技术总结
本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构，正面结构和背面结构实现在两片硅片上，两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件，两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构,接触面结构由金属接触层和终端结构组成，金属接触层位于中间位置，终端结构设于金属接触层四周对所述金属接触层进行保护。本发明提供了一种采用键合方式制作的IGBT器件及其制作方法，在将要键合的两片硅片上，分别制作终端结构和金属接触层，其中终端结构可以抑制漏电流和提高器件耐压，而两层金属层接触相接触，能够构成较好的键合，主要的空穴
技术研发人员：严利人 刘志弘
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2020.10.21
技术公布日：2021/1/23