阵列基板及阵列基板的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法。

背景技术：

随着有机发光二极管(oled)技术的逐渐成熟，不同技术路线的选择也逐渐被提上日程，例如向上发光(top-emission)相比向下发光(bottom-emission)拥有更好的穿透率，及更简单的光路便于微腔器件的设计等也被定义为更适合开发的路线。相比向下发光的器件其阳极要求更高，不仅需要有较大功函数及粗糙度匹配上层器件，还需作为反射膜的作用，拥有良好的反射性能；例如现用较多的为ito/ag/ito作为oled阳极就能较好匹配其阳极要求，且上层ito可做厚来调节光学腔长，提高器件性能，目前工艺上要求在750埃-800埃能得到较好的发光效。

如图1所示，为现有的一种阵列基板结构示意图，阵列基板90包括层叠设置的玻璃基板91、阻隔层92、缓冲层93、有源层94、栅极绝缘层95、栅极层96、层间绝缘层97、源漏极层98、钝化层99以及阳极层910。其中阳极层910通常采用下层氧化铟锡、银层、上层氧化铟锡(ito/ag/ito)结构。经验证阳极层910无论是采取单层氧化铟锡还是ito/ag/ito结构，均在蚀刻后存在氧化铟锡残留。在实际制备过程中，银层具有较大的诱导氧化铟锡结晶的效果，致使银层上的上层氧化铟锡层容易结晶，刻蚀难度较大或有残留风险；现有做法只能通过特殊制程减少其相对结晶度，但节拍时间(tacttime)较长不利于量产。

因此，亟待提出一种新的阵列基板及阵列基板的制作方法，以克服现有技术中存在的问题。

技术实现要素：

本发明的一个主要目的在于提供一种阵列基板及阵列基板的制作方法，用以解决现有阵列基板的阳极层ito/ag/ito结构中的银层具有较大的诱导氧化铟锡结晶的效果，致使银层上的上层氧化铟锡层容易结晶，刻蚀难度较大或有残留风险，在蚀刻后存在氧化铟锡残留而影响生产效率及合格率的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种阵列基板，设有阳极层，所述阳极层包括第一导电层、反射金属层、防结晶层以及第二导电层；所述反射金属层设于所述第一导电层上；所述防结晶层设于所述反射金属层上；所述第二导电层设于所述防结晶层上；其中在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。

进一步地，所述反射金属层的材质包括银。

进一步地，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃-100埃。

进一步地，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。

进一步地，所述阵列基板包括玻璃基板、阻隔层、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层以及钝化层；所述阻隔层设于所述玻璃基板上；所述缓冲层设于所述玻璃基板上并完全覆盖所述阻隔层；所述有源层设于所述缓冲层上并对应所述阻隔层设置；所述栅极绝缘层设于所述有源层上；所述栅极层设于所述栅极绝缘层上；所述层间绝缘层设于所述栅极层上；所述源漏极层设于所述层间绝缘层上；所述钝化层设于所述源漏极层上；所述阳极层设于所述钝化层上并与所述源漏极层电连接。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括制作阳极层步骤，所述制作阳极层步骤具体包括：制作第一导电层步骤，制作第一导电层；制作反射金属层步骤，在所述第一导电层上制作反射金属层；制作防结晶层步骤，在所述反射金属层上制作防结晶层；制作第二导电层步骤，在所述防结晶层上制作第二导电层；以及蚀刻所述阳极层步骤，蚀刻所述阳极层进行图案化处理，在所述阳极层被蚀刻时，所述防结晶层用于防止所述第二导电层在所述反射金属层上结晶。

进一步地，在所述制作阳极层步骤中，所述反射金属层的材质包括银。

进一步地，在所述制作阳极层步骤中，所述防结晶层的材质包括铜；所述防结晶层的厚度为5埃-100埃。

进一步地，在所述制作阳极层步骤中，所述第一导电层、所述第二导电层的材质包括氧化铟锡。

进一步地，在所述制作阳极层步骤之前还包括：

制作阻隔层步骤，在一玻璃基板上制作阻隔层；

制作缓冲层步骤，在所述玻璃基板上制作缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述阻隔层；

制作有源层步骤，在所述缓冲层上制作有源层，所述有源层对应所述阻隔层设置；

制作栅极绝缘层步骤，在所述有源层上制作栅极绝缘层；

制作栅极层步骤，在所述栅极绝缘层上制作栅极层；

制作层间绝缘层步骤，在所述栅极层上制作层间绝缘层；

制作源漏极层步骤，在所述层间绝缘层上制作源漏极层；以及

制作钝化层步骤，在所述源漏极层上制作钝化层；在所述钝化层上制作所述阳极层，所述阳极层与所述源漏极层电连接。

本发明的有益效果在于：提出一种阵列基板及阵列基板的制作方法，通过在银材质的反射金属层上制备一层极薄的铜等其他金属薄膜作为防结晶层来避免银诱导氧化铟锡的结晶现象，避免了在所述阳极层被蚀刻时，氧化铟锡材质的第二导电层在所述反射金属层上结晶导致氧化铟锡残留的情况，减小了刻蚀难度，提升了生产效率及合格率，减小大面板的电压下降(ir-drop)现象，提升了显示效果。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例中一种阵列基板的结构示意图；

图3是本发明实施例中一种阵列基板的制作方法流程图；

图4为本发明实施例中制作完成所述有源层的结构示意图；

图5为本发明实施例中制作完成所述栅极层的结构示意图；

图6为本发明实施例中制作完成所述源漏极层的结构示意图；

图7是本发明实施例中制作阳极层步骤的流程图。

图中部件标识如下：

玻璃基板1，阻隔层2，缓冲层3，

有源层4，栅极绝缘层5，栅极层6，

层间绝缘层7，源漏极层8，钝化层9，

阳极层10，第一导电层11，反射金属层12，

防结晶层13，第二导电层14，阵列基板100。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图2所示，本发明实施例中，提供一种阵列基板100，所述阵列基板100包括玻璃基板1、阻隔层2、缓冲层3、有源层4、栅极绝缘层5、栅极层6、层间绝缘层7、源漏极层8、钝化层9以及阳极层10。

具体地讲，所述阻隔层2设于所述玻璃基板1上；所述缓冲层3设于所述玻璃基板1上并完全覆盖所述阻隔层2；所述有源层4设于所述缓冲层3上并对应所述阻隔层2设置；所述栅极绝缘层5设于所述有源层4上；所述栅极层6设于所述栅极绝缘层5上；所述层间绝缘层7设于所述栅极层6上；所述源漏极层8设于所述层间绝缘层7上；所述钝化层9设于所述源漏极层8上；所述阳极层10设于所述钝化层9上并与所述源漏极层8电连接。所述阳极层10蚀刻后的图案呈圆形、矩形、三角形或多边形的任一种或多种，可用于调节光学腔长，提高器件性能。

其中，所述阳极层10包括第一导电层11、反射金属层12、防结晶层13以及第二导电层14；所述反射金属层12设于所述第一导电层11上；所述防结晶层13设于所述反射金属层12上；所述第二导电层14设于所述防结晶层13上；其中在所述阳极层10被蚀刻时，所述防结晶层13用于防止所述第二导电层14在所述反射金属层12上结晶。

本实施例中，所述第一导电层11、所述第二导电层14的材质包括氧化铟锡。

本实施例中，所述反射金属层12的材质包括银。

本实施例中，所述防结晶层13的材质包括铜；所述防结晶层13的厚度为5埃-100埃，保证至少一个原子层的厚度来诱导所述第二导电层14的生长，又不置于其厚度过大影响所述反射金属层12的反射效果。

本实施例通过在银材质的所述反射金属层12上制备一层极薄的铜等其他金属薄膜作为所述防结晶层13来避免银诱导氧化铟锡的结晶现象，避免了在所述阳极层被蚀刻时，氧化铟锡材质的所述第二导电层14在所述反射金属层12上结晶导致氧化铟锡残留的情况，减小了刻蚀难度，提升了生产效率及合格率，减小大面板的电压下降(ir-drop)现象，提升了显示效果。

本实施例中，所述有源层4的材质包括igzo、izto或igzto。

请参阅图3所示，本发明还提供一种阵列基板100的制作方法，包括以下步骤s1-s9：

s1、制作阻隔层步骤，在一玻璃基板1上制作阻隔层2；

s2、制作缓冲层步骤，在所述玻璃基板1上通过化学气相沉积siox制作缓冲层3，所述缓冲层3完全覆盖所述阻隔层2；

s3、制作有源层步骤，在所述缓冲层3上制作有源层4，所述有源层4对应所述阻隔层2设置；所述有源层4的材质包括igzo、izto或igzto；如图4所示，图4为制作完成所述有源层4的结构示意图；

s4、制作栅极绝缘层步骤，在所述有源层4上通过化学气相沉积siox制作栅极绝缘层5；

s5、制作栅极层步骤，在所述栅极绝缘层5上制作栅极层6；所述栅极层6可通过溅射mo/ti/cu的方式制作；如图5所示，图5为制作完成所述栅极层6的结构示意图；

s6、制作层间绝缘层步骤，在所述栅极层6上通过化学气相沉积siox制作层间绝缘层7；

s7、制作源漏极层步骤，在所述层间绝缘层7上制作源漏极层8；所述源漏极层8可通过溅射mo/ti/cu的方式制作，蚀刻出图形作为源电极、漏电极引线；如图6所示，图6为制作完成所述源漏极层8的结构示意图；以及

s8、制作钝化层步骤，在所述源漏极层8上通过化学气相沉积siox制作钝化层9；

s9、制作阳极层步骤，在所述钝化层9上制作所述阳极层10，在所述钝化层9上蚀刻过孔实现所述阳极层10与所述源漏极层8电连接；如图2所示，图2为制作完成所述阳极层10的结构示意图。

请参阅图7所示，所述制作阳极层步骤s9具体包括s91-s95：

s91、制作第一导电层步骤，制作第一导电层11；所述第一导电层11的材质包括氧化铟锡；

s92、制作反射金属层步骤，在所述第一导电层11上制作反射金属层12；所述反射金属层12的材质包括银；

s93、制作防结晶层步骤，在所述反射金属层12上制作防结晶层13；所述防结晶层13的材质包括铜；所述防结晶层13的厚度为5埃-100埃，保证至少一个原子层的厚度来诱导所述第二导电层14的生长，又不置于其厚度过大影响所述反射金属层12的反射效果；

s94、制作第二导电层步骤，在所述防结晶层13上制作第二导电层14；所述第二导电层14的材质包括氧化铟锡；以及

s95、蚀刻所述阳极层步骤，蚀刻所述阳极层10进行图案化处理，在所述阳极层10被蚀刻时，所述防结晶层13用于防止所述第二导电层14在所述反射金属层12上结晶。

所述阳极层10蚀刻后的图案呈圆形、矩形、三角形或多边形的任一种或多种，可用于调节光学腔长，提高器件性能。

本发明的有益效果在于：提出一种阵列基板及阵列基板的制作方法，通过在银材质的反射金属层上制备一层极薄的铜等其他金属薄膜作为防结晶层来避免银诱导氧化铟锡的结晶现象，避免了在所述阳极层被蚀刻时，氧化铟锡材质的第二导电层在所述反射金属层上结晶导致氧化铟锡残留的情况，减小了刻蚀难度，提升了生产效率及合格率，减小大面板的电压下降(ir-drop)现象，提升了显示效果。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。