第四导电结构804与薄膜晶体管的源极212电连接。第四导电结构804从层间介质层70延伸至薄膜晶体管的栅极绝缘层50，第四导电结构804一端与第二金属层30接触，第四导电结构804另一端与薄膜晶体管21的源极212的上表面接触。

第一金属层20呈网格结构布设在绝缘层10的上表面101，该网格可以为方形，但不限于此种形状；其中，图6为第一金属层20一个网格的俯视示意图，图6中，第一金属层20为公共电源线，第一金属层20通过第三导电结构803与存储电容的上电极板221接触。

本实施方式提供的显示面板，由于第一金属层位于第二金属层的上层，不会有其他的连接线占用第一金属层的走线空间，使得第一金属层有足够的走线空间，而将第一金属层作为公共电源线，可以进一步提高公共电源线的走线空间，进一步增加该公共电源线的线宽，减小该公共电源线的走线电阻，进一步提高了显示面板的亮度的均一性。

本实用新型的第三实施方式涉及一种显示装置，该显示装置包括第一实施方式或第二实施方式中的显示面板。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。