基板处理装置的制作方法

本实用新型涉及一种基板处理装置，更详细而言，涉及一种打开腔室时在搬运部形成气帘从而切断室外空气和颗粒流入腔室内部的基板处理装置。

背景技术：

随着最近信息通信领域的飞速发展和电脑等信息媒体的大众化，半导体设备也腾飞发展。另外，在功能方面，根据半导体装置的元件高集成化的倾向，为了缩小基板上形成的个别元件的大小，同时使得元件性能最大化，正在研究开发各种方法。

一般情况下，半导体元件需要反复进行多个基板处理而制造，例如光刻、沉积及蚀刻、涂抹光刻胶、显像、清洗和干燥工艺等。

每个工艺均利用符合各自目的的工艺流体而进行，每个工艺需要适当的工艺环境。

一般，各工艺是在组成相关的工艺环境的腔室或槽室里容纳基板而形成的，为了防止外部颗粒的流入，可以在密封的腔室内部容纳基板。

在进行各工艺的基板上残留有金属杂质和有机物等颗粒，此类污染物会导致基板的工艺不良，将对产品的收率及可信性产生负面影响。

因此，为了去除颗粒，在每个工艺结束时，反复进行清洗和干燥工艺是非常重要的。

参照附图1来说明依据以往技术的单晶圆基板处理装置和利用其进行基板处理的方法。

根据以往技术的基板处理装置包括：腔室10，其由第一外壳11和第二外壳12结合而成，并在封闭的基板处理空间里容纳基板w并进行处理；以及驱动部40，其用于支撑所述第二外壳12使第二外壳12上下移动，从而开关所述腔室10。

当所述基板w进入腔室10内部或从所述腔室10内部搬出外部时，所述腔室10被打开，在所述腔室10内部进行基板w的处理工艺期间所述腔室10保持关闭状态。

所述驱动部40由进行升降驱动的汽缸构成。

如图1(a)所显示，当所述汽缸伸长时，所述第二外壳12将会上升，随后所述第一外壳11的法兰部21和所述第二外壳12的法兰部22相结合，封闭所述腔室10。

如图1(b)所显示，当所述汽缸缩短时，所述第二外壳12将会下降，随后所述腔室10将会被打开，从而在所述第一外壳11的法兰部21和所述第二外壳12的法兰部22之间形成使所述腔室10内外相通的搬运部30。

如上所述，根据以往技术的基板处理装置，打开所述腔室10时，室外空气和颗粒可以通过所述搬运部30流入所述腔室10内部。

因此，会对所述腔室10内部的基板处理环境产生不利影响，并且会出现不良基板。

作为与如上所述基板处理装置相关的现有技术之一，有韩国注册专利第10-2015-0064494号。

技术实现要素：

本实用新型正是为了解决如上所述课题而研发的，本实用新型的目的在于提供一种打开腔室时在搬运部形成气帘从而防止室外空气和颗粒流入腔室内部的基板处理装置。

旨在解决如上所述课题的本实用新型的基板处理装置包括：腔室，其内部形成有空间；以及流体喷射部，其向连接所述腔室内外的搬运部外侧喷射流体从而形成气帘。

所述流体喷射部可以垂直向下喷射所述流体或向所述腔室的外侧下方斜射所述流体。

在第一外壳和第二外壳相结合构成的所述腔室中，流体喷射部可以沿着所述第一外壳的法兰部的周围按一定间隔配备多个，也可以沿着所述第一外壳的法兰部的周围设置为环形。

所述流体喷射部至少配备一个喷射部，喷射部用于喷射流体，所述至少一个喷射部可以沿着所述第一外壳的法兰部的周围按一定间隔配备，也可形成为狭缝形态。

所述流体可以是洁净空气或非活性气体。

根据本实用新型的基板处理装置，打开腔室时形成隔断搬运部的气帘，防止室外空气和颗粒流入腔室内部，从而降低基板的不良发生率。

附图说明

图1是显示根据以往技术的基板处理装置的略图。

图2是显示根据本实用新型的第1实施例的基板处理装置的略图。

图3是显示根据本实用新型的第2实施例的基板处理装置的略图。

图4是显示根据本实用新型的第3实施例的基板处理装置的略图。

图5是显示根据本实用新型的第4实施例的基板处理装置的略图。

图6是显示根据本实用新型的第5实施例的基板处理装置的略图。

图7是显示根据本实用新型的第6实施例的基板处理装置的略图。

图8是显示根据本实用新型的第7实施例的基板处理装置的略图。

图9是显示根据本实用新型的第8实施例的基板处理装置的略图。

附图标记

1-1,1-2,1-3,1-4,1-5,1-6,1-7,1-8:基板处理装置

200，200-1，200-2，200-3，200-4：流体喷射部

w：基板

a，a-1，a-2，a-3，a-4：气帘

100：腔室105：搬运部

110：上部外壳111：上部外壳的法兰部

120：下部外壳121：下部外壳的法兰部

201：喷射部

具体实施方式

以下参照附图，详细说明本实用新型的基板处理装置相关构成及作用如下。

在此，将省略说明以往技术中说明的内容及重复的内容，重点说明本实用新型中新附加的构成因素。

参照图2和图3，说明根据本实用新型的基板处理装置的第1实施例和第2实施例。

根据本实用新型的基板处理装置(1-1，1-2)包括：腔室100，其在内部收容并处理基板w；以及流体喷射部200，其向连接所述腔室100内外部的搬运部105的外侧喷射流体，之后形成气帘a。

所述基板w可以是作为半导体基板的硅片。然而，本实用新型不受限于此，所述基板w也可以是用于液晶显示器(lcd，liquidcrystaldisplay)和等离子显示板(pdp，plasmadisplaypanel)的类似于平板显示器装置用玻璃等透明基板。所述基板w的形状及大小不受限于本实用新型的附图，实际上可以有圆形及四角形板等多种形状和大小。

所述基板w的处理工艺通过向所述基板w上至少供应一种工艺流体而实现。

在所述基板w的清洗工艺中，为去除因所述工艺流体产生的所述基板w上的污染物质需要使用清洗剂。

所述清洗剂可以根据处理对象的污染物的种类提供多种种类。例如，为了去除抗蚀剂，可以使用有机溶剂和氮气(n2)。另，为了去除氧化硅(sio)可以使用水、氟化氢(hf)、异丙醇(ipa)和氮气(n2)气体等。另，为了去除金属可以使用盐酸(hcl)、臭氧(o3)、氮气(n2)。另外，为了去除抗蚀剂以外的有机物质，可以使用臭氧(o3)和氮气(n2)。此外，为去除颗粒，可以使用氨水(apm)、氮气(n2)或氩气(ar)。另，为了去除氟(f)、氯(cl)和氨(nh4)的离子，可以使用水、异丙醇(ipa)和氮气(n2)。

另外，在所述基板w的干燥工艺中，作为所述工艺流体使用干燥基板w的干燥剂。

针对供应至基板w上的清洁剂类型配有所述干燥剂，可以使用二氧化碳(co2)、水(h2o)、甲烷(ch4)、乙烷(c2h6)、丙烷(c3h8)、乙烯(c2h4)、丙烯(c2h2)、甲醇(c2h3oh)、乙醇(c2h5oh)、六氟化硫(sf6)、丙酮(c3h8o)等超临界流体。

为了根据所述工艺流体的种类处理所述基板w而需要满足一定范围的温度和压力的基板处理环境，所述基板处理环境取决于所述工艺流体的种类。

举个例子，利用超临界流体的基板处理工艺的情况，为了使流体保持超临界状态，需要满足临界温度以上的高温和临界压力以上的高压的基板处理环境。

所述腔室100在内部形成有提供所述基板处理环境的基板处理空间。

为此，所述腔室100由具有规定厚度的高刚性材料构成，由高耐热性和耐压性的材料构成，能够承受温度和压力的变化，或者由具有耐化学性和耐蚀性的材料构成，以避免因与清洁剂或干燥剂发生反应而变质或腐蚀，从而影响基板处理工艺。

满足所述条件的材料有不锈钢(sus)。不锈钢由于其高刚性，优异的耐热性、耐腐蚀性、耐化学性，可及性和经济优势，成为构成腔室100的最常用的材料之一。

当所述基板w被搬进腔室100内部或从所述腔室100内部搬出外部时，所述腔室100被打开，在所述腔室100内部进行所述基板w的处理工艺期间，所述腔室100保持封闭状态。

所述腔室100由以在内部形成封闭的基板处理空间的形式结合的第一外壳110和第二外壳120构成。

所述第一外壳110可以以保持固定的位置的形式设置，所述第二外壳120与驱动部104连接，随着所述驱动部104的驱动，所述第二外壳120移动并与所述第一外壳110结合或分离，从而开关所述腔室100。

此时，所述第一外壳110可以与所述第二外壳120的上部相结合，随着所述驱动部104的驱动，所述第二外壳120上下移动，并与所述第一外壳110相结合或分离。

所述驱动部104可以由上下驱动的汽缸构成，也可以由电动机构成，可以通过利用齿条与小齿轮传动装置将旋转驱动转变为线性驱动等多种方法移动所述第二外壳120。

在所述第一外壳110和所述第二外壳120相结合的结合部形成有法兰部111、121。

当所述第二外壳120下降后与所述第一外壳110分离时，所述第一外壳110的法兰部111和所述第二外壳120的法兰部121之间会被打开，形成搬入或搬出所述基板w的搬运部105。

所述流体喷射部200与供应所述流体的气体供应箱(未示出)连接，并形成至少一个喷射所述流体的喷射部201。

所述流体作为净化气体可以是洁净空气，也可以是非活性气体，尤其可以是氮气(n2)。

由所述流体形成的所述气帘a隔断所述搬运部105，因此起到防止室外空气和颗粒流入所述腔室100内部的基板处理空间的作用。

在所述腔室100的外侧配备所述流体喷射部200，尤其配置在所述第一外壳110的法兰部111，由此在所述搬运部105的外侧形成所述气帘a。

正如图2所示，根据本实用新型的第1实施例的基板处理装置1-1，在所述流体喷射部200的下侧配有所述喷射部201，因此能够向所述搬运部105垂直向下地喷射所述流体。

由此，形成了从第一外壳110的法兰部111延伸到第二外壳120的法兰部121的垂直向下的气帘a-1。

所述垂直向下的气帘a-1上下紧密地隔断所述搬运部105，防止室外空气和颗粒流入。

另外，如图3所示，根据本实用新型的第2实施例的基板处理装置1-2，遵循所述第1实施例的构成，在流体喷射部200下方配置的喷射部201向腔室100的外侧下方斜射流体。

由此，形成从第一外壳110的法兰部111延伸到第二外壳120的法兰部121外侧的向下倾斜的气帘a-2。

所述向下倾斜的气帘a-2不仅防止下降的室外空气及外部颗粒的流入，而且使得所述流体和所述第二外壳120的法兰部121的碰撞降到最低程度，可以防止由此产生的涡流导致所述腔室100的内部环境发生变化。

此时，所述向下倾斜的气帘a-2的倾斜角α可以从垂直方向向外倾斜5度至15度。

另外，如图4所示，根据本实用新型的第3实施例的基板处理装置1-3，遵循所述第1实施例的构成，第二外壳120的法兰部121配有流体喷射部200，所述流体喷射部200的上侧配有喷射部201，垂直向上喷射流体。

由此，形成从第二外壳120的法兰部121延伸到第一外壳110的法兰部111的垂直向上的气帘a-3。

所述垂直向上的气帘a-4推出从所述腔室100的上侧下降的室外空气及外部颗粒，从而切断接近所述搬运部105的接近路径，防止室外空气或外部颗粒的流入。

另外，如图5所示，根据本实用新型的第4实施例的基板处理装置1-4，遵循所述第3实施例的构成，喷射部201可以向腔室100的外侧上方斜射流体。

由此，形成从第二外壳120的法兰部121延伸到第一外壳110的法兰部111的外侧的向上倾斜的气帘a-4。

所述向上倾斜的气帘a-4推出从所述腔室100的上侧下降的室外空气及外部颗粒，从而不仅切断接近所述搬运部105的接近路径，而且将所述流体和所述第一外壳110的法兰部111的碰撞降到最低程度，可以防止由此产生的涡流导致所述腔室100的内部环境发生变化。

此时，所述向上倾斜的气帘a-4的倾斜角β从垂直方向向外倾斜5度至15度。

如下，参照图6说明根据本实用新型的基板处理装置的第5实施例。

根据本实用新型的第5实施例的基板处理装置1-5，遵循所述的第1实施例的构成，沿着第一外壳110的法兰部111的周围配备多个流体喷射部200-1、200-2、200-3，这一点与第1实施例的构成有差别。

所述第一外壳110的法兰部111和所述第二外壳120的法兰部121分别在所述第一外壳110和所述第二外壳120的末端形成为环形，由此在腔室100的搬运部105或在所述第一外壳110的法兰部111和所述第二外壳120的法兰部121之间形成为环形。

根据本第5实施例的所述多个流体喷射部200-1、200-2、200-3，沿着所述第一外壳110的法兰部111，按一定间隔配备，由此形成均匀地隔断环形形态的所述搬运部105的气帘a。

另外，在所述多个流体喷射部200-1、200-2、200-3配备的至少一个喷射部201，沿着所述第一外壳110的法兰部111按一定间隔配备，使得所述气帘a更紧密地形成。

如下，参照图7说明根据本实用新型的基板处理装置的第6实施例。

根据本实用新型的第6实施例的基板处理装置1-6，遵循所述的第5实施例的构成，在多个流体喷射部200-1、200-2、200-3配备的至少一个喷射部201以狭缝形态形成，这一点与第3实施例的构成有差别。

根据本第6实施例，供应至所述多个流体喷射部200-1、200-2、200-3的流体，通过所述狭缝形态的至少一个喷射部201喷射，由此形成隔断更大面积搬运部105的气帘a。

如下，参照图8说明根据本实用新型的基板处理装置的第7实施例。

根据本实用新型的第7实施例的基板处理装置1-7，遵循所述的第1实施例的构成，沿着第一外壳110的法兰部111的周围以环形形态配备流体喷射部200-4，这一点与第1实施例的构成有差别。

在根据本第7实施例的所述流体喷射部200-4按一定间隔设置至少一个喷射部201，由此形成均匀地隔断环形搬运部105的气帘a。

如下，参照图9说明根据本实用新型的基板处理装置的第8实施例。

根据本实用新型的第8实施例的基板处理装置1-8，遵循所述的第7实施例的构成，在流体喷射部200-4配备的至少一个喷射部201以狭缝形态形成，这一点与第7实施例的构成有差别。

根据本第8实施例，供应至所述多个流体喷射部200-4的流体，通过所述狭缝形态的至少一个喷射部201喷射，形成隔断更大面积搬运部105的气帘a。

正如所述说明，根据本实用新型的基板处理装置，由供气部200喷射流体，形成隔断腔室100的搬运部105外侧的气帘，由此防止室外空气及外部颗粒流入所述腔室100内部的基板处理空间，从而降低基板w的不良发生率。

本实用新型不受限于所述的实施例，基于权利要求书要求的本实用新型的技术性思想，在该实用新型所属的技术领域的知识分子能够进行显而易见的变形实施，这样的变形实施属于本实用新型的范围。