深硅刻蚀机台及其晶片保护装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种深硅刻蚀机台及其晶片保护
目.0
【背景技术】
[0002]微机电系统(MEMS, Micro-Electro-Mechanical System)是以半导体制造技术为基础发展起来的制造技术平台。MEMS器件以硅为主要材料，用硅微加工工艺在一片硅片上可同时制造成百上千个微型机电装置或完整的MEMS。MEMS器件中微结构的组装与封装主要依靠深硅刻蚀技术，即通过在芯片和芯片之间、晶片与晶片之间形成垂直导通，实现互连。
[0003]目前，深硅刻蚀机台生产的产品多为减薄后晶片，厚度为400μπι，刻蚀深度为380 μπι，在刻蚀过程中，晶片的边缘区域刻蚀速率较快，经常导致晶片边缘被刻蚀掉，出现锯齿状损伤，对本道和后续工艺流程造成负面影响。
[0004]有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研宄创新，以期创设一种深硅刻蚀机台及其晶片保护装置，使其更具有产业上的利用价值。
【发明内容】
[0005]为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种深硅刻蚀机台及其晶片保护装置，能够在深硅刻蚀流程中保护晶片的边缘，有效保护晶片的边缘区域不被刻蚀损伤。
[0006]本发明提出的一种深硅刻蚀机台，包括反应腔、设置在所述反应腔内的用于支撑晶片的支撑台、设置在所述反应腔下方的驱动腔、设置在所述驱动腔内的驱动装置，所述驱动装置驱动所述支撑台上下运动，所述反应腔内还设有用于覆盖晶片非刻蚀区域的晶片保护装置。
[0007]进一步的，所述晶片保护装置包括放置于所述反应腔底部的支撑件、放置于所述支撑件上的保护件，所述支撑件套设于所述支撑台外部，所述保护件的中间设有开孔，所述开孔的边缘区域覆盖所述晶片的边缘区域。
[0008]进一步的，所述保护件呈倒置的圆盘状，其侧面呈弧形。
[0009]进一步的，所述保护件设有一周通孔，所述通孔靠近所述保护件的边缘。
[0010]进一步的，所述保护件的材料为陶瓷。
[0011]进一步的，所述支撑件包括第一支撑环、第二支撑环、连接所述第一支撑环和第二支撑环的支撑杆。
[0012]进一步的，所述驱动装置还包括限制所述支撑台上升位置的调整块。
[0013]本发明提出的一种晶片保护装置，设置于深硅刻蚀机台中，包括支撑件、设置于所述支撑件上的保护件，所述保护件的中间设有开孔，所述开孔的边缘区域覆盖晶片的边缘区域。
[0014]进一步的，所述保护件呈倒置的圆盘状，其侧面呈弧形，所述保护件设有一周通孔，所述通孔靠近所述保护件的边缘，所述保护件的材料为陶瓷。
[0015]进一步的，所述支撑件包括第一支撑环、第二支撑环、连接所述第一支撑环和第二支撑环的支撑杆。
[0016]借由上述方案，本发明至少具有以下优点:本发明能够有效保护晶片的边缘区域，防止其在刻蚀过程中被刻蚀损伤，避免了不必要的损失，提高了产品的合格率。
[0017]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0018]图1是本发明的工作状态图；
[0019]图2是本发明的工作状态图；
[0020]图3是保护件的结构示意图；
[0021]图4是支撑件的结构示意图。。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0023]参见图1至4，本发明一较佳实施例所述的一种深硅刻蚀机台及其晶片保护装置，在深硅刻蚀流程中，能够有效保护晶片9的边缘区域，防止其受到刻蚀损伤，包括反应腔11、设置在反应腔11内的支撑台8、设置在反应腔11下方的驱动腔10、设置在驱动腔10内的驱动装置，驱动装置驱动支撑台8上下运动，反应腔11内设有晶片保护装置。晶片保护装置包括保护件1、支撑保护件I的支撑件2。保护件I的材料为陶瓷，耐电浆，呈倒置的圆盘状，其侧面呈弧形，保护件I的中间设有开孔3，晶片9设置于开孔3的下方，开孔3的边缘区域覆盖晶片9的边缘区域，刻蚀过程中，对开孔3处裸露的晶片9进行刻蚀，因而晶片9边缘区域得以保护。保护件I边缘设有一周均匀分布的通孔4，利于刻蚀过程中稳定气流的流通。支撑件2包括第一支撑环5、第二支撑环6、连接第一支撑环5和第二支撑环6的支撑杆7，支撑杆7的数量为四个，保护件I放置在第一支撑环5上。
[0024]支撑件2套设于支撑台8的外部，晶片9设置在支撑台8上，支撑台8通过驱动装置驱动其上下运动，将晶片9输送至保护件I的下方。驱动装置设置在驱动腔10内，驱动装置包括气缸12、与气缸12相连的输出杆13、设置在输出杆13上的托环14和伸缩筒15、设置在驱动腔10顶部的限位块16，伸缩筒15固定在驱动腔10的顶部并在其内部设有凸块17，凸块17分别与输出杆13和支撑台8相连，输出杆13由气缸12驱动其上下运动，输出杆13向上运动时，托环14与限位块16相抵。托环14上设有调整块18，调整块18的数量和位置与限位块16的数量和位置相对应，其数量为四个。晶片9与保护件I之间应保持一定间隙，当输出杆13向上运动，伸缩筒15被压缩，凸块17和支撑台8被向上推动，晶片9随之上升，当托环14上的调整块18与驱动腔10顶部的限位块16相抵，便限制了支撑台8的上升位置，如需加大或减小晶片9与保护件I之间的间隙，只需加大或减小调整块18的高度。
[0025]综上所述，本发明所述的晶片保护装置，采用耐电浆的陶瓷制成，并覆盖晶片9的边缘，能够在深硅刻蚀机台中有效保护晶片9的边缘区域，防止其被刻蚀损伤，该设计简单合理，成本低廉，提高了产品的合格率，避免了不必要的损失，而且保护件I与晶片9之间的间隙可调，扩大了该装置的使用范围。
[0026]以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种深硅刻蚀机台，包括反应腔、设置在所述反应腔内的用于支撑晶片的支撑台、设置在所述反应腔下方的驱动腔、设置在所述驱动腔内的驱动装置，所述驱动装置驱动所述支撑台上下运动，其特征在于:所述反应腔内还设有用于覆盖晶片非刻蚀区域的晶片保护 目.0
2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述晶片保护装置包括放置于所述反应腔底部的支撑件、放置于所述支撑件上的保护件，所述支撑件套设于所述支撑台外部，所述保护件的中间设有开孔，所述开孔的边缘区域覆盖所述晶片的边缘区域。
3.根据权利要求2所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述保护件呈倒置的圆盘状，其侧面呈弧形。
4.根据权利要求3所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述保护件设有一周通孔，所述通孔靠近所述保护件的边缘。
5.根据权利要求4所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述保护件的材料为陶瓷。
6.根据权利要求2所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述支撑件包括第一支撑环、第二支撑环、连接所述第一支撑环和第二支撑环的支撑杆。
7.根据权利要求2所述的深硅刻蚀机台，其特征在于:所述驱动装置还包括限制所述支撑台上升位置的调整块。
8.—种晶片保护装置，设置于深硅刻蚀机台中，其特征在于:包括支撑件、设置于所述支撑件上的保护件，所述保护件的中间设有开孔，所述开孔的边缘区域覆盖晶片的边缘区域。
9.根据权利要求8所述的晶片保护装置，其特征在于:所述保护件呈倒置的圆盘状，其侧面呈弧形，所述保护件设有一周通孔，所述通孔靠近所述保护件的边缘，所述保护件的材料为陶瓷。
10.根据权利要求8所述的晶片保护装置，其特征在于:所述支撑件包括第一支撑环、第二支撑环、连接所述第一支撑环和第二支撑环的支撑杆。
【专利摘要】本发明涉及半导体生产工艺技术领域，尤其涉及一种深硅刻蚀机台及其晶片保护装置，本发明提出的一种深硅刻蚀机台，包括反应腔、设置在所述反应腔内的用于支撑晶片的支撑台、设置在所述反应腔下方的驱动腔、设置在所述驱动腔内的驱动装置，所述驱动装置驱动所述支撑台上下运动，所述反应腔内还设有用于覆盖晶片非刻蚀区域的晶片保护装置，本发明能够在深硅刻蚀流程中有效保护晶片的边缘区域不被刻蚀损伤，且结构简单，操作方便。
【IPC分类】B81C1-00, H01L21-67
【公开号】CN104609365
【申请号】CN201510080126
【发明人】杜春辉, 沈家敏, 冯建炜
【申请人】苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2015年2月14日