用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法与流程

用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法
[0001]
优先权声明
[0002]
本申请与美国临时申请系列号16/020,178相关并且要求美国临时申请系列号16/020,178的优先权的权益，美国临时申请系列号16/020,178是于2018年6月27日提交的，名称为“method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process(用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法)”，美国临时申请系列号16/020,178要求于2018年6月15日提交的名称为“method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process(用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法)”的美国临时申请系列号62/685,564的优先权的权益，其整体为了所有目的通过引用而并入。
技术领域
[0003]
本公开大体上涉及使用多循环热处理工艺处理工件的方法。


背景技术：

[0004]
在半导体加工中，可实施高级的膜沉积或去除工艺，以处理工件，比如半导体晶片。膜沉积或去除工艺可包括重复的热循环。例如，原子层沉积或刻蚀工艺可包括交替的表面处理和表面激活工艺的多个循环，其中在每个循环期间，材料被沉积或从工件上去除。在一些情况下，可在不同的温度进行表面激活和表面处理工艺。例如，表面激活工艺可包括在与进行表面处理步骤的温度相比升高的温度发生的退火或表面化学反应。当需要多个表面激活和/或表面处理工艺以处理工件时，实施工艺所需的时间的量可限制半导体制造工艺的生产量(例如，制造的工件的数量)。


技术实现要素：

[0005]
本公开的实施方式的方面和优点将部分在以下描述中阐述，或可从描述中得知，或可通过实施方式的实践而得知。
[0006]
本公开的一个示例方面涉及用于处理工件的方法。方法可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括在处理腔室中在工件上进行多循环热处理工艺。多循环热处理工艺可包括至少两个热循环。至少两个热循环的每个热循环可包括在第一温度在工件上进行第一处理；将工件的设备侧表面加热至第二温度；在近似第二温度在工件上进行第二处理；和在进行第二处理之后使工件冷却。热循环可在相同的处理腔室中进行，而不用从处理腔室中取出工件。
[0007]
参考以下描述和所附权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图阐释了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关的原理。
[0008]
附图简述
[0009]
指导本领域技术人员的实施方式的详细讨论阐释在参考了所附附图的说明书中，
其中：
[0010]
图1描绘了根据本公开的示例实施方式的示例工件处理装置的横截面图；
[0011]
图2描绘了根据本公开的示例实施方式的用于处理工件的方法的流程图；
[0012]
图3描绘了根据本公开的示例实施方式的示例多循环热处理工艺的流程图；
[0013]
图4描绘了根据本公开的示例实施方式的示例基座；
[0014]
图5描绘了根据本公开的示例实施方式的多循环热处理工艺的图示；以及
[0015]
图6描绘了根据本公开的示例实施方式的示例等离子体处理装置。
具体实施方式
[0016]
现将详细参考在附图中阐释了其一个或多个示例的实施方式。通过实施方式的解释，而非限制本公开来提供每个示例。实际上，对本领域技术人员显而易见的是，在不偏离本公开的范围或精神的情况下，可对实施方式进行各种修改和变化。例如，阐释或描述为一个实施方式的一部分的特征可与另一个实施方式一起使用，以产生仍进一步的实施方式。因此，期望在本公开的方面覆盖这种修改和变化。
[0017]
本公开的示例性方面涉及用于使用多循环热处理工艺处理工件的方法。方法可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括在将工件设置在处理腔室内的同时，在工件上实施多循环热处理工艺。多循环热处理工艺可包括多个热循环。每个热循环可在相同的处理腔室中进行，而不用从处理腔室中取出工件。在进行多循环热处理工艺之后，方法可包括从处理腔室中取出工件。
[0018]
在一些实施方式中，多循环热处理工艺的每个循环可包括在第一温度在工件上进行第一处理。例如，进行第一处理包括将工件暴露于在远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素。可选地和/或另外，进行第一处理可包括将工件暴露于一种或多种气体。
[0019]
在一些实施方式中，多循环热处理工艺的每个循环可包括将工件的设备侧表面加热至第二温度。更具体地，可将处理腔室内设置的一个或多个闪光灯配置为将工件的设备侧表面加热。在一些实施方式中，可将一个或多个闪光灯配置为在小于约一秒内将工件的设备侧表面加热至第二温度。例如，可将一个或多个闪光灯配置为在约0.5毫秒至约10毫秒内将工件的设备侧表面加热至第二温度。在一些实施方式中，可将一个或多个灯配置为在小于约1.0毫秒内将工件的设备侧表面加热至第二温度。
[0020]
在一些实施方式中，多循环热处理工艺的每个循环可包括在近似第二温度在工件上进行第二处理。在一些实施方式中，第二处理工艺可包括将工件的设备侧表面暴露于一种或多种气体。可选地和/或另外地，第二处理工艺可包括将工件的设备侧表面暴露于在远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素。在一些实施方式中，第二处理可包括在工件的设备侧表面上实施化学反应。
[0021]
在一些实施方式中，多循环热处理工艺的每个循环可包括在进行第二处理之后使工件冷却。例如，可将工件主体和/或设置在处理腔室内并且支撑工件的基座配置为在第二温度进行的第二处理后使工件冷却。在一些实施方式中，可将基座配置为容纳流体流以使工件冷却。应当认识到，流体流可包括任何合适的流体(例如，液体或气体)。例如，流体流可包括氟利昂。作为另一示例，流体可包括水。作为仍另一示例，流体可包括乙二醇。作为仍另一示例，流体可包括乙二醇和水。
[0022]
在一些实施方式中，多循环热处理工艺可与原子层沉积工艺相关。可选地和/或另外地，多循环热处理工艺可与原子层刻蚀工艺相关。在一些实施方式中，在多循环热处理工艺的每个循环期间，可从工件中去除材料层。可选地和/或另外地，在多循环热处理工艺的每个循环期间，可将材料层沉积至工件上。
[0023]
在一些实施方式中，用于处理工件的方法可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括进行包含至少两个热循环的多循环热处理工艺。至少两个热循环的每个热循环可包括在第一温度在工件上进行第一处理；将工件的设备侧表面加热至第二温度；在近似第二温度在工件上进行第二处理；和在进行第二处理之后使工件冷却。
[0024]
在一些实施方式中，一个或多个闪光灯可用于将工件的设备侧表面加热至第二温度。更具体地，一个或多个闪光灯可在小于约一秒内将工件的设备侧表面加热至第二温度。
[0025]
在一些实施方式中，使工件冷却包括使用基座使工件冷却。更具体地，可将基座配置为容纳流体流以使工件冷却。在一些实施方式中，流体包括氟利昂。然而，应当认识到，任何合适的流体(例如，气体、液体)可用于使工件冷却。作为示例，流体可包括水。作为另一示例，流体可包括乙二醇。作为仍另一示例，流体可包括乙二醇和水。
[0026]
在一些实施方式中，进行第一处理工艺包括将工件的设备侧表面暴露于在远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素。可选地和/或另外地，进行第一处理包括将工件的设备侧表面暴露于一种或多种气体。
[0027]
在一些实施方式中，进行第二处理工艺包括将工件的设备侧表面暴露于一种或多种气体。可选地和/或另外地，进行第二处理包括将工件的设备侧表面暴露于在远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素。在一些实施方式中，在远程等离子体腔室和处理腔室之间设置栅。
[0028]
在一些实施方式中，第二处理包括退火处理。可选地和/或另外地，第二处理包括在工件的设备侧表面上实施化学反应。
[0029]
在一些实施方式中，用于处理工件的方法包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。方法可包括工件在处理腔室内的同时，在工件上进行多循环热处理工艺(例如，并且不用从处理腔室中取出工件)。多循环热处理工艺包括在第一温度在工件上进行第一处理；将工件的设备侧表面加热至第二温度；在第二温度在工件上进行第二处理；和在进行第二处理之后使工件冷却。在使工件冷却之后，多循环热处理工艺包括在第一温度在工件上进行第三处理。在进行第三处理之后，多循环热处理工艺包括将工件的设备侧表面加热至近似第二温度。在进行第三处理之后，多循环热处理工艺包括在近似第二温度在工件上进行第四处理。在进行第四处理之后，多循环热处理工艺包括使工件冷却。在一些实施方式中，一个或多个闪光灯可用于在小于一秒内将工件的设备侧表面加热至第二温度。
[0030]
在一些实施方式中，第三处理相当于第一处理。可选地和/或另外地，第四处理相当于第二处理。在一些实施方式中，第二处理和第四处理二者包括退火处理。在一些实施方式中，第二处理和第四处理二者包括在工件的设备侧表面上实施化学反应。
[0031]
根据本公开的示例性方面的方法提供了许多技术效益。例如，用一个或多个闪光灯或其他热源将工件的设备侧表面加热可减少将设备侧表面的温度从第一温度升高至第二温度所需要的时间量。另外，用基座使工件冷却可减少使温度从第二温度降至第一温度所需要的时间量。如此，可减少多循环热处理工艺的每个循环所需的时间量。因为多热循环
可在相同的处理腔室中实施，所以可减少用处理腔室(例如，用于加热和冷却)之间循环的时间，产生更快的处理时间。
[0032]
为了阐释和讨论的目的，参考“晶片”或半导体晶片讨论了本公开的方面。使用本文提供的公开，本领域普通技术人员将理解，本公开的示例方面可与任何半导体基材或其他合适的基材结合使用。应当认识到，工件可包括设备侧表面，其可包括在能量脉冲期间退火的一个或多个设备结构、膜或层。工件也可包括相对的非设备侧表面，其可不包括设备结构。如本文使用的，术语“约”或“近似”与数值的联合使用旨在指在叙述的数值的百分之十(10％)以内。
[0033]
现参考图，图1描绘了根据本公开的示例实施方式的可用于进行工艺的工件处理装置100。如阐释的，工件处理装置100限定了处理腔室110。处理腔室110可包括可操作地支撑待处理的工件130，比如半导体晶片的基座120。在一些实施方式中，工件130可放置在基座120上，使得工件130的非设备侧表面132接触基座120。
[0034]
在一些实施方式中，工件处理装置100可包括配置为将光发射至工件130上的一个或多个闪光灯140。更具体地，一个或多个闪光灯140可将光发射至工件130的设备侧表面134上。应当认识到，工件130的设备侧表面134与工件130的非设备侧表面132相对。
[0035]
闪光灯140可为，例如，弧光灯、卤素灯或其他灯热源(例如，led灯热源)。为了阐释和讨论的目的，参考闪光灯140讨论了本公开的方面。在不偏离本公开的范围的情况下，可使用其他热源比如但不限于热板或基座、热气流、辐射热源比如激光、产生粒子束的热源、产生rf的热源或产生微波的热源。
[0036]
在一些实施方式中，介电窗口150位于工件100的上方且充当处理腔室110的顶棚。如显示的，一个或多个灯140可设置在处理腔室110的外部。更具体地，一个或多个闪光灯140可配置为将光发射通过介电窗口150并且进入至处理腔室120中。如此，一个或多个闪光灯140可加热工件130的设备侧表面134。
[0037]
在一些实施方式中，工件处理装置100可包括可操作地耦合至一个或多个闪光灯140的控制设备160。如此，控制设备160可配置为控制一个或多个闪光灯140的操作。在一些实施方式中，控制设备160可包括配置为进行各种计算机实施的功能的处理器和相关的存储器。如本文使用的，术语“处理器”不仅仅指本领域提及的包括在计算机中的集成电路，而且还指控制器、微控制器、微型计算机、可编程逻辑控制器(plc)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)和其他可编程电路。另外，存储器可包括存储器元件，其包括但不限于计算机可读的介质(例如，随机存取存储器(ram))、计算机可读的非暂时性介质(例如，闪存)和/或其他合适的存储器元件或其组合。
[0038]
另外，控制设备160可包括通信接口。在一些实施中，通信接口可包括用于发送和接收数据的相关的电子电路。如此，控制设备160可经通信接口将一个或多个指令信号发送至处理装置100的一个或多个闪光灯140和/或其他可控制的方面。
[0039]
图2描绘了根据本公开的示例方面的用于处理工件的示例方法200的流程图。方法200可使用上面参考图1讨论的工件处理装置100实施。然而，应当认识到，在不偏离本公开的范围情况下，可使用其他方法实施方法200。例如，可使用图6中描绘的等离子体处理装置600实施方法200。应当认识到，为了阐释和讨论的目的，图2描绘了以特定的顺序进行的步骤。然而，使用本文提供的公开，本领域普通技术人员将理解，在不偏离本公开的范围的情
况下，可以以各种方式省略、扩展、同时进行、重新布置和/或修改本文所述的方法200的各个步骤。另外，在不偏离本公开的范围的情况下，可进行各种另外的步骤(未阐释)。
[0040]
在(202)处，方法200可包括将工件放置在处理腔室内设置的基座上。例如，工件可放置在基座上，使得工件的非设备侧表面接触基座。
[0041]
在(204)处，方法200可包括在处理腔室中的同时，在工件上进行多循环热处理工艺。例如，多循环热处理工艺可在处理腔室中在工件上进行。如以下将更详细地讨论的，多循环热处理工艺可包括至少两个热循环。可不用从处理腔室取出工件而进行至少两个热循环。
[0042]
图3描绘了根据本公开的示例实施方式的示例多循环热处理工艺的流程图。为了阐释和讨论的目的，图3描绘了以特定的顺序进行的步骤。使用本文提供的公开，本领域技术人员将理解，在不偏离本公开的范围的情况下，可以以各种方式省略、扩展、同时进行、重新布置和/或修改本文所述的多循环热处理工艺的各个步骤。另外，在不偏离本公开的范围的情况下，可进行各种另外的步骤(未阐释)。
[0043]
在(302)处，多循环热处理工艺可包括在近似第一温度在工件上进行第一处理。例如，可在工件在第一温度的同时，在工件上进行第一处理。第一处理可为表面处理工艺，比如用作原子层沉积工艺和/或原子层刻蚀工艺的一部分的表面处理工艺。在一些实施方式中，第一处理可包括将工件的设备侧表面暴露于一种或多种气体。在一些实施方式中，第一处理可包括将工件的设备侧表面暴露于在等离子体处理装置(例如，图6的等离子体处理装置)的远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素(例如，中性自由基)。
[0044]
在(304)处，多循环热处理工艺可包括将工件加热至近似第二温度。第二温度可大于第一温度。例如，在一些实施方式中，工件130可经一个或多个闪光灯140或其他热源加热至第二温度。在示例实施方式中，控制设备可控制一个或多个闪光灯或其他热源的操作，使得一个或多个闪光灯在小于一秒内，比如小于1毫秒，比如在0.5毫秒和10毫秒之间，将工件的设备侧表面加热至第二温度。
[0045]
其他加热元件可用于将工件加热至第二温度。例如，工件可经基座加热至第二温度。在示例实施方式中，基座可包括配置为将热提供至工件的一个或多个加热元件。另外，控制设备可被可操作地耦合至一个或多个加热元件。如此，控制设备可控制一个或多个加热元件的操作，以将工件加热至第二温度。
[0046]
在(306)处，多循环热处理工艺可包括在近似第二温度在工件上进行第二处理。第二处理可为表面激活工艺，比如用作原子层沉积工艺和/或原子层刻蚀工艺的一部分的表面激活工艺。在一些实施方式中，第二处理可包括将工件的设备侧表面暴露于一种或多种气体。在一些实施方式中，第二处理可包括将工件的设备侧表面暴露于在等离子体处理装置(例如，图6的等离子体处理装置)的远程等离子体腔室中生成的一种或多种核素(例如，中性自由基)。在一些实施方式中，第二处理可包括使工件退火。在一些实施方式中，第二处理可包括在工件的设备侧表面上实施化学反应。
[0047]
在(308)处，多循环热处理工艺可包括使工件冷却。例如，工件主体可利于工件的快速冷却，因为在工件从第一温度加热至第二温度期间，工件主体不如工件表面一样快速地被加热。结果，工件主体利于在第二处理后工件表面的冷却。在示例实施方式中，基座可配置为使工件冷却。例如，在一些实施方式中，基座可配置为容纳流体流以使工件冷却。
[0048]
图4描绘了根据本公开的示例实施方式的配置为使工件冷却的示例基座400。基座400沿着横向方向l在第一侧402和第二侧404之间延伸，并且沿着竖直方向v在顶部部分406和底部部分之间延伸。在一些实施方式中，基座400限定了入口420和出口422。如此，流体流430可进入和离开基座400的内部。如显示的，入口420可限定在基座400的第一侧402上，并且出口422可限定在基座400的第二侧404上。然而，应当理解，入口420和出口422可位于基座400上任何合适的位置处。
[0049]
在一些实施方式中，流体流430可流入和流出热交换器450。还应当认识到，流体流430可包括任何合适的液体或气体物质。例如，在一些实施方式中，流体流430可包括氟利昂。作为另一示例，流体流430可包括水。作为仍另一示例，流体流430可包括乙二醇。作为仍另一示例，流体流430可包括乙二醇和水。
[0050]
再次参考图3，在(310)处，多循环热处理工艺可包括在近似第一温度在工件上进行第三处理。在示例实施方式中，第三处理工艺可与在(302)处进行的第一处理相同(例如，相当)。
[0051]
在(312)处，多循环热处理工艺可包括将工件的设备侧表面加热至近似第二温度。在示例实施方式中，控制设备可控制一个或多个闪光灯或其他热源的操作，使得一个或多个闪光灯将工件的设备侧表面在小于一秒内，比如小于1毫秒，比如在0.5毫秒和10毫秒之间加热至第二温度。
[0052]
在(314)处，多循环热处理工艺可包括在近似第二温度在工件上进行第四处理。在示例实施方式中，第四处理工艺可与在(306)处进行的第二处理相同(例如，相当)。在一些实施方式中，第二处理和第四处理可包括表面激活工艺。例如，第二处理和第四处理二者可包括退火处理。可选地和/或另外地，第二处理和第四处理二者可包括在工件的设备侧表面上实施化学反应。
[0053]
在(316)处，多循环热处理工艺可包括使工件冷却。尽管图4中描绘的多循环热处理工艺仅描绘了两个循环，但是，应当认识到，多循环热处理工艺可包括加工工件需要的任何合适的循环数。
[0054]
现参考图5，根据本公开的示例实施方式提供了多循环热处理工艺的图示。如显示的，在多循环热处理工艺期间可出现工件的温度的改变。更具体地，图5描绘了表明晶片的温度从第一温度520过渡至第二温度530并且然后冷却至第一温度520的多个循环510。在一些实施方式中，约第一温度520和约第二温度530之间的差可大于100开尔文度。
[0055]
在示例实施方式中，可控制热源，以在小于约一秒内，比如在小于约1ms内，比如在0.5ms和10ms之间，将工件的温度从第一温度520升高至第二温度530。工件可被快速冷却至近似第一温度520以完成循环510。在一些实施方式中，从第二温度530冷却至近似第一温度520的时间可小于约一秒，比如在小于约1ms内，比如在0.5ms和10ms之间。循环510之间的时间可大于每个循环510的持续时间540。
[0056]
再次参考图2，在(206)处，方法200可包括在(204)处进行多循环热处理工艺之后从处理腔室中取出工件。这样，可不用从处理腔室中取出工件而实施多个热循环。
[0057]
如上所讨论，在一些实施方式中，热循环可包括将工件的表面暴露于使用等离子体生成的核素。例如，方法可包括将工件的表面暴露于在通过分离栅与处理腔室分开的远程等离子体源中生成的核素(例如，中性自由基)。
[0058]
现参考图6，提供了可用于将工件的表面暴露于核素(例如，中性自由基)的示例等离子体处理装置600。如阐释的，等离子体处理装置600包括处理腔室610和与处理腔室610分开的等离子体腔室620。处理腔室610包括可操作地支撑待处理的工件614，比如半导体晶片的基座612。在一些实施方式中，基座612可配置为容纳流体流，以使工件冷却(见例如，图4)。应当认识到，流体流可包括任何合适的流体(例如，液体或气体)。例如，在一些实施方式中，流体流可包括氟利昂。作为另一示例，流体流可包括水。作为仍另一示例，流体流可包括乙二醇。作为仍另一示例，流体流可包括乙二醇和水。
[0059]
在该示例阐释中，通过感应耦合的等离子体源635在等离子体腔室620(即，等离子体生成区)中生成等离子体，并且将期望的核素通过分离栅组件640从等离子体腔室620引导至工件614的表面。
[0060]
为了阐释和讨论的目的，参考感应耦合的等离子体源讨论了本公开的方面。使用本文提供的公开，本领域普通技术人员将理解，在不偏离本公开的范围的情况下，可使用任何等离子体源(例如，感应耦合的等离子体源、电容耦合等离子体源等)。
[0061]
等离子体腔室620包括介电侧壁622和顶棚624。介电侧壁622、顶棚624和分离栅组件640限定了等离子体腔室内部625。介电侧壁622可由介电材料，比如石英和/或氧化铝形成。感应耦合的等离子体源635可包括邻近介电侧壁622围绕等离子体腔室620设置的感应线圈630。感应线圈630通过合适的匹配网格632耦合至rf功率发生器634。工艺气体(例如，惰性气体)可从气体供应650和环形气体分配通道651或其他合适的气体引入机构提供至腔室内部。当用来自rf功率发生器634的rf功率为感应线圈630供能时，可在等离子体腔室620中生成等离子体。在特别的实施方式中，等离子体处理装置600可包括任选的接地的法拉第屏障(faraday shield)628，以减少感应线圈630与等离子体的电容耦合。
[0062]
如图6中显示，分离栅组件640将等离子体腔室620与处理腔室610分开。分离栅640可用于从在等离子体腔室620中通过等离子体生成的混合物进行离子过滤，以生成过滤的混合物。在处理腔室中，过滤的混合物可暴露于工件614。
[0063]
在一些实施方式中，分离栅640可为多板分离栅。例如，分离栅240可包括以彼此平行关系间隔开的第一栅板642和第二栅板644。第一栅板642和第二栅板644可分开一定的距离。
[0064]
第一栅板642可具有具备多个孔的第一栅图案。第二栅板644可具有具备多个孔的第二栅图案。第一栅图案可与第二栅图案相同或不同。带电的颗粒可在它们通过分离栅组件640中的每个栅板642、644的孔的路径中的壁上复合。中性核素(例如，自由基)可相对自由地流过第一栅板642和第二栅板644中的孔。每个栅板42和644的孔的尺寸和厚度可影响带电的颗粒和中性颗粒二者的透过性。
[0065]
在一些实施方式中，第一栅板642可由金属(例如，铝)或其他导电材料制成和/或第二栅板644可由导电材料或介电材料(例如，石英、陶瓷等)制成。在一些实施方式中，第一栅板642和/或第二栅板644可由其他材料，比如硅或碳化硅制成。如果栅板由金属或其他导电材料制成，则栅板可为接地的。
[0066]
在一些实施方式中，等离子体处理装置600可包括在处理腔室610内设置的一个或多个闪光灯660或其他热源。如此，一个或多个闪光灯660可配置为将工件614加热。更具体地，一个或多个闪光灯660可将光发射至工件614的设备侧表面616上。应当认识到，在不偏
离本公开的范围的情况下，闪光灯660可位于相对于处理腔室610的其他地方。
[0067]
在一些实施方式中，等离子体处理装置600可包括可操作地耦合至一个或多个闪光灯660的控制设备670。如此，控制设备670可配置为控制一个或多个闪光灯660的操作。在一些实施方式中，控制设备670可包括配置为进行各种计算机实施的功能的处理器和相关存储器。
[0068]
另外，控制设备670可包括通信接口。在一些实施中，通信接口可包括用于发送和接收数据的相关的电子电路。如此，控制设备670可经通信接口将一个或多个指令信号发送至一个或多个闪光灯660。在一些实施方式中，至少部分基于一个或多个指令信号可控制一个或多个闪光灯660的操作。
[0069]
尽管已经结合其特定的示例实施方式详细地描述了本主题，但是应当理解，本领域技术人员在获得前述的理解之后，可容易地为这些实施方式产生改变、变型和等效方案。因此，示例了而不是限制了本公开的范围，并且本公开不排除包括对本领域技术人员是显而易见的对本主题的这种修改、变型和/或添加。