层的去除更完全，在制作欧姆接触时不再受到其他物质的不良影响，因此能够使得金属与碳化硅晶圆背面形成良好的欧姆接触，能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率。
[0032]S4:在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口 ；
[0033]在该步骤中，由于本申请实施例在晶圆正面制作的是类金刚石膜，该膜具有较高的电阻率和较高的击穿场强，电绝缘性能好，因此可以在该步骤中，这种类金刚石膜可以不进行去除，与所述氧化层一起作为器件的钝化层，直接在晶圆的正面刻蚀窗口，这样就减少了去除类金刚石膜的工序，大大提高了工作效率。
[0034]S5:在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。
[0035]在该步骤中，向步骤S4中刻蚀出的窗口内溅射肖特基接触金属，从而形成肖特基接触，类金刚石膜和氧化层对窗口之外的正面其他部分形成有效的保护，这种保护膜更厚，从而使保护效果更好。
[0036]通过上述描述可知，本申请实施例提供的一种制作碳化硅SBD器件的正面保护方法中，在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜，能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜无需去除，从而减少了工序。
[0037]在上述正面保护方法中，可以优选的利用溅射或化学气相沉积方法在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜。相对于旋涂光刻胶的方法，溅射和化学气相沉积方法能够使成膜更为均匀，且不会使膜物质留在背面，从而能够形成理想的欧姆接触。
[0038]在上述正面保护方法中，可以优选的利用氢氟酸去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层。所述氢氟酸能够溶解背面氧化层，不会对晶圆本身产生腐蚀，且所述类金刚石膜也不受氢氟酸的影响，从而对正面氧化层形成有效的保护。
[0039]在上述正面保护方法中，在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触的方法可以优选为:溅射欧姆接触金属并进行快速退火。由于氧化层的去除更为完全，保证了金属及SiC晶圆的良好接触，因此在溅射欧姆接触金属并进行快速退火后，形成具有低比接触电阻的欧姆接触。
[0040]在上述正面保护方法中，在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口的方法可以优选为:利用所述类金刚石膜和所述氧化层作为钝化层，对所述碳化硅晶圆的正面进行光刻、刻蚀和去胶清洗，形成正面刻蚀窗口。这样就免去了去除所述类金刚石膜的工艺流程，提高了工作效率，而且将类金刚石膜和氧化层共同作为钝化层，厚度更大，同时类金刚石薄膜具有较高电阻率和较高击穿场强，电绝缘性好，是较好的绝缘钝化材料，能够耐受更大的电压，对器件工作时形成更为有效的保护。
[0041]在上述正面保护方法中，在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触的方法可以优选为:在所述碳化硅晶圆的正面溅射肖特基接触金属并快速退火，形成肖特基接触。利用所述类金刚石膜和所述氧化层对晶圆正面窗口以外的区域形成更为有效的保护。
[0042]本发明还提供了一种制作碳化硅SBD器件的方法，利用如上所述的任一种正面保护方法，对所述碳化硅晶圆的正面进行保护，这样就能够保证正面氧化层不被腐蚀和划伤，提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，还能减少工序。
[0043]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
【主权项】
1.一种制作碳化硅SBD器件的正面保护方法，其特征在于，包括: 在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜； 去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层； 在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触； 在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口； 在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用溅射或化学气相沉积方法在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用氢氟酸去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触的方法为: 溅射欧姆接触金属并进行快速退火。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口的方法为: 利用所述类金刚石膜和所述氧化层作为钝化层，对所述碳化硅晶圆的正面进行光刻、刻蚀和去胶清洗，形成正面刻蚀窗口。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触的方法为: 在所述碳化硅晶圆的正面溅射肖特基接触金属并快速退火，形成肖特基接触。
7.一种制作碳化硅SBD器件的方法，其特征在于，利用如权利要求1-6任一项所述的方法，对所述碳化硅晶圆的正面进行保护。
【专利摘要】本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
【IPC分类】H01L21-04
【公开号】CN104576325
【申请号】CN201510041144
【发明人】史晶晶, 李诚瞻, 刘国友, 赵艳黎, 周正东, 高云斌, 吴佳, 杨勇雄, 刘可安
【申请人】株洲南车时代电气股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月27日