1.一种micro-led芯片封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，所述红光micro-led芯片的面积尺寸与所述绿光micro-led芯片的面积尺寸的比值为50-150；所述绿光micro-led芯片的面积尺寸与所述蓝光micro-led芯片的面积尺寸的比值为2-4。
3.一种micro-led芯片封装结构，其特征在于，包括：
4.根据权利要求1或3所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，inxga(1-x)n中x的取值大于25％；
5.根据权利要求1或3所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，所述红光micro-led芯片、所述绿光micro-led芯片和所述蓝光micro-led芯片均还包括缓冲发光层，位于所述发光层与所述封装基底之间；
6.根据权利要求1或3所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，所述红光micro-led芯片、所述绿光micro-led芯片和所述蓝光micro-led芯片均还包括衬底层，位于所述封装基底的一侧表面；
7.根据权利要求6所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的micro-led芯片封装结构，其特征在于，还包括：
9.一种micro-led芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.一种micro-led芯片封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求9或10所述的micro-led芯片封装结构的制备方法，其特征在于，在所述封装基底的表面形成红光micro-led芯片、绿光micro-led芯片和蓝光micro-led芯片之前，形成初始micro-led芯片；对所述初始micro-led芯片进行切割处理，以形成红光micro-led芯片、绿光micro-led芯片和蓝光micro-led芯片。
12.根据权利要求11所述的micro-led芯片封装结构的制备方法，其特征在于，形成初始micro-led芯片的步骤包括：
13.根据权利要求12所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述衬底层的一侧表面形成n型gan层之前，在所述衬底层的一侧表面形成衬底缓冲层；
14.根据权利要求12所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述衬底层的一侧表面形成n型gan层之后，在所述n型gan层远离所述衬底层的一侧形成发光层之前，在所述n型gan层远离所述衬底层的一侧形成缓冲层发光；
15.根据权利要求12所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：在所述n型gan层远离所述衬底层的一侧形成发光层之后，在所述发光层远离所述衬底层的一侧形成p型gan层之前，在所述发光层远离所述衬底层的一侧表面形成电子阻挡层。