技术特征：
1.一种刻蚀方法，其为使刻蚀剂接触于形成包含贵金属的催化剂层且由半导体所形成的表面，对由所述半导体所形成的表面进行刻蚀的刻蚀方法，其中，所述刻蚀剂包含氧化剂、腐蚀剂和含n的高分子添加剂。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中，所述含n的高分子添加剂为含n的表面活性剂。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中，所述含n的高分子添加剂是含n的非离子表面活性剂及/或含n的阳离子表面活性剂。4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其中，所述含n的高分子添加剂为选自聚乙烯亚胺、乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、五乙烯六胺、聚氧乙烯烷基胺、聚(氧乙烯)辛基苯基醚、及乙烯二胺四(丙氧化物-嵌段-乙氧化物)四醇中的至少1种。5.根据权利要求1～4中任一项所述的刻蚀方法，其中，所述半导体含硅。6.根据权利要求1～4中任一项所述的刻蚀方法，其中，所述贵金属含金。7.根据权利要求1～4中任一项所述的刻蚀方法，其中，所述包含贵金属的催化剂层是多孔质的。8.根据权利要求1～4中任一项所述的刻蚀方法，其中，所述包含贵金属的催化剂层通过置换镀形成。9.根据权利要求1～4中任一项所述的刻蚀方法，其中，所述氧化剂为过氧化氢且所述腐蚀剂为氟化氢。
技术总结
本发明的实施方式涉及刻蚀方法。本发明提供能够减少使用了催化剂的刻蚀中的加工问题的刻蚀方法。根据实施方式，提供一种刻蚀方法，其为使刻蚀剂接触于形成包含贵金属的催化剂层且由半导体所形成的表面，对由半导体所形成的表面进行刻蚀的刻蚀方法。刻蚀剂包含氧化剂、腐蚀剂和含N的高分子添加剂。腐蚀剂和含N的高分子添加剂。腐蚀剂和含N的高分子添加剂。
技术研发人员：佐野光雄 小幡进 樋口和人 田岛尚之
受保护的技术使用者：株式会社东芝
技术研发日：2022.03.16
技术公布日：2023/3/17