0.5-1.5微米。通过在密封胶的表面形成黑胶层，可以显著增强密封胶层的抗碱性，进而提高复合保护层的保护作用。
[0035]根据本发明的具体实施例，将黑胶进行高温固化可以在120摄氏度下烘烤2小时完成。由此可以使得形成的黑胶层与密封胶层紧密结合，增强密封胶层的抗碱性，进而提高复合保护层的保护作用。
[0036]根据本发明的具体实施例，密封胶层的端面距离黑胶层的端面850-950微米。即黑胶层对密封胶层进行封盖后超出部分的长度。由此密封胶层完全被黑胶层覆盖，进而提密封胶层的耐碱性，进而提高复合保护层的保护作用。
[0037]根据本发明的具体实施例，最终在体硅的预保护区域表面形成由密封胶层和黑胶层组成的复合保护层，根据本发明的具体示例，复合保护层的厚度为13微米由此可以有效地防止刻蚀液侵蚀，达到有效保护体硅的目的。
[0038]根据本发明的具体实施例，对保护后的体硅进行深刻蚀可以采用85摄氏度的浓度为33%的氢氧化钾溶液进行。由此，通过上述保护方法形成的复合保护层可以有效地防止湿法深刻蚀时刻蚀溶液对转移过程中体硅侧面及硅片间粘接剂的预保护区域的损害，进而弥补现有湿法深刻蚀的缺陷，提高产品的质量。
[0039]根据本发明的再一个实施例，可以对Si02/Si3N4保护后的体硅进行光刻后，再在完成了光刻蚀后的体硅的预保护区域进行密封胶层-黑胶层的复合保护层保护，以便进一步进行转移工艺处理。由此可以完成对体硅的图形化基底转移。
[0040]根据本发明的具体实施例，最后在完成湿法深刻蚀后可以将除去复合保护层的体娃在去尚子水中进行清洗。由此提尚广品的品质。
[0041]实施例
[0042]转移工艺:将硅片上生长好的碳纳米管图形转移到玻璃基底上。首先在硅片I上生长一层碳纳米管薄膜2 (如图1所示)，刻蚀碳纳米管进行图形化(如图2所示)，在碳管顶端镀金3，后将镀完金的碳管基底与玻璃基底4粘接(如图3所示)。
[0043]在体硅的反面、侧面和正面的边缘涂敷密封胶5，晾干约10分钟后，形成约11.050微米的密封胶层(如图4所示)。在密封胶层的表面涂敷黑胶，将涂敷完黑胶后的体硅在120摄氏度的烘箱中烘烤2小时，使黑胶固化，取出冷却。在密封胶层的表面形成厚度约为I微米的黑胶层6 (如图5所示)，由此在体硅的预保护的区域上形成复合保护层，完成对体硅的保护。进一步地将保护后的体硅浸泡在温度为85摄氏度的浓度为33%的氢氧化钠溶液中，对体硅进行深刻蚀，完成深刻蚀后。最后用镊子剥离经过深刻蚀后的体硅外表面的复合保护层，并在去离子水中进行清洗，得到体硅刻蚀产品，如图6所示。
[0044]该保护方法操作简单，无需复杂设备，保护层的去除比较容易，整体深刻蚀及转移过程效果良好，成本低。
[0045]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0046]尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
【主权项】
1.一种体硅湿法深刻蚀的保护方法，所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层，所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连，其特征在于，包括: 在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层； 在所述密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层； 将黑胶层进行高温固化，以便在所述预保护区域上形成复合保护层； 利用刻蚀溶液对表面形成所述复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将所述体硅刻蚀掉；以及 除去所述复合保护层，以便完成所述图形化结构层转移到所述转移基底上。
2.根据权利要求1所述的保护方法，其特征在于，所述预保护区域为由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的正面的一部分、反面和侧面。
3.根据权利要求1或2所述的保护方法，其特征在于，所述密封胶层的厚度为11-12微米，所述黑胶层的厚度为0.5-1.5微米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的保护方法，其特征在于，所述复合保护层的厚度为13微米。
5.根据权利要求1-4任一项所述的保护方法，其特征在于，所述高温固化是在120摄氏度下烘烤2小时完成。
6.根据权利要求1-5任一项所述的保护方法，其特征在于，所述深刻蚀是采用85摄氏度的浓度为33%的氢氧化钾溶液进行。
7.根据权利要求1-6任一项所述的保护方法，其特征在于，所述密封胶层的端面离所述黑胶层的端面850-950微米。
8.根据权利要求1-7任一项所述的保护方法，其特征在于，进一步包括:将除去所述复合保护层的体硅在去离子水中进行清洗。
【专利摘要】本发明提出了一种体硅湿法深刻蚀的保护方法，所述体硅的一个表面上形成有待转移的图形化结构层，所述图形化结构层的远离所述体硅的一个表面与转移基底相连，该方法包括：在由体硅、图形化结构层和转移基底形成的整体的外表面的预保护区域上涂敷密封胶，以便形成密封胶层；在密封胶的表面涂敷黑胶，以便形成黑胶层；将黑胶层进行高温固化，以便在预保护区域上形成复合保护层；利用刻蚀溶液对表面形成复合保护层后的体硅进行深刻蚀，以便将体硅刻蚀掉；以及除去复合保护层，以便完成图形化结构层转移到转移基底上。该方法可以有效地对体硅的侧面及转移工艺中两片基底中间的粘接剂进行保护，工艺简单，无需复杂设备，成本低，耗时短。
【IPC分类】H01L21-311
【公开号】CN104599964
【申请号】CN201510032873
【发明人】刘泽文, 张磊, 龚著浩
【申请人】清华大学
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2015年1月22日