1.一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，包括：半导体衬底(6)、第一层二氧化硅层(7)、n型缓冲层(8)、n+欧母接触层(9)、n电极(10)、n型帽层(11)、p型帽层(12)、p电极(13)、p+欧母接触层(14)、集成tec(200)、半导体激光器有源区(300)、第二层二氧化硅层(16)、第三层二氧化硅层(15)、ntc薄膜电阻(3)、ntc薄膜电阻金属电极(4)；
所述集成tec(200)包括：集成tecp型半导体(201)、集成tecn型半导体(202)、集成tec第一层难熔电极(203)、集成tec平面型负电极(204)、集成tec平面型正电极(205)、集成tec第二层难熔电极(207)、集成tec第一层绝缘介质隔离层(206)、集成tec第二层绝缘介质隔离层(208)；
所述半导体激光器有源区(300)包括：n型下包层(301)，n型下限制层(302)，有源层(303)，p型下限制层(304)，p型上包层(305)；
所述半导体衬底(6)的下层为所述第一层二氧化硅层(7)，所述半导体衬底(6)的上层为所述n型缓冲层(8)，所述n型缓冲层(8)的上层为所述n+欧母接触层(9)，所述n+欧母接触层(9)的上层为所述n型帽层(11)、所述n电极(10)、所述第二层二氧化硅层(16)，所述n型帽层(11)的上层为所述半导体激光器有源区(300)，所述半导体激光器有源区(300)的上层为所述p型帽层(12)，所述p型帽层(12)的上层为所述p+欧母接触层(14)，所述p+欧母接触层(14)的上层为所述p电极(13)；所述p电极(13)的上层大半面积为所述第三层二氧化硅层(15)，所述第三层二氧化硅层(15)的上层为所述ntc薄膜电阻(3)，所述ntc薄膜电阻(3)两端的上层为所述ntc薄膜电阻金属电极(4)；
所述n型下包层(301)的上层为所述n型下限制层(302)，所述n型下限制层(302)的上层为所述有源层(303)，所述有源层(303)的上层为所述p型下限制层(304)，所述p型下限制层(304)的上层为所述p型上包层(305)；
所述第一层二氧化硅层(7)的下层为所述集成tec第一层难熔电极(203)、所述集成tec第一层绝缘介质隔离层(206)，所述集成tec第一层难熔电极(203)的下层为所述集成tecp型半导体(201)、所述集成tecn型半导体(202)，所述集成tecp型半导体(201)与所述集成tecn型半导体(202)之间被所述集成tec第一层绝缘介质隔离层(206)隔离，所述集成tec第二层难熔电极(207)上层为所述tecp型半导体(201)、所述tecn型半导体(202)、所述集成tec第一层绝缘介质隔离层(206)，所述集成tec第二层难熔电极(207)的下层为所述集成tec平面型负电极(204)、所述集成tec平面型正电极(205)、所述集成tec第二层绝缘介质隔离层(208)。
2.如权利要求1所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述集成tecp型半导体(201)采用p型碲化铋半导体材料。
3.如权利要求2所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述p型碲化铋半导体材料为bi2te3-sb2te3。
4.如权利要求1或2所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述集成tecp型半导体(201)厚度为0.2mm-0.6mm。
5.如权利要求1所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述集成tecn型半导体(202)采用n型碲化铋半导体材料。
6.如权利要求5所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述n型碲化铋半导体材料为bi2te3-bi2se3。
7.如权利要求1或5所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述集成tecn型半导体(202)的厚度为0.2mm-0.6mm。
8.如权利要求1所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述集成tec第一层难熔电极(203)及所述集成tec第二层难熔电极(207)的材料为铬、钛、钨或金。
9.如权利要求1所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述半导体衬底(6)的材料为硅，所述n型缓冲层(8)的材料为氮化镓。
10.如权利要求1所述的一种具有恒温控制功能的功率半导体激光器件，其特征在于：所述半导体衬底(6)的材料为磷化铟。