1.一种全静态固体制冷器，其特征在于，包括：
第一电卡制冷器，叠设在所述第一电卡制冷器表面的热电制冷器以及叠设在所述热电制冷器表面的第二电卡制冷器；
所述第一电卡制冷器与所述第二电卡制冷器结构相同；
所述第一电卡制冷器包括：基板以及沉积在所述基板表面的具有正电卡效应和负电卡效应的电介质材料层。
2.根据权利要求1所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述第一电卡制冷器具体包括：导热绝缘基板，沉积在所述导热绝缘基板表面的第一电极、第二电极，沉积在所述第一电极表面的负电卡层，沉积在所述第二电极表面的正电卡层以及沉积在所述负电卡层和所述正电卡层表面的第三电极。
3.根据权利要求1所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述电介质材料层的材质选自钛酸钡、钛酸铅、掺杂钛酸铅、掺杂钛酸钡、氧化铪、聚偏氟乙烯、铌酸铋中的一种。
4.根据权利要求3所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述掺杂钛酸铅、掺杂钛酸钡中的掺杂元素选自锰、锶、锆、镧、镝中的一种。
5.根据权利要求1所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述电介质材料层的厚度为0.05μm-1nm。
6.根据权利要求1所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述热电制冷器包括：陶瓷基板以及沉积在所述陶瓷基板表面的p型半导体材料层和n型半导体材料层，所述p型半导体材料层与所述n型半导体材料层相互独立。
7.根据权利要求6所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述p型半导体层和所述n型半导体层的材质选自碲化铋或铋化镁。
8.根据权利要求6所述的全静态固体制冷器，其特征在于，所述p型半导体层或所述n型半导体层的厚度为0.05-500μm。
9.一种全静态固体制冷器的制备方法，其特征在于，包括：
提供第一基板；
在所述第一基板表面沉积第一电极、第二电极，所述第一电极与所述第二电极相互独立；
在所述第一电极表面沉积负电卡层，在所述第二电极表面沉积正电卡层；
在所述正电卡层和负电卡层的表面沉积第三电极，得到电卡制冷器；
提供第二基板；
在所述第二基板表面沉积第四电极、第五电极，所述第四电极与所述第五电极相互独立；
在所述第四电极表面沉积n型半导体材料层，在所述第五电极表面沉积p型半导体材料层；
在所述n型半导体材料层和p型半导体材料层表面沉积第六电极，得到热电制冷器；
所述电卡制冷器包括第一电卡制冷器及第二电卡制冷器，将第二电卡制冷器、热电制冷器及第一电卡制冷器依次叠放，得到所述全静态固体制冷器。
10.根据权利要求9所述的全静态固体制冷器的制备方法，其特征在于，所述第二基板的材质为氧化铝陶瓷或云母片。