专利名称：切割锯的监视系统的制作方法
技术领域：
本发明一般地适用于用于切割硬和脆的对象的半导体和电子工业，尤其是本发明适用于在切割操作期间监视高速小块切割锯的性能和参数。
背景技术：
管芯分割或小块切割就是用一个旋转环形研磨锯片把一个微电子基片切成各个电路小片的过程，该过程现已证明是最有效和经济的方法，它提供切割(切口)的深度和宽度以及表面磨光的选择的多功能性，它也可以用于部分地或全部地锯穿一个晶片或基片。
晶片小块分割技术得到快速的发展，并且小块切割目前已成为大多数前端半导体封装操作中一个主要过程，它广泛地用于在硅半导体集成电路晶片上分开管芯小片。
在微波、混合电路、存储器、计算机、国防和医学电子装置中微电子技术的使用的不断增长已经为工业提出了新的和困难的问题，而且使用更昂贵和新奇的材料，如兰宝石、石榴石、铝、陶瓷、玻璃、石英、铁和其它硬、脆的基片，通常将它们组合在一起以产生多层相异的材料，如此进一步增加的小块切割问题，这些基片的高费用以及在其上制造电路价值，使得在小块分割阶段实现低产量更困难。
小块切割是利用研磨粒子的机械处理过程，它假定该机械处理类似于慢速研磨。这样一来，在小块切割与研磨之间的材料清除行为之间可以发现很多的相似性，易脆材料研磨理论预测到在材料清除速率和输入给研磨轮的功率之间的线性比例，用于小块分开的小块切割刀片的尺寸使得该处理非常独特。一般地，刀片的厚度在0.6-50mil(0.015-1.27mm)之间，而钻石粒子(己知的最硬的材料)用作研磨材料成份，因为钻石小块切割刀片极其精确，而符合其严格的参数是必须的，即便是最微小的偏差都可能导致完全地失败。
图1是半导体装置制造期间一个半导体晶片100的等大示意图，传统的半导体晶片可以有多个形成在其上表面上的芯片或小块，100a,100b,…。为了将这些芯片彼此分离或与晶片分开，在晶片100上切割了一系列的正交线，该过程就是已知的小块切割该晶片。
小块切割锯刀片是以贺盘形式制成的，它或者被夹在一个毂的边缘或建在一个毂上，该毂可以精确地定位该薄的灵活锯刀片。如上面所提到的，该锯刀片使用非常精细的钻石粒子粉沫，这些粉沫被保持内该锯刀片内，作为切割半导体晶片的硬作用特。这此刀片由一个一体化的DC旋转电机旋转以切进该半导体材料。
优化该切割质量和降低过程的变化要求理解在小块切割工具与被切割的该材料(基片)之间的相互作用，用于材料清除最可接受的模型是研磨，这在wear Mechanism in Ceramics(A.G Evans和D.BMarshal.ASME Press 1981,pp.439-452)中进行了描述，这些模型预测了必须由研磨颗粒施加的、以引起易脆陶瓷破裂的阈值负载，这种破裂会在预测的方向上在材料内产生本地化特征。当某些破裂是沿着三个方向进行时，材料就会以粒子形式清除。Evans和Marshall模型预测在由研磨粒子清除的材料量与由这些粒子施加的负载之间存在着线性关系，其符合下列公式公式(1)V=α*PnK*l]]>其中，V是删除材料的体积，Pn是峰值正交负载，α是材料独立常数，K是一个材料常数，1是剪切长度，值α/K的范围是0.1-1.0。
假定公式互反，就会看出所测量的负载与删除的材料成线性关系。也就是说，如果已知了被删除的材料的体积，那么研磨剪切轮就会对该基底施加一个已知的负载。
按照Grinding Technology(研磨技术)(S.Malkin,Ellis HorwoodLtd,1989,pp.129-139)，在研磨处理期间，有高百分比的输入机械能变成了热能，由于磨擦产生的过多的热能(可以看成是偏离了删除材料与负载间的线性关系)可能导致损坏工件和/或小块切割刀片，很可能损坏其中一个或两者。
用于监视小块切割操作的先有技术系统依赖于视觉装置来确定在基底内的切割的质量。这些先有技术系统的缺点在于切割过程必须被终止以便检查该切口。而且，只有切割的很短的一段被评估以避免对于100％的检查占用过多时间。然后推断该短段切割检查的结果以便进行充分的评估。而且，这种视觉系统仅允许检查基底的顶表面，尽管有时底表面存在切屑情况，因此对半导体晶片的底表面的评估必须离线进行，也就是说，通过停止处理过程并将晶片从切割锯上移开才能检查晶片的底表面。
在晶片或基底的切割过程中需要监视刀片的负载以便优化该切割处理和维持高的切割质量以便不会损坏该基底，通常包括价值几千美元的电子集成电路，同时也需要对整个切割的长度进行监视并避免在监视期间中断处理。
发明概述在看到先有技术的缺点后，本发明的一个目标是帮助优化切割过程并通过非可视装置监视基片上的锯口的质量。
本发明是用于优化切割过程和监视切进一个基片的锯口质量的切割锯监视器，该监视器具有一个旋转电动机，电机上附着有一个刀片。一个旋转驱动器连接到该旋转电动机以便以一个预定的旋转速率驱动该转轴，一个传感器连接到该旋转电动机以确定该转轴的旋转速率。一个控制器连接到该监视器以便响应由该基片在刀片上引起的负载而控制该转轴电动机。
按照本发明的一个方面，该控制器响应作用在该刀片上的负载自动地控制该转轴的转速、基片的递进速率、切割深度和冷却速率中的至少一个。
按照本发明的另一个方面，刀片上的负载是基于维持该刀片的一个预定旋转速率所要求的电流来测量的。
按照本发明的另一个方面，转轴电动机的电流或电压是周期性地进行测量的。
按照本发明的另一个方面，一个显示装置用于实时地显示切割锯的环境变化。
本发明的这些及其它方面可以参照附图及示例性的实施例进行说明。
附图的简要描述本发明通过联系附图从下面的详细的说明中可以得到更好的理解。应强调的是，按照一般的实践，附图的各种特征不是按比例的。相反，为了清晰起见，附图的各种特征的尺寸可以任意地扩大或减少。在下列附图中包括图1是用于形成半导体设备的半导体晶片的等大的示意图；图2本发明的示例实施例的方框图；图3是表示按照图2的示例实施例的刀片监视原理的框图；图4表示刀片负载电压对应切除的基片材料的实验数据图；图5是表示刀片负载电压对应基片递进速率的实验数据；图6是表示在切割操作中刀片负载图；图7是表示在切割操作中刀片负载的另一个图。
详细说明在半导体设备的制作过程中，使用非常高速的旋转锯刀片将各个芯片从一个晶片上切割下来。实质上，锯刀片在一个方向(该方向后跟着一个成直角方向的第二方向)沿着直线线条或切口(图1所示的102,104)磨掉一部分晶片。
芯片的质量与切割操作过程中切屑的最小化直接相关。本发明者已经确定在锯刀片驱动转轴上的负载的变化可以引起电动机电流的互相关的变化。这些变化可以实时地显示给操作者以便不必中断该切割过程就可以进行所必须的调整。
参照图2，示出了本发明的一个实施例。在图2中，监视器200包括通过轴203连接到锯刀片204的主轴电动机202，由主轴驱动器206提供的电流以介于2000RPM至80000RPM的速率驱动主轴电动机202。主轴电动机202的旋转受到RPM传感器208的监视，该传感器依次代表该主轴电动机202的旋转速率的输出209并提供给加总节点218。依次，该加总节点218提供一个控制信号219给主轴驱动器206以控制主轴电动机202的旋转，以便主轴电动机以基本恒定的速度旋转。
主轴电动机202产生受负载监视器210监视的反馈电流211，该负载监视器210以大约10Hz至2500Hz的速率周期性确定反馈电流。负载监视器210的输出213连接到控制逻辑212。控制逻辑212同时接收过程参数214。这些过程参数214可以是从类似的切割处理搜集的历史数据。可选地，该控制逻辑212产生与在加总节点218处的RPM传感器208的输出209混合的控制信号215。加总节点218运行在这些信号上并提供信号219以根据过程参数214、来自负载监视器210的实时信息和由RPM传感器208的输出209定义的主轴电动机202的旋转速率控制主轴电动机202。
控制逻辑212也可以包括一个过滤器以便为由刀片在该基片上产生的每个切口确定RMS值，而且控制逻辑212也可以产生用于在显示监视器216上进行显示的信号。所显示的信息可以包括几个参数，如当前主轴电机速度、切割深度、刀片负载、基片递进速率、冷却剂递进速率以及过程参数214。该显示也可以提供与随后进行的处理相关的信息，如由其它处理站(如可通过一个网络连接到该切割锯监视器)接收的信息。所显示的信息和过程参数可以保留在一个储存器中作为控制逻辑212的一部分，或者保留在外部存储器中，如磁的或光媒介。
参照图3，示出了示例性的负载监视原理。在图3中，刀片204以速率Vs旋转，而基片300以速率Vw递进。由刀片204在基片300施加一个切割力(F)302。切割力300正比于主轴203(在图1中示出)的负载，依次，其负载又正比于用于维持旋转速率Vs所需的主轴电动机202的电流消耗。
利用该模型，本发明者通过仿真确定在刀片204上的负载按照下列公式与反馈控制电流211相关公式(2)
其中，Load是以克为单位进行测量的，FB是以安培为单位的反馈控制电流，VS是以KRMP为单位的主轴速度，Lsim是模拟器盘的半径，而Lblade是刀片半径。如同本技术领域内的普通人员所理解的那样，FB也可以以伏特为单位进行测量，因为按照按照欧姆定律，电流与电压彼此成正比。
在切割操作中从晶片中清除的材料数量M按照下列公式计算公式(3)M=D*W*FR其中，D是切割深度，W是切口宽度而FR是晶片进入刀片的递进速率。
为测试材料的清除速率，本发明按照表1执行了一系列的实验。
表1这些测试利用硅晶片进行了8次，在测试过程中，一个因子(D,W，或FR)保持恒定，而改变其它的因子。例如，保持主轴速度恒定而切割深度每次增加0.002英寸。在图4中示了这些测试的结果。如图4所示，对于各次测试将测试点402绘制成图，所表示的不同的符号(▲■○□等)每一个表示一次独立的测试运行，这些测试的结果基本是一个直线图，支持了在上面图3中提出的假设，尽管这些测试是按照表1列出的执行的，在正常的处理操作中，切割深度可以深达0.5英寸(12.7mm)或者根据特定的处理可以更深。
图5是基线上方的RMS负载与晶片相对于刀片的递进速率的关系图，在图5中使用了下列参数主轴速度-30,000RPM刀片厚度-0.002英寸晶片类型-6英寸，空冷却剂流-主喷射1.6l/min清洗-喷射0.8l/min溅射条-0.8l/min在图5中，曲线500是在刀片上测量的材料清除负载与基片的递进速率的关系曲线。如图5所示，可以看出，随着递进速率超过大约3.0英寸/秒(78.6mm/秒)，就会所希望的直线偏离，如点502所示。因此，为了保持线性的材料清除速率(这对于在切割操作过程中在基片的底部处的切屑有直接的影响)，可控制的一个过程参数是晶片的递进速率，该递进速率可以按需要在大约0.05英寸/秒(1.27mm/秒)至大约20.0英寸/秒(508mm/秒)之间变化，这取决正在切割的材料的类型和刀片的条件。
图6是表示切割操作过程中刀片负载的图。在图6中，图600是以Volts(伏特)RMS为单位测量的负载与在晶片中进行的切割的关系图。如图6所示，图600的部分602、604、606表示与部分608、610相对比刀片负载的降低。这是由于晶片的环形本质在于在晶片的任意给定方向上的第一和最后几个切口102、104很短。结果切口102和104起始并终止于用于安装晶片100的带子(tape)处(图中未示出)，并且从晶片100上清除的材料的数量很低，依次就可以表示为较低的刀片负载。
在图6中，晶片的直径是大约6英寸(152.4mm)，切口换位(index)是0.2英寸(5.08mm)。因此，在大约切口30处，晶片的末端达到第一系列的切口，会产生减少了刀片负载。类似地，随着第二系列的切割是沿着晶片第二方向(通常与第一系列的切割正交)进行，第一切割与最后的切割是作为减少的刀片上的负载604和606检测的。因此，示例的实施例也可以根据刀片上减少的负载并且晶片的所期望的末端进行对比来用于检测何时到达了晶片的末端。而且，如果刀片负载在某一点处太小而此时晶片的末端又不是所期望的，这就提醒操作者可以出现了过程失败，在这种情况下，就可用一个可视的和/或可听的报警器揭示操作者该情况，如果需要的话，可以自动地终止该处理过程。
图7是表示在切割操作期间刀片上负载的另一个图。在图7中，纵座标是在一个预定基线上的负载电压的测量，该基线可以由理论、历史或经验数据确定。如图7所示，对于前几个切割702和最后几个切割704，基线上方的负载很低。该负载随着切割过程穿过整个晶片而达到最大负载706。该示例性的实施例监视反馈电压(与对应欧姆定律的电流直接相关)并且在反馈电压达到或超过一个预定阈值708时向操作者报警或改变运行参数，如递进速率或切割深度。本发明者还发现晶片的底部切屑与超过期望值的负载直接相关。因此，通过监视反馈电压，本发明的示例的实施例还可以确定晶片的切屑而不必终止该过程来移开晶片以便视觉查看该晶片的底部。而且过多的负载可表明刀片的损坏或磨损，这会消极地影响该基片。
尽管本发明已参数示例性的实施例进行了说明，但并不限于此。而是，所附加的权利要求应被理解成包含了本发明的其它变化和实施例，而这些变化和实施例没有脱离本发明的精神和范围。
权利要求
1.一种与切割锯一起使用、用于监视基片上切割的过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括具有主轴的电动机；连接到该主轴的刀片；连接到该主轴以驱动该主轴的主轴驱动器；用于确定主轴的速度的传感器；用于确定由该基片在刀片上产生的负载的监视器；以及连接到该监视器、用于响应该负载控制主轴驱动器的控制器。
2.如权利要求1所述的设备，进一步包括一个连接到该控制器、用于显示下列信息中至少一个的监视器，这些信息是ⅰ)主轴速度；ⅱ)基片相对于刀片的递进速度；ⅲ)刀片在基片上方的高度；以及ⅳ)冷却剂递进速率。
3.如权利要求1所述的设备，其中该监视器测量从电动机输出的反馈控制电流和反馈控制电压中的至少一个。
4.如权利要求1所述的设备，其中该主轴驱动器响应来自该控制器的信号以基本恒定的速度驱动该主轴。
5.如权利要求1所述的设备，其中该控制器自动地控制下列中的至少一个ⅰ)主轴速度；ⅱ)基片相对于刀片的递进速率，ⅲ)刀片进入基片的切割深度，ⅳ)冷却剂响应该负载的递进速率。
6.如权利要求5所述的设备，其中切割深度介于大约.002英寸(0.050mm)至0.050英寸(1.27mm)之间。
7.如权利要求5所述的设备，其中递进速率介于大约0.05英寸/秒(1.27mm/秒)和20.0英寸/秒(508mm/秒)之间。
8.如权利要求5所述的设备，其中递进速率介于大约2.0英寸/秒(50.8mm/秒)和3.0英寸/秒(76.2mm/秒)之间。
9.如权利要求5所述的设备，其中主轴速度介于大约2000rpmt80000rpm之间。
10.如权利要求5所述的设备，其中主轴速度介于大约10000rpmt 57000rpm之间。
11.如权利要求1所述的设备，其中该监视器测量由主轴驱动器提供给主轴的电流以确定该负载。
12.如权利要求11所述的设备，其中该电流是以大约10Hz至2500Hz间的频率进行测量的。
13.如权利要求11所述的设备，其中所测量的电流对比于基线电流以确定下列中的至少一个ⅰ)基片切屑的大小和频率，ⅱ)切口的宽度，ⅲ)切口的笔直性。
14.如权利要求11所述的设备，进一步包括一个过滤器以确定由刀片在基片内产生的多个切口中每个切口的RMS值。
15.一种与切割锯一起使用、用于监视基片上切割的过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括电动机；连接到该电动机的刀片；连接到该电动机以驱动该电动机的驱动器；连接到该电动机用于确定电动机的旋转速度的传感器；连接到该电动机用于确定由该基片在刀片上产生的负载的负载监视器；控制器，接收ⅰ)负载电动机的输出，以及ⅱ)响应该负载控制该驱动器的至少一个控制参数；以及连接到该控制器和传感器的操作电路，以根据传感器的输出和来自该控制器的控制信号向驱动器提供驱动信号。
16.如权利要求15所述的设备，进一步包括一个连接到该控制器、用于显示下列信息中至少一个的监视器，这些信息是ⅰ)电动机的旋转速率；ⅱ)基片相对于刀片的递进速度；ⅲ)刀片切进基片的深度；以及ⅳ)冷却剂递进速率。
17.一种用于监视基片上切割的过程稳定性和切口质量的设备，该设备包括用于旋转刀片的旋转装置；用于确定刀片的旋转速率的旋转检测装置；用于确定由基片作用在刀片上的负载的负载检测装置；以及用于响应该负载控制该刀片的旋转速率的控制装置。
18.如权利要求17所述的装置，进一步包括用于显示下列中至少一项的显示装置，ⅰ)刀片的旋转速率；ⅱ)基片相对于刀片的递进速度；ⅲ)刀片切进基片的深度；以及ⅳ)冷却剂递进速率；ⅴ)旋转装置的反馈电流；以及ⅵ)旋转装置的反馈电压。
19.如权利要求17所述的装置，进一步包括用于存储由该显示装置显示的信息的存储器装置。
20.如权利要求17所述的装置，进一步包括用于预测即将发生的刀片和基片中至少一个失效的装置。
21.一种用于监视基片切割的过程稳定性和切口质量的方法，与具有主轴电动机和连接到该主轴电动机的刀片的切割锯一起使用，该方法包括步骤(a)旋转连接到该主轴电动机的刀片；(b)确定主轴电动机的速度；(c)确定由基片作用在刀片上的负载；(d)提供运行参数；以及(e)根据运行参数并响应由基片作用在刀片上的负载控制主轴的速度。
22.如权利要求21所述的方法，还包括步骤(f)在基片上切割切口。
23.如权利要求21所述的方法，其中旋转步骤以介于大约2000rpm和80000rpm的恒定速度旋转该主轴。
24.如权利要求21所述的方法，其中旋转步骤以介于大约10000rpm和57000rpm的恒定速度旋转该主轴。
25.如权利要求21所述的方法，还包括步骤(f)显示下列中至少一种，ⅰ)主轴速度，ⅱ)基片相对于刀片的递进速度，ⅲ)刀片在基片上的高度，ⅳ)冷却剂递进速率，以及ⅴ)主轴的反馈电流。
26.如权利要求25所述的方法，还包括步骤(g)存储在步骤(d)中提供的运行参数和在步骤(f)中显示的信息中的至少一个。
27.一种与半导体切割锯一起使用、用于监视在半导体基片中切割的过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括具有主轴的电动机；连接到该主轴以把半导体基片切割成多个模片的刀片；连接到该主轴以驱动该主轴的主轴驱动器；用于检测该主轴的速度的传感器；用于确定由该基片作用在该刀片上的负载的监视器；以及连接到该监视器、用于响应该负载控制该主轴驱动器的控制器，其中该半导体切割锯产生多个具有最小的边缘不完整性的半导体模片。
28.一种与切割锯一起使用、用于监视在硬且易脆的基片中切割的过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括具有主轴的电动机；连接到该主轴以把基片切割成多个模片的刀片；连接到该主轴以驱动该主轴的主轴驱动器；用于检测该主轴的速度的传感器；用于确定由该基片作用在该刀片上的负载的监视器；以及连接到该监视器、用于响应该负载控制该主轴驱动器的控制器，其中该切割锯产生多个具有最小的边缘不完整性的半导体模片。
29.一种与切割锯一起使用、用于监视在基片中切割的过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括用于检测该切割锯的刀片速度的传感器；用于检测由该基片作用在该刀片上的负载的监视器；以及连接到该监视器、用于响应该负载控制该刀片的控制器。
30.按照权利要求29的设备，其中该监视器连接到该控制器用于显示以下至少一个信息ⅰ)刀片速度，ⅱ)基片相对于刀片的递进速度，ⅲ)刀片在基片上方的高度，以及ⅳ)冷却剂递进速率。
31.按照权利要求29的设备，其中该监视器测量从该切割锯输出的反馈控制电流和反馈控制电压中的至少一个。
32.按照权利要求29的设备，其中该刀片响应控制器的控制信号以基本恒定速度旋转。
33.按照权利要求29的设备，其中该控制器自动地控制下列中的至少一个ⅰ)刀片速度，ⅱ)基片相对于刀片的递进速率，ⅲ)刀片切进基片的深度，以及ⅳ)响应该负载的冷却剂递进速率。
34.按照权利要求33的设备，其中切割深度介于大约.002英寸(0.050mm)至0.050英寸(1.27mm)之间。
35.如权利要求33所述的设备，其中递进速率介于大约0.05英寸/秒(1.27mm/秒)和20.0英寸/秒(508mm/秒)之间。
36.如权利要求33所述的设备，其中递进速率介于大约2.0英寸/秒(50.8mm/秒)和3.0英寸/秒(76.2mm/秒)之间。
37.如权利要求33所述的设备，其中刀片速度介于大约2000rpmt 80000rpm之间。
38.如权利要求33所述的设备，其中刀片速度介于大约10000rpmt 57000rpm之间。
39.如权利要求29所述的设备，其中该监视器测量提供给切割锯的电动机的电流以检测负载。
40.如权利要求39所述的设备，其中电流是以大约10Hz与2500Hz之间的频率进行测量的。
41.如权利要求39所述的设备，其中所检测的电流与一个基线电流进行对比以确定下列中的至少一个ⅰ)基片的切屑的大小和频率，ⅱ)切口宽度，以及ⅲ)切口的直线性。
42.按照权利要求39所述的设备，还包括一个过滤器以便针对由该刀片在基片内产生的多个切割中的每一个确定其电流的均方根(RMS)值。
43.一种与切割锯一起使用、用于监视在基片中的过程稳定性和切口质量的设备，该设备包括连接到该切割锯、用于检测该切割锯的刀片旋转速度的传感器；连接到该切割锯、用于检测由该基片作用在该刀片上的负载的负载监视器；控制器，接收ⅰ)负载监视器的输出，以及ⅱ)至少一个控制参数，用于响应该负载控制该切割锯；以及连接到该控制器和监视器的操作电路，用于根据该传感器的输出和控制器的控制信号向驱动器提供驱动信号。
44.按照权利要求43的设备，其中还包括一个连接到该控制器用于显示以下至少一个信息的监视器ⅰ)刀片速度，ⅱ)基片相对于刀片的递进速度，ⅲ)刀片切进基片的深度，以及ⅳ)冷却剂递进速率。
45.一种用于监视在基片内进行切割的过程稳定性和切口质量的方法，与具有主轴电动机和连接到该主轴电动机的刀片的锯一起使用，该方法包括步骤(a)旋转连接到该主轴电动机的刀片；(b)确定主轴电动机的速度；(c)确定由基片作用在该刀片上的负载；(d)提供运行参数；以及(e)根据运行参数及响应由该基片作用在该刀片上的负载控制主轴的速度。
46.如权利要求45的方法，还包括步骤(f)在基片内切割切口。47、如权利要求45的方法，其中该旋转步骤以介于大约2000rpm和80000rpm的基本恒定速度旋转该主轴。
48.如权利要求45的方法，其中该旋转步骤以介于大约10000rpm和57000rpm的基本恒定速度旋转该主轴。
49.如权利要求45的方法，其中还包括步骤(f)显示以下至少一个ⅰ)主轴速度，ⅱ)基片相对于刀片的递进速度，ⅲ)刀片在基片上方的高度，ⅳ)冷却剂递进速率，以及ⅴ)主轴的反馈电流。
50.如权利要求49的方法，还包括步骤(g)存储在步骤(d)中提供的运行参数与在步骤(f)中显示的信息中的至少一个。
51.一种与锯一起使用、用于监视基片内过程稳定性和切割质量的设备，该设备包括用于确定锯的刀片速度的传感器；用于确定由基让作用在刀片上的负载的监视器；以及连接到该监视器、用于响应该负载控制该刀片的控制器。
全文摘要
一种为了过程分析、监视过程稳定性和基片的切割质量而积累切割数据的方法和装置,该装置具有一个与刀片连接的主轴电动机。一个主轴驱动器连接到该主轴以便以预定的旋转速率驱动该主轴。一个传感器连接到该主轴电动机以确定该主轴的旋转速率。一个控制器连接到监视器以便响应由该基片作用在该刀片上的负载控制该主轴驱动器。
文档编号H01L21/02GK1324285SQ99812719
公开日2001年11月28日 申请日期1999年10月15日 优先权日1998年10月29日
发明者伊兰·魏斯豪斯, 奥德·耶霍舒亚·利希特 申请人:库利克-索法投资公司